原標(biāo)題：英飛凌推出業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML－V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射NOR閃存

英飛凌推出的業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML-V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射NOR閃存，是航天領(lǐng)域的一個(gè)重要技術(shù)創(chuàng)新。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)解析：

一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)

背景：

• 隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展，航天級(jí)可編程邏輯器件（FPGA）對(duì)高可靠性存儲(chǔ)器的需求日益增長(zhǎng)。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies LLC）推出了業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML-V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射NOR閃存。

特點(diǎn)：

• QML-V標(biāo)準(zhǔn)：該產(chǎn)品通過(guò)了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證，QML-V是航天級(jí)IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，確保了產(chǎn)品的高質(zhì)量和可靠性。

• 高容量：英飛凌推出的NOR閃存包括256 Mb和512 Mb兩種容量，滿足了航天級(jí)FPGA對(duì)高容量存儲(chǔ)的需求。

• 抗輻射性能：該產(chǎn)品的抗輻射性能高達(dá)30 krad(Si)偏置和125 krad(Si)無(wú)偏置，能夠在極端輻射環(huán)境下穩(wěn)定工作。

• 長(zhǎng)壽命與數(shù)據(jù)保留：在125°C時(shí)，這款器件耐久性達(dá)到1000次編程/擦除周期，數(shù)據(jù)保留期限為30年；在85°C時(shí)，耐久性達(dá)到1萬(wàn)次編程/擦除周期，數(shù)據(jù)保留期限為250年。

二、技術(shù)細(xì)節(jié)與應(yīng)用

技術(shù)細(xì)節(jié)：

• 英飛凌利用65 nm浮柵閃存工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。

• 512 Mb器件包括兩個(gè)獨(dú)立的256 Mb裸片，它們采用單個(gè)封裝解決方案并排裝配，設(shè)計(jì)人員可以靈活地在任一裸片上以雙QSPI或單QSPI模式獨(dú)立運(yùn)行器件。

• 該產(chǎn)品支持-55°C至125°C的溫度等級(jí)，具有出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案，適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。

應(yīng)用：

• 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于航天領(lǐng)域的各種設(shè)備中，如衛(wèi)星、探測(cè)器等，為這些設(shè)備提供可靠的高容量非易失性存儲(chǔ)器解決方案。

• 同時(shí)，由于其出色的抗輻射性能和長(zhǎng)壽命特性，該產(chǎn)品也適用于其他對(duì)存儲(chǔ)器可靠性要求極高的領(lǐng)域，如軍事、醫(yī)療等。

三、市場(chǎng)影響與未來(lái)展望

市場(chǎng)影響：

• 英飛凌推出的這款抗輻射NOR閃存填補(bǔ)了航天級(jí)FPGA在高可靠性存儲(chǔ)器方面的空白，為航天領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展提供了有力支持。

• 該產(chǎn)品的推出將進(jìn)一步推動(dòng)航天領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展，提升航天設(shè)備的整體性能和可靠性。

未來(lái)展望：

• 隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展和航天領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃源鎯?chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，英飛凌將繼續(xù)致力于研發(fā)更多高性能、高可靠性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

• 同時(shí)，英飛凌也將與更多領(lǐng)先的FPGA生態(tài)系統(tǒng)公司展開(kāi)合作，共同推動(dòng)航天領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用創(chuàng)新。