貼片電感規(guī)格參數(shù)表1206 100uh耐電流


以下是1206封裝、100μH貼片電感的典型規(guī)格參數(shù)及耐電流相關(guān)說明,供參考:
1. 典型規(guī)格參數(shù)
參數(shù) | 說明 |
---|---|
封裝尺寸 | 1206(長(zhǎng)3.2mm × 寬1.6mm × 高1.2mm,具體高度因設(shè)計(jì)而異) |
電感值 | 100μH(±10%、±20%等公差,需根據(jù)型號(hào)確認(rèn)) |
直流電阻(DCR) | 通常為幾十毫歐至幾百毫歐(如0.2Ω~1Ω),低DCR可降低功率損耗 |
飽和電流(Isat) | 典型值:0.5A~1.5A(具體取決于磁芯材料和繞線設(shè)計(jì)) |
溫升電流(Irms) | 典型值:0.3A~1A(指電感溫升不超過額定值時(shí)的電流) |
自諧振頻率(SRF) | 通常為10MHz~50MHz(高頻應(yīng)用需關(guān)注此參數(shù)) |
工作溫度范圍 | -40℃~+125℃(部分工業(yè)級(jí)產(chǎn)品可達(dá)-55℃~+155℃) |
2. 耐電流能力
飽和電流(Isat):電感在磁芯飽和前的最大電流。超過此值,電感值會(huì)急劇下降。
溫升電流(Irms):電感在額定溫升(如40℃)下的最大電流。超過此值可能導(dǎo)致過熱。
示例:
某型號(hào)1206/100μH電感,Isat=1A,Irms=0.8A,表示在1A電流下電感值開始下降,在0.8A電流下溫升不超過額定值。
3. 選型建議
高電流應(yīng)用:選擇Isat和Irms較大的型號(hào),如Isat≥1.5A,Irms≥1A。
高頻應(yīng)用:關(guān)注SRF參數(shù),確保自諧振頻率高于工作頻率。
溫度要求:根據(jù)環(huán)境溫度選擇合適的工作溫度范圍。
4. 注意事項(xiàng)
實(shí)際耐電流能力需參考具體型號(hào)的Datasheet。
電流過大可能導(dǎo)致電感過熱、損壞或性能下降。
需結(jié)合電路設(shè)計(jì)(如峰值電流、平均電流)選擇合適的電感。
如需具體型號(hào)推薦,可參考Murata、TDK、Würth Elektronik等廠商的產(chǎn)品目錄,或提供具體應(yīng)用需求(如電流、頻率、環(huán)境溫度等)以獲取更精準(zhǔn)的建議。
責(zé)任編輯:Pan
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