鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種利用鐵電材料的極化特性來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。以下是鐵電存儲(chǔ)器的主要類型和一些常見型號(hào)：

一、類型

1. 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FeRAM）

• FeRAM是一種與DRAM結(jié)構(gòu)類似的非易失存儲(chǔ)器，其基本結(jié)構(gòu)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成（1T1C），只是用鐵電電容器代替了介電電容器。

• 存儲(chǔ)原理：基于鐵電材料的高介電常數(shù)和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出（DRO）和非破壞性讀出（NDRO）。

• 優(yōu)點(diǎn)：高速讀寫、低功耗、數(shù)據(jù)非易失性。

2. 鐵電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric FET, FeFET）

• FeFET是在MOSFET的基礎(chǔ)上，把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數(shù)的鐵電材料得到的。

• 存儲(chǔ)原理：通過柵極極化狀態(tài)（±Pr）實(shí)現(xiàn)對來自源-漏電流的調(diào)制，從而讀出所存儲(chǔ)的信息，而無需使柵極的極化狀態(tài)反轉(zhuǎn)。

• 優(yōu)點(diǎn)：非破壞性讀取、非易失性、高速寫入、高耐受度、低功耗。

3. 鐵電隧道結(jié)（Ferroelectric tunnel junction, FTJ）

• FTJ由幾個(gè)晶胞厚度的鐵電薄膜夾在兩個(gè)不同的電極中間構(gòu)成，具有隧穿電致阻變效應(yīng)。

• 存儲(chǔ)原理：通過外加場改變中間超薄鐵電層的極化方向，從而引起FTJ電阻的變化。

• 特點(diǎn)：基于憶阻器原理，是一種有記憶功能的非線性電阻器。

二、常見型號(hào)

1. FM系列（Ramtron/Cypress）

• 如FM24C02、FM24C04、FM24C64等，這些型號(hào)具有不同的存儲(chǔ)容量和封裝形式。

• Ramtron（后被Cypress收購）是最早成功制造出FeRAM的廠商之一。

2. MB系列（富士通）

• 如MB85RS128T、MB85RS256T等，這些型號(hào)同樣具有不同的存儲(chǔ)容量和特性。

• 富士通也是鐵電存儲(chǔ)器的重要生產(chǎn)商之一。

3. 其他型號(hào)

• 如TOSHIBA與INFINEON合作開發(fā)的存儲(chǔ)容量達(dá)到32Mb的FeRAM，以及Matsushita公司推出的采用0.18μm工藝大批量制造的FeRAM嵌入式系統(tǒng)芯片（SOC）等。

• 這些型號(hào)展示了鐵電存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)容量、制造工藝和系統(tǒng)集成方面的不斷進(jìn)步。

三、注意事項(xiàng)

• 在選擇鐵電存儲(chǔ)器時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求（如存儲(chǔ)容量、讀寫速度、功耗、封裝形式等）進(jìn)行權(quán)衡和優(yōu)化。

• 不同廠商和型號(hào)的鐵電存儲(chǔ)器可能具有不同的特性和性能參數(shù)，因此在購買和使用前需要仔細(xì)查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊和技術(shù)文檔。

綜上所述，鐵電存儲(chǔ)器具有多種類型和型號(hào)可供選擇，每種類型和型號(hào)都具有其獨(dú)特的特性和應(yīng)用場景。在選擇時(shí)，需要根據(jù)具體需求進(jìn)行綜合考慮和評估。