Onsemi MMBZ5231BLT1G表面安裝齊納二極管中文詳細(xì)資料

一、型號(hào)與類(lèi)型

型號(hào)：MMBZ5231BLT1G

類(lèi)型：表面安裝齊納二極管（Surface Mount Zener Diode）

　　廠商名稱(chēng)：Onsemi

　　元件分類(lèi)：穩(wěn)壓二極管

　　中文描述： 穩(wěn)壓二極管,5.1 V,225 mW,SOT-23,3引腳,150°C,表面安裝

　　英文描述： Zener Single Diode,5.1 V,225 mW,SOT-23,5%,3 Pins,150°C

　　數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-23941396-MMBZ5231BLT1G.html

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　　MMBZ5231BLT1G概述

　　MMBZ5231BLT1G是一款表面安裝齊納二極管,設(shè)計(jì)用于電壓調(diào)節(jié),僅需很小的空間.非常適用于手機(jī),手提便攜式設(shè)備和高密度PC板等應(yīng)用.

　　FR-4或FR-5板,額定功率為225mW

　　小封裝尺寸,適用于高密度應(yīng)用

　　靜電保護(hù)等級(jí)class 3(＞16kV),人體模型

　　符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),PPAP功能

　　不含鉛,鹵素/BFR

　　應(yīng)用

　　消費(fèi)電子產(chǎn)品,便攜式器材

　　MMBZ5231BLT1G中文參數(shù)

　　MMBZ5231BLT1G引腳圖

二、工作原理

1. 齊納二極管的基本概念

齊納二極管，又稱(chēng)穩(wěn)壓二極管或擊穿二極管，是一種具有特殊設(shè)計(jì)以限制反向電壓的特殊二極管。與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管相比，齊納二極管在反向電壓達(dá)到其額定電壓（Vz，也稱(chēng)為齊納電壓）時(shí)，會(huì)發(fā)生反向擊穿現(xiàn)象，但并不損壞，而是允許電流流過(guò)，從而將反向電壓鉗制在接近其額定電壓的穩(wěn)定值上。

2. 工作模式

• 正向偏置：當(dāng)齊納二極管的正極（陽(yáng)極）相對(duì)于負(fù)極（陰極）加正向電壓時(shí)，其行為與普通二極管相似，即電流通過(guò)二極管，呈現(xiàn)低電阻狀態(tài)。

• 反向偏置：當(dāng)反向電壓低于齊納電壓時(shí)，齊納二極管表現(xiàn)為高阻態(tài)，幾乎無(wú)電流通過(guò)。一旦反向電壓達(dá)到或超過(guò)齊納電壓，二極管將發(fā)生反向擊穿，進(jìn)入反向?qū)顟B(tài)，電流急劇增加，但電壓幾乎保持不變，即為齊納電壓。

3. Avalanche Breakdown過(guò)程

當(dāng)齊納二極管兩端的反向電壓超過(guò)其額定電壓時(shí)，會(huì)發(fā)生雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）。在此過(guò)程中，半導(dǎo)體耗盡層中的載流子倍增，導(dǎo)致電流急劇增加，以限制電壓的進(jìn)一步增加。這使得齊納二極管在反向擊穿狀態(tài)下能維持一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的電壓。

三、特點(diǎn)

1. 穩(wěn)定電壓：齊納二極管最顯著的特點(diǎn)是能在反向擊穿狀態(tài)下維持一個(gè)幾乎恒定的電壓，這一特性使得它在電壓穩(wěn)定器應(yīng)用中尤為重要。

2. 低功耗：MMBZ5231BLT1G的額定功率為225mW，適合在低功耗電路中使用。

3. 小封裝：采用SOT-23封裝，體積小，非常適合高密度集成電路應(yīng)用，如手機(jī)、便攜式設(shè)備等。

4. 高溫工作能力：最大工作溫度可達(dá)150°C，適用于高溫環(huán)境下的電子設(shè)備。

5. 高靜電保護(hù)等級(jí)：靜電保護(hù)等級(jí)class 3(>16kV)，人體模型，增加了元件在靜電環(huán)境下的可靠性。

6. 環(huán)保特性：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鉛和鹵素等有害物質(zhì)，有利于環(huán)保。

四、應(yīng)用

1. 電壓穩(wěn)定器：齊納二極管廣泛應(yīng)用于各種電壓穩(wěn)定器電路中，以防止電壓波動(dòng)對(duì)電路性能的影響。在電源電路中加入齊納二極管，可以確保輸出電壓穩(wěn)定在齊納電壓附近。

2. 電源管理：在手機(jī)、筆記本電腦等便攜式設(shè)備中，齊納二極管常用于電源管理電路中，保護(hù)電池和電路免受電壓突變的損害。

3. 汽車(chē)電子：由于其高溫工作能力和良好的靜電保護(hù)性能，MMBZ5231BLT1G也適用于汽車(chē)電子系統(tǒng)，如發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)、安全系統(tǒng)等。

4. 信號(hào)整形：在數(shù)字電路中，齊納二極管可用于信號(hào)整形，將超出設(shè)定電壓范圍的信號(hào)鉗制在預(yù)定電平，以改善信號(hào)質(zhì)量。

5. 過(guò)壓保護(hù)：在電源或信號(hào)輸入端加入齊納二極管，可以有效防止因過(guò)電壓導(dǎo)致的電路損壞。

五、參數(shù)

制造商：Onsemi

元件分類(lèi)：穩(wěn)壓二極管

主要參數(shù)：

• 齊納電壓（Vz）：5.1V（±5%容差）

• 功率耗散（Pd）：225mW

• 封裝類(lèi)型：SOT-23-3

• 針腳數(shù)：3引腳

• 最小工作溫度：-65°C

• 最大工作溫度：+150°C

• 齊納電流（Iz）：5μA（在指定條件下）

• 反向漏電流（Ir）：5μA（在指定電壓下）

• 阻抗（Zzt）：17 Ohms（最大值）

• 正向電壓（Vf）：900mV @ 10mA（典型值）

• 反向泄漏電流：5μA @ 2V（典型值）

六、詳細(xì)參數(shù)解讀

1. 齊納電壓（Vz）

齊納電壓是齊納二極管最重要的參數(shù)之一，它決定了二極管在反向擊穿狀態(tài)下維持的電壓值。MMBZ5231BLT1G的齊納電壓為5.1V，適用于需要穩(wěn)定在此電壓值的電路。

2. 功率耗散（Pd）

功率耗散（Pd）是指齊納二極管在工作時(shí)所能承受的最大功率，超過(guò)此值可能會(huì)導(dǎo)致二極管過(guò)熱而損壞。MMBZ5231BLT1G的功率耗散為225mW，這意味著在設(shè)計(jì)電路時(shí)，需要確保通過(guò)二極管的電流和電壓的乘積不超過(guò)此值，以保證其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

3. 封裝類(lèi)型與引腳數(shù)

MMBZ5231BLT1G采用SOT-23-3封裝，這是一種小型化的表面貼裝封裝，非常適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。SOT-23封裝具有三個(gè)引腳，分別為陽(yáng)極（正極）、陰極（負(fù)極）和接地（在某些應(yīng)用中可能作為參考點(diǎn)或未連接）。這種封裝形式不僅減小了元件的體積，還提高了電路板的組裝密度和可靠性。

4. 工作溫度范圍

MMBZ5231BLT1G的工作溫度范圍從-65°C到+150°C，這顯示了其出色的耐高溫性能。這種寬溫度范圍使得該二極管能夠在極端環(huán)境條件下工作，如汽車(chē)電子系統(tǒng)中的發(fā)動(dòng)機(jī)艙內(nèi)，或者工業(yè)控制設(shè)備中的高溫區(qū)域。

5. 齊納電流（Iz）與反向漏電流（Ir）

齊納電流（Iz）是指在齊納電壓下通過(guò)二極管的電流，而反向漏電流（Ir）則是在反向電壓低于齊納電壓時(shí)通過(guò)二極管的微小電流。對(duì)于MMBZ5231BLT1G來(lái)說(shuō)，這兩個(gè)參數(shù)的值都很?。ㄍǔ閹孜玻?，這有助于減少不必要的功耗和熱量產(chǎn)生。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體電路的要求來(lái)選擇合適的齊納電流和反向漏電流值。

6. 阻抗（Zzt）

阻抗（Zzt）是齊納二極管在反向擊穿狀態(tài)下的動(dòng)態(tài)電阻，它反映了二極管在維持齊納電壓時(shí)對(duì)抗電流變化的能力。MMBZ5231BLT1G的阻抗值較低（最大17歐姆），這意味著在反向擊穿狀態(tài)下，二極管能夠較好地限制電流的變化，從而保持電壓的穩(wěn)定。

7. 正向電壓（Vf）

正向電壓（Vf）是指當(dāng)二極管正向偏置時(shí)，通過(guò)一定電流（如10mA）所需的電壓。對(duì)于MMBZ5231BLT1G來(lái)說(shuō)，其正向電壓的典型值為0.9V（在10mA電流下）。這個(gè)參數(shù)在二極管作為正向?qū)щ娫r(shí)非常重要，因?yàn)樗鼪Q定了二極管在正向偏置下的功耗和效率。

七、選型與電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

1. 選型：在選擇MMBZ5231BLT1G或其他齊納二極管時(shí)，首先需要確定所需的齊納電壓和功率耗散。此外，還需要考慮封裝類(lèi)型、引腳配置以及工作環(huán)境溫度等因素。

2. 電路設(shè)計(jì)：在電路設(shè)計(jì)中，應(yīng)確保齊納二極管的正負(fù)極連接正確，并為其提供足夠的散熱措施以防止過(guò)熱。同時(shí)，還需要注意與其他元件的電氣隔離和信號(hào)完整性。

3. 保護(hù)措施：為了防止齊納二極管因過(guò)流或過(guò)壓而損壞，可以在其兩端并聯(lián)適當(dāng)?shù)南蘖麟娮杌虮Ｗo(hù)元件（如瞬態(tài)電壓抑制器TVS）。

4. 測(cè)試與驗(yàn)證：在電路設(shè)計(jì)和制造完成后，需要進(jìn)行充分的測(cè)試和驗(yàn)證以確保齊納二極管能夠正常工作并滿足設(shè)計(jì)要求。這包括測(cè)量齊納電壓、功率耗散、正向電壓等參數(shù)以及進(jìn)行環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試等。

綜上所述，MMBZ5231BLT1G作為一款高性能的表面安裝齊納二極管，在電壓穩(wěn)定、低功耗、高溫工作以及環(huán)保等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。通過(guò)合理的選型和電路設(shè)計(jì)，可以充分發(fā)揮其性能特點(diǎn)并滿足各種應(yīng)用需求。