原標題：三星公布新 2.5D 封裝技術(shù)，電氣工程專家認為仍存缺陷

三星確實公布了其新的2.5D封裝技術(shù)，并引起了電氣工程專家們的關(guān)注。以下是對這一技術(shù)及其存在缺陷的詳細分析：

一、三星新2.5D封裝技術(shù)概述

三星的下一代2.5D封裝技術(shù)名為I-Cube4，該技術(shù)提升了邏輯器件和內(nèi)存之間的通信效率，并集成了1顆邏輯芯片和4顆高帶寬內(nèi)存（HBM）。I-Cube4在保持性能的前提下，將中介層（Interposer）做得比紙還薄，厚度僅有100μm，從而節(jié)省了芯片空間。

此外，I-Cube4的2.5D封裝技術(shù)降低了空間占用和功率損耗，加強了產(chǎn)品的熱管理，并提升了產(chǎn)品性能。三星還針對I-Cube4開發(fā)了無模具架構(gòu)（mold-free structure），通過預篩選測試在制造過程中找出缺陷產(chǎn)品，從而有效地提升成品率。這一技術(shù)可以應(yīng)用于高性能計算、AI、5G、云等多種領(lǐng)域。

二、電氣工程專家對I-Cube4技術(shù)的評價

盡管I-Cube4技術(shù)具有諸多優(yōu)勢，但電氣工程專家們也指出了其存在的缺陷：

1. 寄生參數(shù)問題：為了獲得高計算性能，I-Cube4需要HBM盡可能地接近邏輯芯片，這造成了寄生參數(shù)的出現(xiàn)。寄生參數(shù)一般出現(xiàn)在PCB板的設(shè)計中，主要產(chǎn)生的原因是電路板和器件自身引入的電阻、電容、電感等互相干擾。這一問題也會出現(xiàn)在晶圓層面上，這些寄生參數(shù)會影響產(chǎn)品的性能，使其無法達到設(shè)計數(shù)值。

2. 中介層穩(wěn)定性問題：I-Cube4的中介層厚度僅有100μm，雖然提升了產(chǎn)品性能，但過薄的中介層也容易出現(xiàn)彎曲或翹起等現(xiàn)象。盡管三星的研究人員通過選擇合適的中介層材料與厚度解決了這一問題，但中介層的穩(wěn)定性仍然是一個需要關(guān)注的問題。

三、2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展與挑戰(zhàn)

2.5D封裝技術(shù)是一種先進的異構(gòu)芯片封裝技術(shù)，它結(jié)合了2D（平面）和3D（立體）封裝的特點，實現(xiàn)了多個芯片的高密度線路連接并集成為一個封裝。然而，這一技術(shù)也面臨著諸多挑戰(zhàn)：

1. 布線尺寸減小帶來的干擾：隨著封裝空間的不斷壓縮，布線尺寸的減小增加了互連線之間的干擾。這要求封裝材料必須有效地考慮系統(tǒng)和芯片的影響，站在整個CPS（Chip+Package+System）的完整鏈條上去考慮封裝材料參數(shù)的設(shè)計和優(yōu)化。

2. 熱管理問題：多芯片的堆疊增加了熱量集中的問題，必須對熱進行合理的規(guī)劃和管理。2.5D封裝通過合理布局芯片位置和優(yōu)化散熱通道設(shè)計來解決這一問題，但熱管理仍然是封裝技術(shù)中的一個重要挑戰(zhàn)。

3. 應(yīng)力開裂風險：多芯片的堆疊也增加了應(yīng)力開裂的風險。這要求封裝材料和工藝必須具有高可靠性和穩(wěn)定性。

綜上所述，三星的I-Cube4 2.5D封裝技術(shù)雖然具有諸多優(yōu)勢，但也存在一些缺陷和挑戰(zhàn)。未來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，相信這些缺陷和挑戰(zhàn)將會得到逐步解決和克服。