碳化硅二極管芯片相較于硅二極管芯片更耐用。以下是對(duì)兩者耐用性的詳細(xì)對(duì)比：

一、耐高溫性能

• 碳化硅（SiC）二極管：能在高達(dá)200°C（甚至更高）的溫度下運(yùn)行而不影響性能，這得益于其出色的耐高溫特性。

• 硅（Si）二極管：在85°C左右就開(kāi)始性能下降，無(wú)法像SiC二極管那樣在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定。

二、熱導(dǎo)率與散熱能力

• 碳化硅二極管：熱導(dǎo)率幾乎是硅二極管的3.5倍，意味著每單位面積可以耗散更多的功率（熱量），從而提高了器件的耐用性和可靠性。

• 硅二極管：熱導(dǎo)率相對(duì)較低，散熱能力不如SiC二極管，可能導(dǎo)致器件在高溫下性能下降或損壞。

三、反向恢復(fù)損耗與功率損耗

• 碳化硅二極管：反向恢復(fù)損耗幅度較低，可以大大提高功率轉(zhuǎn)換器的效率。此外，SiC二極管在反向偏壓下會(huì)由于其固有電容放電而產(chǎn)生反向電流尖峰，但其峰值仍比P-N結(jié)二極管低一個(gè)數(shù)量級(jí)，意味著二極管和相應(yīng)開(kāi)關(guān)晶體管的功耗都更低。

• 硅二極管：反向恢復(fù)損耗較高，且隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加而增大。此外，硅二極管在反向偏壓下會(huì)產(chǎn)生較大的反向電流尖峰，導(dǎo)致功率損耗增加。

四、耐用性與服務(wù)壽命

• 碳化硅二極管：不僅能在惡劣的環(huán)境下穩(wěn)定工作，而且比硅二極管有更長(zhǎng)的服務(wù)壽命。這意味著在產(chǎn)品整個(gè)生命周期內(nèi)，使用SiC二極管可以減少更換頻率，降低維護(hù)成本。

• 硅二極管：耐用性相對(duì)較差，可能需要在較短的周期內(nèi)進(jìn)行更換或維修。

五、應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛性

• 碳化硅二極管：由于其出色的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、航空、電動(dòng)汽車(chē)充電器、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域通常要求器件具有高溫、高電壓和高功率處理能力。

• 硅二極管：雖然也廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，但在面對(duì)高溫、高電壓和高功率等極端條件時(shí)，其性能可能不如SiC二極管。

綜上所述，碳化硅二極管芯片在耐高溫性能、熱導(dǎo)率與散熱能力、反向恢復(fù)損耗與功率損耗以及耐用性與服務(wù)壽命等方面均優(yōu)于硅二極管芯片。因此，可以認(rèn)為碳化硅二極管芯片更耐用。