群聯(lián)發(fā)布U17/U18橋接和E21T入門級NVMe SSD主控


原標題:群聯(lián)發(fā)布U17/U18橋接和E21T入門級NVMe SSD主控
群聯(lián)在某一時期發(fā)布了U17/U18橋接和E21T入門級NVMe SSD主控,以下是關(guān)于這三款主控的詳細介紹:
一、U17主控
市場定位:面向移動固態(tài)硬盤市場。
技術(shù)規(guī)格:
支持10Gbps的USB 3.2 Gen 2主機接口。
支持運行速度高達1200 MT/s的雙通道NAND閃存。
特點與優(yōu)勢:
無需橋接控制器,降低了成本,簡化了PCBA設(shè)計。
與基于橋接的USB外部SSD相比,能效提高了56%。
與傳統(tǒng)的外置硬盤相比,速度提高了15倍,并且更加安靜。
二、U18主控
市場定位:專業(yè)高性能領(lǐng)域,適合創(chuàng)作者或?qū)I(yè)商務(wù)人士使用。
技術(shù)規(guī)格:
支持20Gbps的USB 3.2 Gen 2×2主機接口。
支持四通道NAND閃存。
支持TCG Opal加密方案。
性能表現(xiàn):
連續(xù)讀取速度高達1900 MB/秒。
連續(xù)寫入性能高達1700 MB/秒。
特點與優(yōu)勢:
功能翻倍,性能強勁,適合讀取和存儲未壓縮圖像與音樂源文件、媒體數(shù)據(jù)庫與4K圖像文件。
提供TCG Opal安全保護,適合財務(wù)數(shù)據(jù)、稅務(wù)數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)的封存,以及公司重要營運數(shù)據(jù)的備份。
三、E21T主控
市場定位:入門級NVMe SSD主控。
技術(shù)規(guī)格:
采用PCI-E 4.0 x4接口。
制程從28nm升級到了12nm。
采用無DRAM緩存的設(shè)計。
支持4通道NAND閃存管理。
支持NVMe 1.4協(xié)議以及各種類型的3D TLC和3D QLC NAND閃存。
傳輸速率高達1600 MT/s。
性能與功耗:
與E19T相比,性能和功耗表現(xiàn)均有大約25%的提升。
特點與優(yōu)勢:
體積小、成本低,有助于固態(tài)硬盤設(shè)計得更小。
支持Phison第四代LDPC ECC、端到端數(shù)據(jù)路徑保護以及Smart ECC 2.0(RAID ECC)技術(shù)。
支持所有先進的安全和加密功能,如TCG OPAL2.0/Pyrite、AES256、SHA512和RSA4096。
可讓SSD廠商打造入門級產(chǎn)品,其連續(xù)讀寫速度可達5000/4500 MBps,隨機讀寫速度可達780K/800K IOPS。
綜上所述,群聯(lián)發(fā)布的U17/U18橋接和E21T入門級NVMe SSD主控各具特色,分別滿足了不同市場和用戶的需求。U17和U18主控在移動固態(tài)硬盤和專業(yè)高性能領(lǐng)域展現(xiàn)了出色的性能和優(yōu)勢,而E21T主控則以低成本、高性能和先進的安全技術(shù)為入門級NVMe SSD市場帶來了新的選擇。
責任編輯:David
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