原標(biāo)題：被STM32G0快速編程難倒的，看這里

STM32G0系列微控制器除了支持Flash標(biāo)準(zhǔn)編程外，還支持Flash的快速編程。然而，在實(shí)際開發(fā)中，開發(fā)者可能會(huì)遇到一些與STM32G0快速編程相關(guān)的問題。以下是一些關(guān)于STM32G0快速編程的要點(diǎn)和解決方案：

一、STM32G0快速編程概述

STM32G0系列微控制器支持通過內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行快速編程。這種編程方式相較于標(biāo)準(zhǔn)編程具有更高的速度，適用于需要快速更新代碼或數(shù)據(jù)的場(chǎng)景。然而，由于快速編程的特殊性，開發(fā)者在編寫代碼時(shí)需要注意一些關(guān)鍵問題。

二、快速編程中的關(guān)鍵問題

1. 快速編程代碼的位置：

• 對(duì)Flash進(jìn)行快速編程時(shí)，不允許對(duì)Flash進(jìn)行讀取操作。因此，快速編程的代碼需要被放置在RAM中運(yùn)行，以避免對(duì)Flash進(jìn)行命令讀取。在STM32G0Cube庫(kù)中，快速編程的核心函數(shù)FLASH_Program_Fast被標(biāo)記為__RAM_FUNC，表明該函數(shù)位于RAM區(qū)域。

• 相比之下，STM32L4系列微控制器的Flash是single bank，其快速編程示例代碼中的鏈接文件定義了ROM的地址為RAM區(qū)域，因此不需要使用__RAM_FUNC關(guān)鍵字。但在移植到STM32G0時(shí)，需要注意確保快速編程代碼位于RAM中。

2. 快速編程的源數(shù)據(jù)位置：

• 快速編程時(shí)，源數(shù)據(jù)也應(yīng)該位于RAM中，而不是Flash中。因?yàn)榭焖倬幊绦枰獙?shù)據(jù)以256字節(jié)（64個(gè)word）為單位寫入目標(biāo)地址，如果源數(shù)據(jù)位于Flash中，則會(huì)導(dǎo)致在編程過程中讀取Flash數(shù)據(jù)，從而引發(fā)問題。

• 在從STM32L4移植到STM32G0時(shí)，如果直接將L4示例代碼中的源數(shù)據(jù)數(shù)組復(fù)制到G0項(xiàng)目中，可能會(huì)因?yàn)閿?shù)組定義的問題（如使用了const關(guān)鍵字導(dǎo)致數(shù)組位于Flash中）而導(dǎo)致程序在快速編程過程中崩潰。因此，需要將數(shù)組定義為位于RAM中的非const變量。

三、快速編程的實(shí)現(xiàn)步驟

1. 擦除目標(biāo)頁(yè)：

• 在進(jìn)行快速編程之前，需要先對(duì)目標(biāo)頁(yè)進(jìn)行擦除。這可以通過調(diào)用相關(guān)的擦除函數(shù)來實(shí)現(xiàn)。

2. 配置快速編程參數(shù)：

• 根據(jù)需要編程的數(shù)據(jù)大小和地址范圍，配置快速編程的相關(guān)參數(shù)。

3. 執(zhí)行快速編程：

• 調(diào)用FLASH_Program_Fast函數(shù)，將源數(shù)據(jù)寫入目標(biāo)地址。在寫入過程中，確保源數(shù)據(jù)位于RAM中，并且避免對(duì)Flash進(jìn)行讀取操作。

4. 驗(yàn)證編程結(jié)果（可選）：

• 為了確保編程的正確性，可以對(duì)編程后的數(shù)據(jù)進(jìn)行驗(yàn)證。這可以通過讀取目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)并與源數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來實(shí)現(xiàn)。

四、注意事項(xiàng)

• 在進(jìn)行快速編程時(shí)，需要確保微控制器的電源穩(wěn)定，并且避免在編程過程中進(jìn)行復(fù)位或中斷操作。

• 快速編程的速度雖然較高，但也需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求來選擇合適的編程方式。例如，在需要頻繁更新代碼或數(shù)據(jù)的場(chǎng)景中，快速編程可以顯著提高效率；而在對(duì)編程速度要求不高的場(chǎng)景中，則可以選擇標(biāo)準(zhǔn)編程方式。

綜上所述，STM32G0的快速編程雖然具有一定的挑戰(zhàn)性，但通過合理的代碼設(shè)計(jì)和注意事項(xiàng)的遵循，開發(fā)者可以成功地實(shí)現(xiàn)快速編程并提高代碼更新的效率。