原標(biāo)題：ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

ROHM（羅姆半導(dǎo)體）確實(shí)開發(fā)出了針對150V GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）的8V柵極耐壓技術(shù)，以下是對該技術(shù)的詳細(xì)分析：

一、技術(shù)背景與意義

隨著IoT設(shè)備的日益普及和服務(wù)器系統(tǒng)需求的不斷增長，功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設(shè)備的小型化已成為重要的社會(huì)課題。GaN器件因其更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開關(guān)性能，在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域被寄予厚望，有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化。然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關(guān)工作期間可能會(huì)發(fā)生超過額定值的過沖電壓，導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性問題。因此，ROHM通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V，這對于提高電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性具有重要意義。

二、技術(shù)特點(diǎn)與優(yōu)勢

1. 高柵極耐壓：ROHM的8V柵極耐壓技術(shù)將GaN HEMT的柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V，這使得器件工作時(shí)的電壓裕度達(dá)到普通產(chǎn)品的三倍。即使在開關(guān)工作過程中產(chǎn)生了超過6V的過沖電壓，器件也不會(huì)劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。

2. 低電感封裝：ROHM還開發(fā)出一種專用封裝，采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55%。這有助于在設(shè)計(jì)可能會(huì)高頻工作的電路時(shí)，更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

3. 高散熱性能：該GaN器件所采用的封裝形式具有出色的散熱性能，使得器件在長時(shí)間工作時(shí)能夠保持穩(wěn)定的溫度，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的可靠性。

4. 易于替換與安裝：該封裝形式在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實(shí)際應(yīng)用記錄，使得現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

三、應(yīng)用領(lǐng)域與市場前景

1. 應(yīng)用領(lǐng)域：ROHM的8V柵極耐壓GaN HEMT器件適用于各種電源電路，特別是以工業(yè)設(shè)備和通信設(shè)備為首的應(yīng)用領(lǐng)域。例如，數(shù)據(jù)中心和基站等的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路、基站功率放大器單元的升壓轉(zhuǎn)換器電路、D類音頻放大器、LiDAR驅(qū)動(dòng)電路以及便攜式設(shè)備的無線充電電路等。

2. 市場前景：隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等技術(shù)的不斷發(fā)展，基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)Ω咝省⑿⌒突碾娫葱枨髮⒊掷m(xù)增長。ROHM的8V柵極耐壓GaN HEMT器件憑借其出色的性能和可靠性，有望在市場上取得廣泛的應(yīng)用和認(rèn)可。

四、總結(jié)

ROHM開發(fā)出的針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)，解決了GaN器件在柵極耐壓方面的關(guān)鍵問題，提高了電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。同時(shí)，該技術(shù)還配合了低電感封裝和高散熱性能的封裝形式，使得器件在性能、可靠性和安裝便利性方面均表現(xiàn)出色。隨著相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展，ROHM的8V柵極耐壓GaN HEMT器件有望在市場上取得更大的成功。