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X7R材質(zhì)TDK貼片電容的型號列表
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X7R材質(zhì)的TDK貼片電容型號列表如下：
| 型號 | 尺寸 | 電壓 | 容量 | 精度 | 特性 |
|---|---|---|---|---|---|
| C3225X7R1H106MT000E | 1210 | 50V | 10μF | ±20% | 高容貼片電容 |
| C3225X7R1H105KT0A0N | 1210 | 50V | 1μF | ±10% | 高端電容 |
| C3225X7R1E225MT000N | 1210 | 25V | 2.2μF | ±20% | 高端電容 |
| CGA6M3X7R1H225KT0Y0N | 1210 | 50V | 2.2μF | ±10% | 車規(guī)級高端電容 |
| CGA6P3X7R1H335KT0Y0N | 1210 | 50V | 3.3μF | ±10% | 車規(guī)級高端電容 |
| CGA6N3X7S1H475KT0Y0N | 1210 | 50V | 4.7μF | ±10% | 車規(guī)級高端電容（X7S材質(zhì)） |
| CGA6P3X7R1H475KT0Y0N | 1210 | 50V | 4.7μF | ±10% | 車規(guī)級高端電容 |
| C3225X7S1N475KT0Y0S | 1210 | 75V | 4.7μF | - | 高端電容（X7S材質(zhì)，軟端） |
| C3225X7R1E106K250AC | 1210 | 25V | 10μF | ±10% | 高端電容 |
| C3225X7R1E106KTJ | 1210 | 25V | 10μF | ±10% | - |
| C3225X7R1E475KT | 1210 | 25V | 4.7μF | ±10% | - |
| C3225X7R1H105KT | 1210 | 50V | 1μF | ±10% | - |
| C3225X7R2A106KT | 1210 | 100V | 10μF | ±10% | - |
| C3225X7R2J683KT | 1210 | 630V | 68nF | ±10% | - |
| C3216X7R1E106KT | 1206 | 25V | 10μF | ±10% | - |
| C3216X7R1E225KT | 1206 | 25V | 2.2μF | ±10% | - |
| C4532X7R1C336M | 1812 | 16V | 33μF | ±20% | - |
| C4532X7R1E226M | 1812 | 25V | 22μF | ±20% | - |
| C5750X7R1H106K | 2220 | 50V | 10μF | ±10% | - |
| C5750X7R1E226M | 2220 | 25V | 22μF | ±20% | - |
| C3225X7T2W224K | 1210 | 450V | 0.22μF | ±10% | - |
| C3225X7T2J104K | 1210 | 630V | 0.1μF | ±10% | - |
| C3216X5R1E106KT | 1206 | 25V | 10μF | ±10% | X5R材質(zhì) |
| C3216X5R1E476MT | 1206 | 25V | 47μF | ±20% | X5R材質(zhì) |
命名規(guī)則說明
系列名稱：如
C系列。尺寸：如
1210表示1210尺寸（3.2mm×2.5mm）。材質(zhì)：
X7R表示材質(zhì)類型。電壓：如
1H表示50V。容量：如
106表示10μF。精度：如
K表示±10%，M表示±20%。包裝方式：如
T表示卷帶包裝。
應用領域
電源濾波：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等。
去耦電容：用于數(shù)字電路、模擬電路的去耦。
耦合電容：用于音頻、射頻信號的耦合。
車規(guī)級應用：如
CGA6M3X7R1H225KT0Y0N等型號符合AEC-Q200標準，適用于汽車電子。
注意事項
電壓選擇：根據(jù)電路工作電壓選擇合適的額定電壓。
容量精度：根據(jù)電路需求選擇±10%或±20%的精度。
溫度特性：X7R材質(zhì)溫度范圍為-55℃至+125℃，容量變化率±15%。
如需進一步了解具體型號的詳細參數(shù)或應用，建議訪問TDK官網(wǎng)或聯(lián)系TDK授權(quán)代理商。
責任編輯：Pan
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