原標(biāo)題：瑞能半導(dǎo)體亮相2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)

X-FAB作為全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)與光電半導(dǎo)體解決方案晶圓代工廠，不斷增強(qiáng)其技術(shù)產(chǎn)品組合以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。關(guān)于X-FAB增強(qiáng)其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車(chē)用嵌入式閃存產(chǎn)品，以下進(jìn)行詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)

X-FAB推出的這款新的閃存IP利用了其得到廣泛驗(yàn)證的氮化硅氧化物（SONOS）技術(shù)。該技術(shù)具備更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade 0汽車(chē)規(guī)范。它能夠在-40°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作，并完全支持ISO 26262規(guī)定的功能安全級(jí)別。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 陣列大小與配置：該閃存IP的陣列大小為32KB，采用8K×39位配置，帶有32位數(shù)據(jù)總線。另外7位專(zhuān)用于錯(cuò)誤代碼校正（ECC），以確保零缺陷的現(xiàn)場(chǎng)可靠性。

2. 測(cè)試接口：X-FAB專(zhuān)有的XSTI嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）IP測(cè)試接口也已包括在內(nèi)，以達(dá)成對(duì)存儲(chǔ)器的完全串行接駁。

3. 低功耗設(shè)計(jì)：該款汽車(chē)級(jí)閃存IP能夠運(yùn)行于單個(gè)1.8V電源，非常適用于低功耗設(shè)計(jì)。

4. 內(nèi)置自檢模塊：新增的內(nèi)置自檢（BIST）模塊對(duì)于實(shí)現(xiàn)有效的存儲(chǔ)器測(cè)試以及全面的產(chǎn)品調(diào)試至關(guān)重要。

三、應(yīng)用與前景

1. 汽車(chē)電子：這款閃存IP特別適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域，能夠滿(mǎn)足在復(fù)雜環(huán)境下對(duì)芯片和元器件的高可靠性要求。

2. 其他領(lǐng)域：除了汽車(chē)電子之外，該閃存IP還特別適用于電池供電的設(shè)備，如便攜式或自主智能傳感器，并在醫(yī)療保健、工業(yè)、消費(fèi)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮巨大潛力。

四、市場(chǎng)反響與影響

1. 豐富產(chǎn)品組合：這一全新IP解決方案進(jìn)一步豐富了X-FAB針對(duì)180nm開(kāi)放技術(shù)平臺(tái)的嵌入式閃存產(chǎn)品組合，擴(kuò)大了其向市場(chǎng)提供的產(chǎn)品陣容。

2. 優(yōu)化晶片成本：新增的嵌入式閃存功能將實(shí)現(xiàn)更小的面積占比，并為X-FAB的客戶(hù)帶來(lái)更明顯的收益。同時(shí)，XP018的模塊化方法意味著其僅需要更少的掩膜層，這兩個(gè)因素都將有助于推動(dòng)晶片成本的顯著優(yōu)化。

綜上所述，X-FAB通過(guò)增強(qiáng)其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車(chē)用嵌入式閃存產(chǎn)品，不僅提升了其技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也為汽車(chē)電子和其他領(lǐng)域提供了更加可靠和高效的解決方案。