原標(biāo)題：UnitedSiC推首款750V SIC FETs 性能取得突破性發(fā)展

UnitedSiC推出的首款750V SiC FETs在性能上確實(shí)取得了突破性發(fā)展，以下是對(duì)其性能特點(diǎn)的詳細(xì)歸納：

一、電壓等級(jí)與導(dǎo)通電阻

• UnitedSiC是業(yè)界第一個(gè)推出750V SiC FET的公司，與650V的元器件相比，750V SiC FET有更低的導(dǎo)通損耗。

• 750V SiC FET的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）范圍廣泛，從6mOhm至60mOhm不等，為設(shè)計(jì)人員提供了更大的靈活性，可以優(yōu)化系統(tǒng)的效率、熱管理復(fù)雜性和成本。

二、封裝與熱性能

• 750V SiC FET采用TO-247-3L和TO-247-4L插入式封裝，以及低電感的表面貼裝D2PAK-7L封裝，提供6.7mm的高壓爬電距離。

• 采用先進(jìn)的晶圓減薄和銀燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)，顯著提升了熱性能。

三、品質(zhì)因數(shù)與性能優(yōu)勢(shì)

• UnitedSiC利用業(yè)界最佳的導(dǎo)通電阻x面積（RDS(on) x A），在一系列功率水平和封裝選項(xiàng)中擴(kuò)展了其SiC FET產(chǎn)品組合，提供一流的品質(zhì)因數(shù)（FoM）。

• 750V SiC FET在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路中都能提高效率，具有極低的RDS(on)和優(yōu)秀的反向恢復(fù)特性。

四、應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)前景

• 750V SiC FET旨在加速在汽車(chē)充電、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心PFC直流轉(zhuǎn)換、可再生能源和儲(chǔ)能應(yīng)用中采用寬帶隙器件。

• 由于其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，750V SiC FET具有廣闊的市場(chǎng)前景。

五、技術(shù)特點(diǎn)與創(chuàng)新

• UnitedSiC的750V SiC FET是第4代技術(shù)產(chǎn)品，具有一流的RDS(on) x Area，同時(shí)改善了給定RDS(on)的Qrr和Eon/Eoff損失，降低了Coss(er)/Eoss和Coss(tr)。

• 保持0至12V柵極驅(qū)動(dòng)器，閾值電壓VTH=5V，同時(shí)保持所有典型SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行能力。

• 750V SiC FET具有更低的二極管壓降VF和出色的反向恢復(fù)特性，降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

綜上所述，UnitedSiC推出的首款750V SiC FETs在性能上取得了顯著突破，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)前景。其技術(shù)特點(diǎn)和創(chuàng)新使得該產(chǎn)品在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路中都能表現(xiàn)出色，為設(shè)計(jì)人員提供了更多的選擇和靈活性。