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ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號(hào)MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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原標(biāo)題：ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號(hào)MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
ROHM Semiconductor RV4E031RPHZG小信號(hào)MOSFET的介紹
ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG是一款超緊湊型車(chē)規(guī)級(jí)小信號(hào)MOSFET，專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用了Wettable Flank成型技術(shù)，提供了車(chē)輛應(yīng)用所需的封裝側(cè)面電極高度（130μm），從而確保了卓越的安裝可靠性和一致的焊接質(zhì)量。這款MOSFET不僅適用于ADAS攝像機(jī)模塊等汽車(chē)設(shè)備，還有助于實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的小型化。
特性
封裝和尺寸：RV4E031RPHZG采用了DFN1616-6W封裝，尺寸為1.6x1.6mm（t=0.8mm），這種超緊湊的設(shè)計(jì)非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的汽車(chē)應(yīng)用。
電氣特性：
漏源電壓VDSS：最高可達(dá)-30V。
漏電流ID：最高可達(dá)-3.1A。
RDS(on)值：在低驅(qū)動(dòng)電壓下具有較低的RDS(on)值，如VGS=4V時(shí)RDS(on)為0.122Ω，VGS=10V時(shí)RDS(on)為0.075Ω。
低噪聲：RV4E031RPHZG具有低噪聲特性，適用于對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求較高的應(yīng)用，如音頻放大器等。
高可靠性：Wettable Flank成型技術(shù)確保了產(chǎn)品的一致性和可靠性，即使在惡劣的汽車(chē)環(huán)境中也能保持穩(wěn)定性能。
應(yīng)用
RV4E031RPHZG小信號(hào)MOSFET主要應(yīng)用于汽車(chē)領(lǐng)域，特別是那些需要高精度、高可靠性和小型化設(shè)計(jì)的部分。例如，它可以用于ADAS攝像機(jī)模塊的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及其他需要精確控制電流和電壓的汽車(chē)電子設(shè)備中。此外，由于其低噪聲特性，它還可以用于音頻放大器等對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求較高的應(yīng)用中。
總的來(lái)說(shuō)，ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG小信號(hào)MOSFET憑借其超緊湊的設(shè)計(jì)、優(yōu)異的電氣特性和高可靠性，在汽車(chē)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
責(zé)任編輯：David
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