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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

來源: 中電網(wǎng)
2021-06-10
類別:業(yè)界動態(tài)
eye 10
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

Microchip(美國微芯科技公司)的抗輻射MOSFET已經(jīng)獲得了商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案的認(rèn)證,這一成就標(biāo)志著Microchip在抗輻射技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。以下是對此事的詳細(xì)闡述:

一、產(chǎn)品簡介

Microchip推出的M6? MRH25N12U3是一款抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件專為空間應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠承受極端的太空環(huán)境,包括極端粒子相互作用、太陽和電磁事件等。

二、產(chǎn)品認(rèn)證

M6? MRH25N12U3硅晶體管已經(jīng)獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。這意味著該器件已經(jīng)通過了嚴(yán)格的測試和評估,證明了其在商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案中的可靠性和穩(wěn)定性。

三、產(chǎn)品性能

  1. 耐輻射性:M6? MRH25N12U3能夠承受高達(dá)100krad和300krad的總電離劑量(TID)以及高達(dá)87MeV/mg/cm2的線性能量轉(zhuǎn)移(LET)的單一事件效應(yīng)(SEE)。在驗(yàn)證測試中,器件的晶圓批次耐輻射合格率達(dá)到100%。

  2. 增強(qiáng)電源電路可靠性:該MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件,包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和控制以及通用開關(guān)。其能夠承受惡劣的空間環(huán)境,從而增強(qiáng)電源電路的可靠性。

  3. 高性能:M6? MRH25N12U3以更高的性能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求,可用于未來的衛(wèi)星系統(tǒng),也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。

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四、產(chǎn)品應(yīng)用

M6? MRH25N12U3的應(yīng)用范圍廣泛,包括但不限于:

  1. 商業(yè)航天:可用于商業(yè)衛(wèi)星的電源系統(tǒng),提供穩(wěn)定可靠的電力供應(yīng)。

  2. 國防空間應(yīng)用:適用于軍用衛(wèi)星和航空器的電源解決方案,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

  3. 備用電源:可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源,提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

五、公司實(shí)力與承諾

  1. 產(chǎn)品線豐富:M6? MRH25N12U3屬于Microchip豐富的航空、國防和航天技術(shù)產(chǎn)品線,包括現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、微處理器集成電路(IC)、線性IC、功率器件、分立器件等。

  2. 技術(shù)支持與應(yīng)用支持:Microchip為開發(fā)人員提供價值定價選擇以及全面的應(yīng)用支持,確??蛻裟軌虺浞掷迷撈骷男阅堋?/span>

  3. 長期承諾:Microchip致力于為客戶提供支持,為航空航天和國防OEM廠商和集成商提供高性能解決方案和持續(xù)供應(yīng)的長期承諾。

綜上所述,Microchip的抗輻射MOSFET M6? MRH25N12U3憑借其出色的耐輻射性、增強(qiáng)電源電路可靠性以及高性能等特點(diǎn),已經(jīng)獲得了商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案的認(rèn)證。這一成就不僅證明了Microchip在抗輻射技術(shù)方面的領(lǐng)先地位,也為未來的空間應(yīng)用提供了更加可靠和穩(wěn)定的電源解決方案。


責(zé)任編輯:David

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