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亞德諾半導體ADRF5545A射頻前端多芯片模塊的介紹、特性、及應用
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原標題：亞德諾半導體ADRF5545A射頻前端多芯片模塊的介紹、特性、及應用
以下是關于亞德諾半導體（Analog Devices，簡稱ADI）的ADRF5545A射頻前端多芯片模塊的詳細介紹、特性及應用：
一、介紹
ADRF5545A是一款雙通道集成式射頻（RF）前端多芯片模塊，專為工作頻率為2.4GHz至4.2GHz的時分雙工（TDD）應用而設計。該模塊采用雙通道配置，集成了級聯(lián)兩級低噪聲放大器（LNA）和高功率硅單刀雙擲（SPDT）開關，提供了高性能的射頻前端解決方案。
二、特性
集成式雙通道RF前端：
包含兩個獨立的射頻通道，每個通道都具備完整的射頻前端功能。
2級LNA和高功率SPDT開關：
兩級低噪聲放大器（LNA）提供高增益和低噪聲系數(shù)，有助于改善接收機的靈敏度。
高功率硅單刀雙擲（SPDT）開關提供低插入損耗和高隔離度，確保射頻信號的準確傳輸和接收。
片上偏置和匹配：
無需外部偏置電路和匹配網絡，簡化了電路設計和制造流程。
單電源供電：
支持單電源供電，降低了電源管理的復雜性。
高增益和低噪聲系數(shù)：
在高增益模式下，3.6GHz時的增益為32dB（典型值），噪聲系數(shù)為1.45dB（典型值）。
在低增益模式下，3.6GHz時的增益為16dB（典型值），噪聲系數(shù)仍為1.45dB（典型值）。
高隔離度和低插入損耗：
RXOUT-CHA和RXOUT-CHB之間的隔離度為47dB（典型值）。
TERM-CHA和TERM-CHB之間的隔離度為52dB（典型值）。
在發(fā)射過程中，當射頻輸入連接到端電極引腳（TERM-ChA或TERM-ChB）時，開關提供0.65dB的低插入損耗。
高功率處理能力：
在整個生命周期內，可以處理40dBm的長期演進（LTE）平均功率（9dB峰值/平均值比（PAR））。
在單一事件（<10秒）LNA保護模式下，可以處理43dBm的LTE平均功率（9dB PAR）。
高OIP3：
輸出3階交調截點（OIP3）為32dBm（典型值），有助于改善接收機的線性度。
低電源電流：
在高增益模式下，5V時的電源電流為86mA（典型值）。
在低增益模式下，5V時的電源電流為36mA（典型值）。
在關斷模式下，5V時的電源電流為12mA（典型值）。
正邏輯控制和封裝：
采用正邏輯控制，方便與數(shù)字電路集成。
采用符合RoHS標準的緊湊型6mm×6mm 40引腳LFCSP封裝，有利于減小電路板空間。
三、應用
無線基礎設施：
適用于TDD大規(guī)模多輸入和多輸出（MIMO）以及有源天線系統(tǒng)，有助于提高無線通信系統(tǒng)的容量和覆蓋范圍。
基于TDD的通信系統(tǒng)：
如4G LTE、5G NR等基于TDD的通信系統(tǒng)，ADRF5545A可作為高性能的射頻前端解決方案。
其他應用：
還可用于各種需要高性能射頻前端的應用場景，如雷達、衛(wèi)星通信等。
綜上所述，ADRF5545A射頻前端多芯片模塊具有高性能、高集成度、易于使用等優(yōu)點，適用于各種需要高性能射頻前端的應用場景。
責任編輯：David
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