原標(biāo)題：transhorm 650V GaN fet TO-247封裝的介紹、特性、及應(yīng)用

您想了解的可能是Transphorm公司的650V GaN FET TO-247封裝產(chǎn)品，以下是對(duì)其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)闡述：

一、介紹

Transphorm是全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，其推出的650V GaN FET TO-247封裝產(chǎn)品，如TP65H035G4YS和TP65H050G4YS，是針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域而設(shè)計(jì)的。這些產(chǎn)品采用了Transphorm成熟的硅襯底氮化鎵制程，不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現(xiàn)有硅基生產(chǎn)線量產(chǎn)。

二、特性

1. 低導(dǎo)通電阻：

• TP65H035G4YS和TP65H050G4YS分別具有35毫歐和50毫歐的導(dǎo)通電阻，有助于降低能量損耗。

2. 四引腳封裝：

• 采用TO-247-4L封裝，相比傳統(tǒng)的三引腳封裝，增加了一個(gè)引腳用于柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子，實(shí)現(xiàn)了Kelvin連接，提高了MOSFET的開關(guān)速度。

3. 高性能：

• 在硬開關(guān)同步升壓型轉(zhuǎn)換器中，與導(dǎo)通電阻相當(dāng)?shù)腟iC MOSFET相比，35毫歐的SuperGaN 4引腳FET器件在50千赫茲（kHz）下?lián)p耗減少了15%，而在100kHz下的損耗則降低了27%。

4. 穩(wěn)健性：

• 具有業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性，如+/-20V柵極閾值和4V抗擾性，確保在各種應(yīng)用環(huán)境下的可靠性。

5. 易設(shè)計(jì)性和易驅(qū)動(dòng)性：

• SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驅(qū)動(dòng)器，減少了器件周邊所需電路，降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

三、應(yīng)用

1. 數(shù)據(jù)中心：

• 在一千瓦及以上功率級(jí)的數(shù)據(jù)中心電源中，Transphorm的650V GaN FET TO-247封裝產(chǎn)品可作為原始設(shè)計(jì)選項(xiàng)，也可直接替代現(xiàn)有方案中的4引腳硅基和SiC器件，實(shí)現(xiàn)更低的電源系統(tǒng)損耗。

2. 可再生能源：

• 適用于可再生能源的各種工業(yè)應(yīng)用電源，如太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)等，提高能源轉(zhuǎn)換效率。

3. 工業(yè)電力轉(zhuǎn)換：

• 在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子變換器等，650V GaN FET TO-247封裝產(chǎn)品能夠提供高性能、低損耗的解決方案。

4. 其他應(yīng)用：

• 還可用于通信電源、電動(dòng)汽車充電站等領(lǐng)域，滿足高功率、高效率的電源需求。

綜上所述，Transphorm的650V GaN FET TO-247封裝產(chǎn)品以其低導(dǎo)通電阻、四引腳封裝、高性能、穩(wěn)健性以及易設(shè)計(jì)性和易驅(qū)動(dòng)性等特性，在數(shù)據(jù)中心、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。