VSC8541RT和SAM3X8ERT是Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）推出的面向太空應(yīng)用的耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器和嵌入式微控制器。以下是關(guān)于這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

VSC8541RT耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器

1. 主要特點：

• 是業(yè)界首款宇航級耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器。

• 提供了衛(wèi)星和其他航天器之間互操作性的可能性，所有這些都基于商用現(xiàn)貨（COTS）解決方案。

• 具有GMII、RGMII、MII和RMII接口的單端口千兆以太網(wǎng)銅PHY。

• 在125°C下，LET（Linear Energy Transfer，線性能量轉(zhuǎn)移）閾值低于78 MeV·cm2/mg時沒有單事件閂鎖（SEL）。

• 提供了卓越的輻射結(jié)果，同時提供具有航天級認(rèn)證級別的高性能陶瓷封裝解決方案。

• 閉鎖抗擾度高達(dá)78 Mev，可耐受100 Krad的總電離劑量效應(yīng)值（TID）。

2. 應(yīng)用范圍：

• 運(yùn)載火箭

• 衛(wèi)星組網(wǎng)

• 太空站

• 其他需要高可靠性和耐輻射性能的以太網(wǎng)通信解決方案的場合

SAM3X8ERT耐輻射嵌入式微控制器

1. 主要特點：

• 是Microchip最新的Arm Cortex-M3核心處理器和嵌入式以太網(wǎng)控制器。

• 旨在滿足行業(yè)對單獨(dú)或組合的耐輻射設(shè)備的需求。

• ARM Cortex-M3修訂版2.0的運(yùn)行頻率高達(dá)84 MHz，提供100 DMIPS的收益。

• 在105°C下，LET閾值低于62 MeV·cm2/mg時沒有任何單事件閂鎖。

• 提供了與工業(yè)變體相同的生態(tài)系統(tǒng)。

• 除了以太網(wǎng)功能之外，還嵌入了512 KB雙存儲區(qū)閃存、100 KB SRAM、ADC和DAC以及雙CAN控制器。

2. 應(yīng)用范圍：

• 可用于衛(wèi)星平臺的數(shù)據(jù)和傳感器總線控制的有效載荷。

• 遠(yuǎn)程終端通信

• 航天器網(wǎng)絡(luò)

• 空間站中的模塊連接性

• 其他需要高可靠性和耐輻射性能的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用

共同特點與優(yōu)勢

1. COTS基礎(chǔ)：兩款產(chǎn)品均以COTS為基礎(chǔ)，按照高度可靠的質(zhì)量流程打造，具有更高的耐輻射性能。

2. 封裝規(guī)格：提供塑料和陶瓷兩種封裝規(guī)格，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

3. 引腳分配：COTS產(chǎn)品和同等宇航級產(chǎn)品采用相同的引腳分配模式，便于設(shè)計人員在設(shè)計過程中從COTS器件遷移到宇航級元件，從而大幅縮短開發(fā)時間、降低開發(fā)成本。

綜上所述，VSC8541RT和SAM3X8ERT作為面向太空應(yīng)用的耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器和嵌入式微控制器，以其出色的耐輻射性能、高可靠性和靈活的應(yīng)用范圍，在太空通信和嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。