Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) mosfet器件的介紹、特性、及應用


原標題:Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) mosfet器件的介紹、特性、及應用
Vishay / Siliconix SiS176LDN是一款N溝道70V (D-S) MOSFET器件,屬于Vishay Siliconix品牌下的高性能MOSFET產品系列。這款MOSFET采用了先進的硅技術和封裝設計,提供了優(yōu)異的電氣性能和可靠性。
特性
電氣性能:
Vds-漏源極擊穿電壓:70 V
Id-連續(xù)漏極電流:42.3 A
Rds On-漏源導通電阻:10.9 mOhms
Vgs-柵極-源極電壓:-12 V, +12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
Qg-柵極電荷:12.6 nC
工作溫度:
最小工作溫度:-55 C
最大工作溫度:+150 C
封裝與安裝:
封裝/箱體:PowerPAK 1212-8
安裝風格:SMD/SMT
其他特性:
通道數量:1 Channel
通道模式:Enhancement
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
應用
Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFET器件適用于各種需要高性能、高效率的電力電子系統(tǒng)。其應用領域包括但不限于:
電源管理:在電源管理系統(tǒng)中,SiS176LDN可以用于轉換、控制和管理電能,以提高系統(tǒng)效率和可靠性。
電機控制:在電機控制系統(tǒng)中,SiS176LDN的優(yōu)異電氣性能使其能夠高效、穩(wěn)定地控制電機的運行。
工業(yè)系統(tǒng):在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,SiS176LDN的可靠性和穩(wěn)定性能夠滿足復雜環(huán)境和高負荷工作條件的要求。
綜上所述,Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFET器件以其優(yōu)異的電氣性能、高可靠性和廣泛的應用領域,成為電力電子領域中的一款重要產品。
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