助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)


原標(biāo)題:助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)
在高級(jí)光刻技術(shù)中,特別是極紫外(EUV)光刻技術(shù)的運(yùn)用,存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨著多方面的挑戰(zhàn)。以下是對(duì)這些挑戰(zhàn)的詳細(xì)分析:
一、存儲(chǔ)挑戰(zhàn)
污染風(fēng)險(xiǎn):
光刻圖案越精細(xì),掩模污染的風(fēng)險(xiǎn)越高。潛在污染源包括外來(lái)顆粒和化學(xué)殘留物。
掩模涂層比較脆弱,容易損壞,接觸掩模的任何物體都可能造成損壞,如晶圓廠里的機(jī)械臂或意外污染物(如人的毛發(fā))。
專用光罩盒的需求:
專為193納米沉浸式光刻設(shè)計(jì)的光罩盒無(wú)法為EUV掩模提供足夠的保護(hù)。
EUV光刻的獨(dú)特要求使得EUV掩模光罩盒成為一種具有多個(gè)關(guān)鍵元件且高度專業(yè)化的設(shè)備。
材料選擇與設(shè)計(jì):
接觸或圍繞掩模的所有表面(包括光罩盒的表面)都必須保持超凈,避免引入有害污染物。
內(nèi)光罩盒通常由金屬制成,避免發(fā)生釋氣;外光罩盒可能采用聚合物制成,需考慮其放氣特性。
雙光罩盒配置:
EUV光刻機(jī)臺(tái)通常采用雙光罩盒配置,包括處于真空條件下的金屬內(nèi)光罩盒和與周圍環(huán)境接觸的外光罩盒。
雙光罩盒配置雖可提供保護(hù),但污染風(fēng)險(xiǎn)仍然存在。
二、運(yùn)輸挑戰(zhàn)
機(jī)械損傷風(fēng)險(xiǎn):
在運(yùn)輸過(guò)程中,掩模必須承受機(jī)械加速和振動(dòng),需確保光罩盒能將掩模牢牢固定在原位。
同時(shí),接觸片的阻力不能過(guò)大,以免在掩模上造成過(guò)多的接觸痕跡。
接觸力與污染:
從顆粒產(chǎn)生的角度來(lái)看,接觸力越小越好。接觸點(diǎn)越少,光罩盒引起顆粒污染的可能性就越低。
接觸點(diǎn)的大小同樣重要,接觸面越大,光罩盒關(guān)閉時(shí)的接觸應(yīng)力就越小。
材料磨損與壽命:
光罩盒材料的選擇對(duì)于盡可能減少接觸痕跡至關(guān)重要。理想的光罩盒材料能夠抵抗在固定掩模以及打開(kāi)和關(guān)閉光罩盒時(shí)的磨損。
光罩盒的設(shè)計(jì)使用壽命通常為七到十年,需使用抗磨損材料以延長(zhǎng)使用壽命并減少顆粒污染。
氣體交換與凈化:
在運(yùn)輸和存儲(chǔ)過(guò)程中,需定期凈化外光罩盒以除去內(nèi)部的水分,為掩模保持干潔的環(huán)境。
內(nèi)光罩盒中通常內(nèi)置有過(guò)濾器,用于進(jìn)行氣體分子的交換,并最大限度減少進(jìn)入內(nèi)光罩盒的顆粒。
三、綜合挑戰(zhàn)與解決方案
兼容性與設(shè)計(jì):
掩模光罩盒的光學(xué)窗口必須與自動(dòng)化設(shè)備兼容,以便光刻機(jī)中的攝像頭能夠觀察光罩盒內(nèi)部并正確檢測(cè)掩模情況。
現(xiàn)今的光罩盒設(shè)計(jì)人員應(yīng)考慮設(shè)計(jì)兩款光罩盒:一款具有可容納薄膜的空間,另一款可在不添加薄膜的情況下使用。
薄膜保護(hù)與壓力控制:
在使用薄膜作為防塵罩時(shí),需確保薄膜的幾何結(jié)構(gòu)與光罩盒的兼容性。
真空凈化和通風(fēng)會(huì)導(dǎo)致內(nèi)光罩盒中發(fā)生壓力變化,必須將此壓差控制在特定閾值以下,以免損壞薄膜。
錯(cuò)誤識(shí)別風(fēng)險(xiǎn):
EUV設(shè)備必須能夠處理帶有或不帶薄膜的掩模,并能區(qū)分這兩種掩模之間的區(qū)別。
內(nèi)光罩盒應(yīng)包含相應(yīng)設(shè)計(jì)功能,以確保EUV設(shè)備中的攝像頭能掃描并光學(xué)檢測(cè)出光罩盒類型,降低錯(cuò)誤識(shí)別光罩盒的風(fēng)險(xiǎn)。
綜上所述,存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模在高級(jí)光刻技術(shù)中面臨著多方面的挑戰(zhàn)。通過(guò)采用專用光罩盒、優(yōu)化材料選擇與設(shè)計(jì)、控制接觸力與污染、確保材料磨損與壽命、進(jìn)行氣體交換與凈化以及考慮兼容性與設(shè)計(jì)等措施,可以有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
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