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安森美BSS138場效應(yīng)管(MOSFET) 1個N溝道 耐壓:50V 電流:220mA介紹

來源:
2024-12-13
類別:基礎(chǔ)知識
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美BSS138場效應(yīng)管(MOSFET)詳細(xì)介紹

安森美(ON Semiconductor)的BSS138是一款N溝道MOSFET,其在電子設(shè)計和電路應(yīng)用中非常常見。作為一款低功耗、高效能的小型場效應(yīng)管,BSS138廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電流限制、邏輯電路以及其他各種數(shù)字和模擬電路中。它的主要特點包括最大耐壓50V、最大漏極電流220mA等,適用于低電壓和小電流的應(yīng)用場景。

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1. BSS138的基本介紹

BSS138是一款典型的N溝道增強型場效應(yīng)管(MOSFET),它采用小封裝設(shè)計,常見的封裝形式為SOT-23封裝。N溝道MOSFET的工作原理是基于電子在半導(dǎo)體材料中的遷移行為,當(dāng)施加在柵極上的電壓足夠高時,形成一個導(dǎo)電通道,允許電子從源極流向漏極,從而控制電流的流動。

作為MOSFET的一種,BSS138具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,這使得它在低功耗應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。其較低的開關(guān)損耗使得它特別適合用于需要高頻開關(guān)操作的場景,如PWM控制、邏輯門電路等。

2. BSS138的主要參數(shù)

BSS138的主要技術(shù)參數(shù)為:

  • 最大耐壓:50V。這意味著在柵極電壓為0V時,它的漏極電壓最大能夠承受50V的電壓。

  • 最大漏極電流:220mA。這是BSS138所能承受的最大電流強度,如果超過這個值,可能會導(dǎo)致芯片損壞。

  • 柵極閾值電壓:1.3V~3.0V。柵極電壓在此范圍內(nèi),MOSFET開始由關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。這個特性使得BSS138在低電壓環(huán)境下可以進行有效工作。

  • 導(dǎo)通電阻(Rds(on)):通常在幾個歐姆的數(shù)量級,具體數(shù)值依賴于柵極電壓。較低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗。

3. 工作原理與特性

工作原理

BSS138是一種N溝道增強型MOSFET,它的工作原理基于半導(dǎo)體材料中電子的遷移。當(dāng)給柵極施加電壓時,柵極和源極之間形成一個電場,控制源極和漏極之間的導(dǎo)電通道。如果柵極電壓大于某一閾值電壓,源極與漏極之間的通道將導(dǎo)通,允許電子流動;如果柵極電壓小于閾值電壓,則通道將關(guān)閉,電流無法流動。

對于N溝道MOSFET來說,柵極電壓控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極電壓為0V時,MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài),漏極和源極之間沒有電流流動。隨著柵極電壓升高,MOSFET開始導(dǎo)通,電流可以從源極流向漏極。隨著柵極電壓的進一步提高,導(dǎo)通電阻逐漸減小,電流流動更加順暢。

特性與優(yōu)勢

  1. 低導(dǎo)通電阻:BSS138具有較低的導(dǎo)通電阻,在較低柵極電壓下仍能夠保持良好的電流導(dǎo)通特性。這使得它在功率效率要求較高的電路中非常適用。

  2. 小型封裝:BSS138采用SOT-23封裝,體積小巧,適合用于空間受限的應(yīng)用場合,如移動設(shè)備、便攜式電源等。

  3. 低門檻電壓:BSS138的柵極閾值電壓較低(通常在1.3V~3.0V范圍內(nèi)),因此能夠在較低的電壓條件下導(dǎo)通,適合用于低電壓工作環(huán)境。

  4. 高開關(guān)頻率:BSS138具有較高的開關(guān)頻率,在數(shù)字電路中可以快速響應(yīng),適合用于高頻開關(guān)操作。

  5. 耐壓能力:雖然BSS138的最大耐壓為50V,但對于大多數(shù)低壓電子應(yīng)用來說,這已經(jīng)足夠滿足需求。它的耐壓能力使得它適用于一些需要較高電壓的場合。

4. BSS138的典型應(yīng)用

4.1 電流限制電路

BSS138常用于電流限制電路中,尤其是在一些低功率設(shè)備中。當(dāng)電路中的電流超過設(shè)定的閾值時,BSS138能夠通過限制電流流動來保護電路不被損壞。例如,在電池充電器中,BSS138可以用于限制電池充電時的電流強度,以防止電池過熱或損壞。

4.2 邏輯電路中的開關(guān)元件

在許多數(shù)字電路中,BSS138可以作為開關(guān)元件使用。例如,在邏輯門電路中,BSS138可用于控制信號的流動。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時,它將導(dǎo)通,允許信號通過;否則,信號被阻斷。BSS138的快速響應(yīng)和低功耗特性使它非常適合這類應(yīng)用。

4.3 電源管理與穩(wěn)壓

BSS138在電源管理中也具有廣泛應(yīng)用。例如,它可以用作PWM調(diào)節(jié)電路中的開關(guān)元件,通過控制導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)來調(diào)節(jié)電壓和電流。由于其較低的導(dǎo)通電阻,BSS138在此類應(yīng)用中能夠有效減少功耗和發(fā)熱,提高系統(tǒng)效率。

4.4 電池保護電路

BSS138常用于電池保護電路中,尤其是在對電池進行過充、過放和短路保護時。通過在電池回路中加入BSS138,能夠有效地防止電池電壓過低或過高,進而保護電池不受損壞。例如,在鋰電池充電器中,BSS138能夠保護電池防止過度充電和放電,延長電池的使用壽命。

4.5 邏輯電平轉(zhuǎn)換

BSS138常用于不同電壓級別之間的邏輯電平轉(zhuǎn)換。由于其低閾值電壓和較小的導(dǎo)通電阻,BSS138可以用作電平轉(zhuǎn)換器,在不同電壓的邏輯信號之間進行有效轉(zhuǎn)換。

5. BSS138的優(yōu)缺點

優(yōu)點

  1. 低功耗:BSS138在導(dǎo)通時具有非常低的導(dǎo)通電阻,能夠減少功率損耗,特別適合低功耗電路。

  2. 快速開關(guān)特性:由于其較小的封裝和高開關(guān)速度,BSS138非常適合用于高頻開關(guān)電路。

  3. 較低的柵極閾值電壓:BSS138能夠在較低電壓下工作,因此可以用于低電壓控制的應(yīng)用。

  4. 小型封裝:SOT-23封裝的BSS138非常適合用于空間受限的應(yīng)用,特別是移動設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。

缺點

  1. 較低的最大漏極電流:BSS138的最大漏極電流為220mA,這限制了它在需要大電流的應(yīng)用中的使用。

  2. 較低的耐壓:盡管50V的最大耐壓對于許多應(yīng)用來說足夠,但在一些高電壓環(huán)境下,BSS138可能不夠可靠。

6. 總結(jié)

安森美BSS138是一款小型、高效能的N溝道MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻、較低的柵極閾值電壓、較高的開關(guān)速度等優(yōu)點。它適用于多種低功耗、高頻開關(guān)的應(yīng)用,如電源管理、電流限制、邏輯電平轉(zhuǎn)換等。雖然它的最大漏極電流和耐壓較低,但在許多常見的低功耗電路中,BSS138已經(jīng)足夠滿足需求。隨著電子設(shè)備對功耗的要求日益嚴(yán)格,BSS138作為一種小型而高效的MOSFET,將在未來的電子設(shè)計中繼續(xù)發(fā)揮重要作用。


責(zé)任編輯:David

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