DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和FRAM（鐵電隨機存儲器）之間的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個方面：

一、存儲特性

1. DRAM：

• 是易失性存儲器，即當(dāng)電源關(guān)閉時，DRAM中存儲的數(shù)據(jù)會丟失。

• 需要定期刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)，這是因為DRAM中的電容器會隨時間逐漸放電。

2. FRAM：

• 是非易失性存儲器，可以在失去電力的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)不變。

• 其存儲原理基于鐵電材料的極化特性，當(dāng)施加電壓時，鐵電材料中的原子會發(fā)生位移，產(chǎn)生極化現(xiàn)象，這種極化狀態(tài)在停止施加電壓后仍能保持不變，因此可以用來表示二進制數(shù)據(jù)。

二、讀寫速度

1. DRAM：

• 讀寫速度非?？?，是計算機主內(nèi)存的首選，能夠支持高速的數(shù)據(jù)處理。

2. FRAM：

• 同樣具有快速的讀寫速度，甚至在某些情況下，其寫入速度可以超過DRAM。

• FRAM的讀寫操作幾乎無延時，這使其在需要頻繁讀寫操作的應(yīng)用中具有優(yōu)勢。

三、功耗

1. DRAM：

• 需要不斷刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)，這在一定程度上增加了功耗。

• 盡管讀寫功耗相對較低，但待機狀態(tài)下的功耗可能較高。

2. FRAM：

• 在待機狀態(tài)下的電流消耗非常低，有助于延長電池供電設(shè)備的電池壽命。

• 讀寫操作也相對較低功耗。

四、壽命與耐久性

1. DRAM：

• 壽命受到刷新操作和其他因素的影響，但通常也足夠長以滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求。

• 不過，長時間使用后可能會出現(xiàn)性能下降或數(shù)據(jù)丟失的情況。

2. FRAM：

• 寫入壽命非常高，例如有的鐵電存儲器寫入壽命高達數(shù)百億次。

• 這意味著FRAM可以承受大量的讀寫操作而不會損壞，具有高耐久性。

五、價格與應(yīng)用領(lǐng)域

1. DRAM：

• 是目前最pian宜的存儲器類型之一，廣泛應(yīng)用于計算機主內(nèi)存、服務(wù)器、智能手機等領(lǐng)域。

2. FRAM：

• 目前價格相對較高，主要應(yīng)用于對可靠性要求較高的領(lǐng)域，如汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動化等。

• 隨著技術(shù)的進步和產(chǎn)量的增加，F(xiàn)RAM的價格有望逐漸降低，從而拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。

綜上所述，DRAM和FRAM在存儲特性、讀寫速度、功耗、壽命與耐久性以及價格與應(yīng)用領(lǐng)域等方面都存在顯著差異。選擇哪種存儲器取決于具體的應(yīng)用需求，例如需要高速數(shù)據(jù)處理且對價格敏感的應(yīng)用可能會選擇DRAM，而需要非易失性存儲且對功耗和耐久性有較高要求的應(yīng)用則可能會選擇FRAM。