原標題：安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

安森美半導體在APEC 2021（應(yīng)用電力電子會議）上確實發(fā)布了新的用于電動車充電的完整碳化硅（SiC）MOSFET模塊方案。以下是對該方案的詳細解讀：

一、發(fā)布背景與目的

隨著電動車市場的不斷增長，對充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求也日益迫切。為了滿足駕駛員對快速充電站網(wǎng)絡(luò)的需求，以及緩解“續(xù)航里程焦慮癥”，安森美半導體推出了這一新的碳化硅MOSFET模塊方案。該方案旨在提供高性能、高能效的充電解決方案，以適應(yīng)電動車市場的快速發(fā)展。

二、產(chǎn)品特點與優(yōu)勢

1. 高電壓與高效率：

• 新的1200V M1完整SiC MOSFET 2-PACK模塊基于平面技術(shù)，適合18V到20V范圍內(nèi)的驅(qū)動電壓，易于用負門極電壓驅(qū)動。

• 與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC MOSFET具有更低的熱阻和更高的開關(guān)性能，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度，提高了能效和功率密度。

2. 緊湊性與魯棒性：

• 鑒于充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊性和魯棒性是設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)。該SiC MOSFET模塊采用壓接式引腳封裝，是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

• 嵌入的負溫系數(shù)（NTC）熱敏電阻有助于溫度監(jiān)測，增強了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

3. 高性能門極驅(qū)動器：

• 安森美半導體還推出了與SiC MOSFET模塊相匹配的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動器。

• 該驅(qū)動器提供5kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作，適合高速工作，典型傳播延遲為60ns。

4. 降低開關(guān)損耗：

• 1200V和900V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg低至220nC），從而降低了電動車充電樁所需高頻工作的開關(guān)損耗。

三、應(yīng)用場景與生態(tài)系統(tǒng)

該SiC MOSFET模塊方案是安森美半導體電動車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，被設(shè)計為與NCD5700x器件等驅(qū)動器方案一起使用。它適用于各種電動車充電站和充電樁，能夠提供高效、可靠的充電服務(wù)。

四、市場影響與前景

安森美半導體的這一新方案為電動車充電市場帶來了創(chuàng)新性的解決方案。隨著電動車市場的持續(xù)增長和充電基礎(chǔ)設(shè)施的不斷完善，該方案有望在未來幾年內(nèi)得到廣泛應(yīng)用和推廣。同時，它也將推動電動車充電技術(shù)的不斷進步和發(fā)展。

綜上所述，安森美半導體在APEC 2021上發(fā)布的新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢和市場前景。它將為電動車充電市場提供高效、可靠的解決方案，推動電動車產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。