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ADI HMC8038LP4CETR射頻開關(guān)中文資料

來源:
2024-08-02
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 1
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ADI HMC8038LP4CETR射頻開關(guān)中文資料

一、型號(hào)與類型

HMC8038LP4CETR是Analog Devices Inc.(亞德諾半導(dǎo)體公司)生產(chǎn)的一款高性能射頻(RF)開關(guān)芯片。該芯片屬于RF/IF(射頻/中頻)和RFID(射頻識(shí)別)類別中的射頻開關(guān)系列,具體為單刀雙擲(SPDT)開關(guān)類型。其封裝形式為無引腳、表貼封裝,即LFCSP(Lead Frame Chip Scale Package),尺寸為4 mm × 4 mm,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),是一款無鉛、環(huán)保型產(chǎn)品。

HMC8038LP4CETR圖片

  廠商名稱:ADI

  元件分類:射頻開關(guān)

  中文描述: 射頻開關(guān),硅,SPDT,100MHz至6GHz,3.3V至5V電源,-40至105°C,LFCSP-EP-16

  英文描述: RF Switch ICs High isolation,non-reflective,single s

  數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k01-24301910-HMC8038LP4CETR.html

  在線購(gòu)買:立即購(gòu)買

  HMC8038LP4CETR概述

  HMC8038是一款高隔離、無反射、0.1GHz至6GHz、硅單刀雙擲(SPDT)開關(guān),采用無鉛表面貼裝封裝。該開關(guān)是蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的理想之選,具有高達(dá)62dB的隔離度(最高4GHz)、低至0.8dB的插入損耗(最高4GHz)和60dBm的輸入三階截取。功率處理能力出色,最高可達(dá)6GHz,0.1dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)的輸入功率為35dBm(VDD=5V)。片上電路可在極低的直流電流下操作3.3V至5V的單一正電源電壓,以及0V至1.8V/3.3V/5V的單一正電壓控制。使能輸入(EN)設(shè)置為邏輯高電平時(shí),開關(guān)處于全關(guān)狀態(tài),此時(shí)RFC反射。它廣泛應(yīng)用于蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施、無線基礎(chǔ)設(shè)施、汽車遠(yuǎn)程信息處理、移動(dòng)無線電、測(cè)試設(shè)備等。

  無反射、50歐姆設(shè)計(jì)

  高隔離度,典型值為60dB

  通過路徑的高功率處理能力為34dBm,終端路徑為29dBm

  4KV人體模型(HBM),3A級(jí)

  1.25KV帶電設(shè)備模型(CDM)

  1.8V兼容控制,全關(guān)斷狀態(tài)控制

  引腳與HMC849ALP4CE兼容

  VDD=3.3V時(shí)的典型電源電流為0.14mA

  工作溫度為-40°C至+105°C

  封裝樣式為16引線引線框架芯片級(jí)

  HMC8038LP4CETR中文參數(shù)

制造商:

Analog Devices Inc.

關(guān)閉隔離—典型值:

51 dB

產(chǎn)品種類:

RF 開關(guān) IC

最小工作溫度:

- 40 ℃

開關(guān)配置:

SPDT

最大工作溫度:

+ 105 ℃

最小頻率:

100 MHz

安裝風(fēng)格:

SMD/SMT

最大頻率:

6 GHz

技術(shù):

Si

介入損耗:

0.9 dB

系列:

HMC8038

  HMC8038LP4CETR引腳圖

image.png

二、工作原理

HMC8038LP4CETR射頻開關(guān)的工作原理基于先進(jìn)的硅基半導(dǎo)體技術(shù),通過控制信號(hào)來切換射頻信號(hào)的傳輸路徑。該開關(guān)能夠在0.1 GHz至6.0 GHz的寬頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效的信號(hào)切換,具備高隔離度、低插入損耗和高線性度等特點(diǎn)。

具體來說,當(dāng)使能輸入(EN)設(shè)置為邏輯高電平時(shí),開關(guān)被置于全關(guān)斷狀態(tài),此時(shí)射頻信號(hào)(RFC)被反射而非傳輸。通過調(diào)整控制信號(hào)的電壓(0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V),可以靈活地控制開關(guān)的導(dǎo)通與關(guān)斷,從而實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)的路徑切換。

三、特點(diǎn)

  1. 高隔離度:HMC8038LP4CETR在高達(dá)4.0 GHz的頻率下能提供62 dB的隔離度,確保了信號(hào)在不需要的路徑上得到有效隔離,減少了信號(hào)間的相互干擾。

  2. 低插入損耗:在相同頻率范圍內(nèi),該開關(guān)的插入損耗低至0.8 dB,保證了信號(hào)在傳輸過程中的損耗最小化,提高了信號(hào)傳輸?shù)男屎唾|(zhì)量。

  3. 高功率處理能力:HMC8038LP4CETR具有出色的功率處理能力,能夠在高達(dá)6.0 GHz的頻率下處理高達(dá)35 dBm的輸入功率(P0.1dB),適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。

  4. 高線性度:其0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)為35 dBm,輸入三階截取點(diǎn)(IP3)高達(dá)60 dBm,確保了在高功率輸入下仍能保持良好的線性性能,減少信號(hào)失真。

  5. 快速開關(guān)和RF建立時(shí)間:該開關(guān)提供150 ns的開關(guān)時(shí)間和170 ns的RF建立時(shí)間,能夠快速響應(yīng)控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)信號(hào)的快速切換和穩(wěn)定傳輸。

  6. ESD保護(hù):所有器件引腳均具備ESD保護(hù)功能,包括射頻接口,能夠承受高達(dá)4 kV的人體模型(HBM)和1.25 kV的帶電設(shè)備模型(CDM)靜電放電,提高了產(chǎn)品的可靠性和耐用性。

  7. 低功耗:片上電路在極低直流電流下運(yùn)行,支持3.3 V至5 V的單一正電源電壓,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制,降低了功耗,延長(zhǎng)了設(shè)備的使用時(shí)間。

  8. 小型化封裝:采用緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝,便于在有限的空間內(nèi)安裝,適用于高密度集成設(shè)計(jì)。

四、應(yīng)用

HMC8038LP4CETR射頻開關(guān)因其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括但不限于:

  1. 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施:在蜂窩網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中,該開關(guān)可用于信號(hào)路徑的切換和隔離,提高網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性和可靠性。

  2. 無線基礎(chǔ)設(shè)施:在無線局域網(wǎng)(WLAN)、無線寬帶接入(WiMAX)等無線基礎(chǔ)設(shè)施中,用于信號(hào)傳輸路徑的選擇和控制,優(yōu)化信號(hào)傳輸效率。

  3. 汽車遠(yuǎn)程信息處理:在汽車遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)中,該開關(guān)可用于車載通信設(shè)備的信號(hào)切換和隔離,提高通信質(zhì)量和安全性。

  4. 移動(dòng)無線電:在移動(dòng)無線電設(shè)備中,如手機(jī)、對(duì)講機(jī)等,用于信號(hào)的收發(fā)切換和功率控制,提高設(shè)備的通信性能和用戶體驗(yàn)。

  5. 測(cè)試設(shè)備:在射頻測(cè)試設(shè)備中,HMC8038LP4CETR可用于信號(hào)模擬、路徑切換等測(cè)試場(chǎng)景,提供高精度的測(cè)試信號(hào)和可靠的測(cè)試結(jié)果。

五、參數(shù)

以下是HMC8038LP4CETR射頻開關(guān)的主要參數(shù):

  • 類型:RF/IF,射頻/中頻和RFID射頻開關(guān)

  • 制造商:Analog Devices Inc.(亞德諾半導(dǎo)體公司)

  • 封裝:LFCSP-16,4 mm × 4 mm

  • 頻率范圍:0.1 GHz至6.0 GHz

  • 隔離度:60 dB(典型值)

  • 插入損耗:0.8 dB(典型值,在2 GHz時(shí))

  • 輸入功率(P0.1dB):35 dBm(在6.0 GHz時(shí))

  • 輸入三階截取點(diǎn)(IP3):60 dBm(典型值)

  • 開關(guān)時(shí)間:150 ns(典型值)

  • RF建立時(shí)間:170 ns(典型值)

  • 電源電壓:支持3.3 V至5 V單一正電源電壓,控制電壓支持0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V

  • 電流消耗:低功耗設(shè)計(jì),具體電流值取決于操作模式和電源電壓

  • 工作溫度范圍:-40°C至+85°C(工業(yè)級(jí))

  • 存儲(chǔ)溫度范圍:-65°C至+150°C

  • ESD保護(hù):人體模型(HBM)4 kV,帶電設(shè)備模型(CDM)1.25 kV

  • 封裝材料:無鉛、環(huán)保型材料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

  • 六、詳細(xì)性能與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

  • 詳細(xì)性能

  • HMC8038LP4CETR射頻開關(guān)不僅具備高隔離度、低插入損耗等關(guān)鍵指標(biāo)上的卓越表現(xiàn),還通過其高速開關(guān)時(shí)間和RF建立時(shí)間,確保了信號(hào)切換的快速性和穩(wěn)定性。這使得該開關(guān)在需要高速信號(hào)處理的場(chǎng)合中尤為適用,如無線通信系統(tǒng)的快速信道切換和動(dòng)態(tài)頻率選擇。

  • 此外,其高功率處理能力使得HMC8038LP4CETR能夠應(yīng)用于需要處理大功率信號(hào)的場(chǎng)合,如雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等。同時(shí),高線性度的特點(diǎn)確保了信號(hào)在傳輸過程中不易失真,保證了信號(hào)的質(zhì)量。

  • 應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

  • 靈活性:通過簡(jiǎn)單的控制信號(hào)即可實(shí)現(xiàn)信號(hào)的切換和隔離,設(shè)計(jì)靈活,易于集成到各種射頻系統(tǒng)中。

  • 可靠性:采用先進(jìn)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)和高質(zhì)量的材料,具有出色的耐用性和穩(wěn)定性,能夠在惡劣的環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間工作。

  • 高效性:低插入損耗和高隔離度確保了信號(hào)的高效傳輸和有效隔離,減少了信號(hào)損失和干擾。

  • 多功能性:支持多種電源電壓和控制電壓范圍,使得該開關(guān)能夠適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景和電路設(shè)計(jì)。

  • 環(huán)保性:無鉛、環(huán)保型封裝材料符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

  • 七、設(shè)計(jì)考慮與注意事項(xiàng)

  • 在設(shè)計(jì)使用HMC8038LP4CETR射頻路徑開關(guān)時(shí),需要考慮以下幾個(gè)方面:

  • 電源和接地:確保提供穩(wěn)定、合適的電源電壓,并合理設(shè)計(jì)接地,以減少噪聲和干擾。

  • 控制信號(hào):控制信號(hào)應(yīng)保持穩(wěn)定和準(zhǔn)確,以確保開關(guān)的可靠切換。同時(shí),應(yīng)注意控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力和信號(hào)完整性。

  • 散熱:雖然HMC8038LP4CETR功耗較低,但在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中仍需注意散熱問題,以避免因溫度過高導(dǎo)致的性能下降或損壞。

  • 布局與布線:在PCB設(shè)計(jì)中,應(yīng)合理布局和布線,以減少信號(hào)間的串?dāng)_和耦合,確保射頻信號(hào)的純凈和穩(wěn)定。

  • 靜電防護(hù):盡管該開關(guān)具有ESD保護(hù)功能,但在處理和安裝過程中仍需注意靜電防護(hù),以避免因靜電放電導(dǎo)致的損壞。

  • 八、結(jié)論

  • 綜上所述,HMC8038LP4CETR是一款性能卓越、功能豐富的射頻開關(guān)芯片。其高隔離度、低插入損耗、高功率處理能力、高線性度和快速開關(guān)時(shí)間等特點(diǎn),使得該開關(guān)在無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過合理的設(shè)計(jì)和使用,可以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì),提高射頻系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

責(zé)任編輯:David

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