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Power Integrations推出具有極低Qrr、適用于高效高開關(guān)速度設(shè)計的汽車級Qspeed硅二極管

來源: 中電網(wǎng)
2021-06-22
類別:新品快報
eye 18
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:Power Integrations推出具有極低Qrr、適用于高效高開關(guān)速度設(shè)計的汽車級Qspeed硅二極管

Power Integrations推出的具有極低反向恢復(fù)電荷(Qrr)、適用于高效高開關(guān)速度設(shè)計的汽車級Qspeed硅二極管,是電源管理領(lǐng)域的一項重要創(chuàng)新。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品概述

Qspeed硅二極管是Power Integrations針對高效、高開關(guān)速度設(shè)計需求而推出的汽車級產(chǎn)品。該產(chǎn)品通過采用先進(jìn)的混合PiN/Schottky二極管技術(shù),實現(xiàn)了業(yè)界最低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)性能,從而顯著提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

二、產(chǎn)品特點

  1. 極低Qrr性能

    • 在25°C時,Qrr僅為14nC(針對600V 12A型號),遠(yuǎn)低于同類產(chǎn)品的水平。

    • 這種極低的Qrr性能有助于減少開關(guān)過程中的能量損失,提高系統(tǒng)的整體效率。

  2. 高性能混合技術(shù)

    • 采用混合PiN/Schottky二極管技術(shù),結(jié)合了PiN二極管的穩(wěn)定性和Schottky二極管的低正向壓降特性。

    • 這種技術(shù)使得Qspeed二極管在提供低開關(guān)損耗的同時,還能保持較高的反向擊穿電壓和較低的漏電流。

  3. 優(yōu)秀的熱性能

    • 采用緊湊的2.5kV隔離式TO-220封裝,可直接安裝到金屬散熱元件上。

    • 這種封裝設(shè)計使得Qspeed二極管在長時間高功率運(yùn)行時,能夠保持較低的溫度,從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  4. 汽車級認(rèn)證

    • 通過AEC-Q101汽車級認(rèn)證,確保產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)和嚴(yán)要求。

    • 這使得Qspeed二極管成為車載充電器、音頻放大器等汽車電子設(shè)備中理想的選擇。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

Qspeed硅二極管因其高效、高開關(guān)速度、低損耗和低成本的優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 車載充電器

    • 提高車載充電器功率因數(shù)校正(PFC)階段的效率。

    • 顯著改善PFC MOSFET的熱性能,降低溫升。

  2. 音頻放大器

    • 可大幅增強(qiáng)音頻放大器的性能,降低輸出噪聲和電磁干擾(EMI)。

    • 適用于車載音響系統(tǒng)等對音質(zhì)和噪聲要求較高的應(yīng)用場景。

  3. 其他汽車電子設(shè)備

    • 如電池管理系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等,也都可以受益于Qspeed硅二極管的優(yōu)秀性能。

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四、產(chǎn)品優(yōu)勢

  1. 提高系統(tǒng)效率

    • 極低的Qrr性能有助于減少開關(guān)過程中的能量損失。

    • 平滑的反向恢復(fù)電流轉(zhuǎn)換特性可以降低電磁干擾(EMI)和峰值反向電壓應(yīng)力。

  2. 降低成本

    • 與碳化硅(SiC)器件相比,Qspeed硅二極管具有相同的低開關(guān)損耗性能,但成本更低。

    • 這使得Qspeed二極管成為性價比更高的選擇。

  3. 易于集成

    • 采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式,易于與其他電子元件集成。

    • 提供靈活的安裝方式,如直接安裝到金屬散熱元件上,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。

綜上所述,Power Integrations推出的Qspeed硅二極管以其極低的Qrr性能、高性能混合技術(shù)、優(yōu)秀的熱性能和汽車級認(rèn)證等優(yōu)點,在汽車電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用前景和顯著的市場競爭力。


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