Onsemi NVR5198NLT1G MOS管中文資料

一、引言

Onsemi（安森美）作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先制造商，其生產(chǎn)的NVR5198NLT1G MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）在汽車電子、電源管理、工業(yè)控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。本文將詳細介紹NVR5198NLT1G MOS管的型號類型、工作原理、特點、應(yīng)用以及主要參數(shù)，以期為讀者提供全面的了解。

　　廠商名稱：Onsemi

　　元件分類：MOS管

　　中文描述： 功率場效應(yīng)管,MOSFET,AEC-Q101,N通道,60 V,2.2 A,0.107 ohm,SOT-23,表面安裝

　　英文描述： MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

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　　NVR5198NLT1G概述

　　NVR5198NLT1G是車規(guī)級功率MOSFET，60V，155 mΩ，單N溝道，邏輯電平，SOT?23 AEC-Q101認證且具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)功能，適用于汽車應(yīng)用。

　　特性

　　小尺寸工業(yè)標準表面貼裝SOT-23封裝

　　低rDS(on)，可降低傳導(dǎo)損耗并提高效率

　　通過AECQ101認證和PPAP能力

　　符合RoHS標準

　　應(yīng)用

　　鋰離子電池的平衡

　　負載開關(guān)

　　終端產(chǎn)品

　　混合動力汽車/電動汽車

　　汽車信息娛樂系統(tǒng)

　　NVR5198NLT1G中文參數(shù)

　　NVR5198NLT1G引腳圖

二、型號類型

NVR5198NLT1G是一款車規(guī)級功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），具體為N溝道增強型MOSFET。其型號中的“NVR”前綴通常用于表示該產(chǎn)品適用于汽車及其他需要獨特站點和控制變更要求的應(yīng)用。此外，NVR5198NLT1G通過了AEC-Q101認證，并具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)功能，進一步保證了其在汽車應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。

三、工作原理

MOSFET是一種具有絕緣柵的場效應(yīng)晶體管，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。NVR5198NLT1G作為N溝道增強型MOSFET，其工作原理主要基于MOS電容的特性。當漏源電壓（VDS）連接在漏極和源極之間時，正電壓施加到漏極，負電壓施加到源極。此時，漏極的PN結(jié)是反向偏置的，而源極的PN結(jié)是正向偏置的，因此漏極和源極之間不會有任何電流流動。

然而，當正電壓（VGG）施加到柵極端子時，由于靜電引力，P襯底中的少數(shù)電荷載流子（電子）將開始積聚在柵極觸點上，從而在兩個n+區(qū)域之間形成導(dǎo)電橋。在柵極接觸處積累的自由電子的數(shù)量取決于施加的正電壓的強度。施加的電壓越高，由于電子積累而形成的n溝道寬度越大，這最終會增加電導(dǎo)率，并且漏極電流（ID）將開始在源極和漏極之間流動。這就是NVR5198NLT1G作為N溝道增強型MOSFET的基本工作原理。

四、特點

1. 小尺寸工業(yè)標準表面貼裝：NVR5198NLT1G采用SOT-23封裝，尺寸小巧，便于在PCB板上進行表面貼裝，提高了設(shè)計的靈活性和緊湊性。

2. 低rDS(on)值：漏源導(dǎo)通電阻（rDS(on)）為155mΩ，較低的導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高電路效率。

3. 寬溫度范圍：支持的工作溫度范圍為-55°C至+150°C，滿足各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。

4. AEC-Q101認證：經(jīng)過嚴格的汽車級質(zhì)量認證，確保在汽車電子應(yīng)用中的高可靠性和耐久性。

5. 符合RoHS標準：產(chǎn)品符合環(huán)保要求，無鉛、無鹵、無溴化阻燃劑，符合國際環(huán)保法規(guī)。

五、應(yīng)用

NVR5198NLT1G因其優(yōu)異的性能和可靠性，在汽車領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。主要包括但不限于以下幾個方面：

1. 鋰離子電池的平衡：在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)中，NVR5198NLT1G可用于實現(xiàn)電池單體之間的電壓平衡，確保電池組的整體性能和安全性。

2. 負載開關(guān)：在汽車電子控制單元（ECU）和其他電源管理系統(tǒng)中，NVR5198NLT1G可作為負載開關(guān)使用，通過控制電路的通斷來實現(xiàn)對負載設(shè)備的電源管理。

3. 汽車信息娛樂系統(tǒng)：在車載音響、導(dǎo)航系統(tǒng)等信息娛樂設(shè)備中，NVR5198NLT1G可用于電源控制和信號切換，提高系統(tǒng)的整體性能和用戶體驗。

六、主要參數(shù)

1. 漏源極擊穿電壓（Vdss）：60V，表示MOSFET在漏極和源極之間能承受的最大電壓。

2. 連續(xù)漏極電流（Id）：在25°C時，最大連續(xù)漏極電流為2.2A。這是MOSFET在連續(xù)工作狀態(tài)下允許通過的最大電流。

3. 柵源極閾值電壓（Vgs th）：在25°C時，約為1.5V。這是使MOSFET開始導(dǎo)通所需的最小柵極-源極電壓。

4. **漏源導(dǎo)通電阻

   （Rds(on)）**：155mΩ（典型值，在Vgs=4.5V，Id=1.5A時測量），這一參數(shù)決定了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗和效率。較低的Rds(on)意味著更低的導(dǎo)通損耗，從而提高了整體電路的效率。

5. 柵極電荷（Qg）：柵極電荷是MOSFET在開關(guān)過程中需要充放電的電荷量，它影響了MOSFET的開關(guān)速度和功耗。NVR5198NLT1G的柵極電荷相對較低，有助于實現(xiàn)快速開關(guān)和降低功耗。

6. 總門極電荷（Qgd）：總門極電荷中的Qgd部分代表了柵極到漏極的電荷，它會影響MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能。較低的Qgd有助于減少在高頻開關(guān)過程中產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）。

7. 開關(guān)時間：包括上升時間（tr）和下降時間（tf）。上升時間是從柵極電壓開始增加到MOSFET完全導(dǎo)通所需的時間；下降時間則是從柵極電壓開始降低到MOSFET完全截止所需的時間。NVR5198NLT1G具有較短的開關(guān)時間，適用于需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場景。

8. 最大功耗（Pd）：在給定的工作條件下，MOSFET能夠安全承受的最大功耗。對于NVR5198NLT1G，其最大功耗受限于封裝熱阻和允許的最大結(jié)溫。

9. 熱阻（RθJA, RθJC）：熱阻是衡量MOSFET散熱性能的重要參數(shù)。RθJA表示從結(jié)點到周圍環(huán)境的熱阻，而RθJC則表示從結(jié)點到封裝外殼的熱阻。這些參數(shù)對于評估MOSFET在不同散熱條件下的工作溫度至關(guān)重要。

10. 封裝類型：SOT-23，這是一種緊湊且易于安裝的表面貼裝封裝，適合高密度PCB設(shè)計。

七、總結(jié)與展望

NVR5198NLT1G作為Onsemi推出的一款高性能車規(guī)級N溝道增強型MOSFET，憑借其低Rds(on)、高可靠性、寬溫度范圍以及符合AEC-Q101認證等優(yōu)勢，在汽車電子、電源管理、工業(yè)控制等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。其小尺寸的表面貼裝封裝也進一步提升了設(shè)計的靈活性和緊湊性。

隨著汽車電子化、智能化程度的不斷提升，對功率半導(dǎo)體器件的性能要求也越來越高。NVR5198NLT1G作為一款專為汽車電子設(shè)計的MOSFET，不僅滿足了當前的需求，也為未來汽車電子系統(tǒng)的發(fā)展提供了有力支持。未來，隨著新能源汽車、自動駕駛等技術(shù)的不斷發(fā)展，相信NVR5198NLT1G及其同類產(chǎn)品將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

同時，隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷進步，我們也有理由期待Onsemi等半導(dǎo)體制造商能夠推出更多性能更優(yōu)異、成本更低廉的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，為各行各業(yè)的發(fā)展提供更加強勁的動力。