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D波段功率放大器提高功率
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NEC開發(fā)了一種基于GaAs的功率放大器，在150 GHz頻段實現(xiàn)了它認(rèn)為的全球最高輸出功率10 mW。該器件采用可批量生產(chǎn)的砷化鎵技術(shù)構(gòu)建，面向移動接入和前傳/回傳無線設(shè)備，為5G Advanced和6G網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)高速、高容量通信。
功率放大器設(shè)計采用市售的 0.1μm GaAs 偽晶態(tài)高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 工藝。與用于亞太赫茲頻段的CMOS和SiGe技術(shù)相比，GaAs pHEMT具有高工作電壓和較低的大規(guī)模生產(chǎn)初始成本。
這在110 GHz和150 GHz之間具有出色的高頻特性，以及GaAs pHEMT放大器的最高輸出功率。
NEC在本月的IEEE無線電和無線應(yīng)用射頻/微波功率放大器專題會議(PAWR2023)上詳細(xì)介紹了放大器技術(shù)。
責(zé)任編輯：David
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