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意法半導(dǎo)體1N5819肖特基二極管中文資料

來(lái)源:
2024-08-01
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 1
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

意法半導(dǎo)體1N5819肖特基二極管中文資料

一、型號(hào)與類型

1N5819是一種由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的肖特基二極管(Schottky Diode),屬于快速恢復(fù)整流二極管的一種。肖特基二極管以其高速、低功耗和低正向壓降的特性,在高頻電路、高速數(shù)字電路和功率電子電路等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。1N5819作為其中的代表型號(hào),以其優(yōu)異的性能在市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。

1N5819圖片

  廠商名稱:ST意法半導(dǎo)體

  元件分類:肖特基二極管

  中文描述: 肖特基二極管,最大連續(xù)正向電流1A,峰值反向重復(fù)電壓40V,通孔安裝,DO-41封裝,2引腳

  英文描述: 40V,1 A axial Power Schottky Rectifier40 V,1 A axial Power Schottky Rectifier

  數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k02-36648415-1N5819-E3/54.html

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  1N5819概述

  STMicroelectronics公司的1N5819是一款軸向引線低壓降肖特基整流器,DO-41封裝.該產(chǎn)品具有非常小的傳導(dǎo)損耗,可忽略不計(jì)的開(kāi)關(guān)損耗,極快的開(kāi)關(guān)速度與低正向壓降.適用于開(kāi)關(guān)模式電源,高頻DC至DC轉(zhuǎn)換器,高頻逆變器,續(xù)流,極性保護(hù)與小型電池充電器.

  雪崩性能說(shuō)明

  最大反向重復(fù)電壓Vrrm為40V

  tp 10ms時(shí),正向非重復(fù)浪涌電流IFSM為25A

  正向電流If(AV)1A

  IF 3A時(shí),最大正向電壓VF850mV

  最高工作結(jié)溫150°C

  應(yīng)用

  電源管理,工業(yè),便攜式器材,消費(fèi)電子產(chǎn)品

  1N5819中文參數(shù)

安裝類型

通孔

引腳數(shù)目

2

封裝類型

DO-41

最大正向電壓降

900mV

最大連續(xù)正向電流

1A

每片芯片元件數(shù)目

1

峰值反向重復(fù)電壓

40V

二極管技術(shù)

肖特基

二極管配置

單路

峰值非重復(fù)正向浪涌電流

25A

二極管類型

肖特基

直徑

2.72mm

   1N5819引腳圖

image.png

二、工作原理

肖特基二極管的工作原理基于金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí),由于兩者功函數(shù)的不同,會(huì)在接觸界面形成一個(gè)電荷積累層,這個(gè)電荷積累層在金屬和半導(dǎo)體之間形成一個(gè)電位降落,即肖特基勢(shì)壘。肖特基勢(shì)壘的電阻隨兩端電壓的變化而變化,當(dāng)電壓較低時(shí),電阻很大,電流幾乎無(wú)法通過(guò);當(dāng)電壓升高到一定程度時(shí),電阻逐漸減小,電流開(kāi)始顯著增加。因此,肖特基二極管表現(xiàn)出單向?qū)ǖ奶匦?,只允許電流從陽(yáng)極流向陰極。

在正向偏置條件下,當(dāng)陽(yáng)極電壓高于陰極電壓時(shí),肖特基勢(shì)壘的電阻降低,電流迅速增加。此時(shí),電流主要由半導(dǎo)體中的自由電子通過(guò)肖特基勢(shì)壘形成。隨著陽(yáng)極電壓的進(jìn)一步增加,電流繼續(xù)增加,但增速逐漸減緩,最終達(dá)到飽和狀態(tài)。在反向偏置條件下,當(dāng)陰極電壓高于陽(yáng)極電壓時(shí),肖特基勢(shì)壘的電阻很大,幾乎沒(méi)有電流通過(guò)。當(dāng)反向電壓增加到一定程度時(shí),會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,此時(shí)二極管表現(xiàn)為一個(gè)恒壓源。

三、特點(diǎn)

  1. 高速切換:1N5819肖特基二極管具有極高的開(kāi)關(guān)速度,反向恢復(fù)時(shí)間通常在10ns左右,遠(yuǎn)低于普通二極管的ms級(jí)別。這使得它在高頻電路中能夠迅速響應(yīng)信號(hào)變化,減少開(kāi)關(guān)損耗。

  2. 低正向電壓降:在正向?qū)〞r(shí),1N5819的正向壓降非常低,通常在1A電流下僅為0.6V左右。這有助于減少電路中的電壓損耗,提高能量轉(zhuǎn)換效率。

  3. 高電流能力:盡管其額定正向電流為1A,但1N5819的峰值浪涌電流可達(dá)25A,顯示出其強(qiáng)大的電流處理能力。這使得它在需要大電流整流或續(xù)流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色。

  4. 低功耗:由于低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度,1N5819在工作過(guò)程中產(chǎn)生的功耗相對(duì)較低,有助于降低系統(tǒng)整體的發(fā)熱量,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 高效能:結(jié)合上述特點(diǎn),1N5819在高頻、低壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出極高的效能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能、高效率的需求。

四、應(yīng)用

1N5819肖特基二極管因其優(yōu)異的性能而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景:

  1. 開(kāi)關(guān)電源:在開(kāi)關(guān)電源中,1N5819可用作高頻整流二極管,實(shí)現(xiàn)低壓、大電流的整流功能。其低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度有助于減少電源損耗,提高電源效率。

  2. 變頻器:在變頻器中,1N5819可用于實(shí)現(xiàn)交流電的整流和逆變過(guò)程。其快速切換能力和高電流能力能夠滿足變頻器對(duì)高頻、大電流處理的需求。

  3. 驅(qū)動(dòng)器:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,1N5819可用作續(xù)流二極管,保護(hù)電機(jī)免受反向電壓的沖擊。其高反向阻斷電壓和低正向壓降有助于確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。

  4. 高頻電路:在高頻電路中,1N5819可用于信號(hào)隔離、濾波和整流等應(yīng)用。其優(yōu)異的頻率特性和低正向壓降使得它在高頻信號(hào)處理中表現(xiàn)出色。

  5. 其他應(yīng)用:此外,1N5819還可用于太陽(yáng)能電池、通信設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域,發(fā)揮其高速、低功耗和低正向壓降的優(yōu)勢(shì)。

五、參數(shù)

以下是1N5819肖特基二極管的主要電氣參數(shù):

  • 峰值重復(fù)反向電壓(VRRM):40V

  • 最大有效值電壓(VRMS):28V

  • 平均整流正向電流(IF):1A

  • 非重復(fù)峰值浪涌電流(IFSM):25A

  • 最大瞬時(shí)正向電壓(VF):0.6V(在1A電流下)

  • 最大瞬時(shí)反向電流(IR):1mA

  • 典型結(jié)電容(CJ):110pF

  • 最大熱阻(結(jié)到外殼,RθJC):50℃/W

  • 反向擊穿電壓(VBR):雖然通常不用于持續(xù)工作在該電壓下,但反向擊穿電壓定義了二極管在反向偏置條件下能承受的最大電壓而不發(fā)生永久性損壞。對(duì)于1N5819,這一值通常遠(yuǎn)高于其額定反向電壓(VRRM),但具體數(shù)值可能因制造商和生產(chǎn)批次而異。

  • 漏電流(IR):在規(guī)定的反向電壓下,流經(jīng)二極管的電流。對(duì)于肖特基二極管來(lái)說(shuō),由于其結(jié)構(gòu)特性,漏電流通常非常低。在1N5819中,當(dāng)反向電壓接近但不超過(guò)VRRM時(shí),漏電流應(yīng)保持在制造商規(guī)定的范圍內(nèi),通常遠(yuǎn)小于1mA。

  • 正向電壓溫度系數(shù)(αVF):表示正向電壓隨溫度變化的敏感度。肖特基二極管的正向電壓隨溫度升高而略有下降,這是由于其內(nèi)部載流子濃度隨溫度增加而增加所致。了解這一系數(shù)有助于在設(shè)計(jì)時(shí)考慮溫度對(duì)電路性能的影響。

  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):這是肖特基二極管從正向?qū)ㄇ袚Q到反向阻斷狀態(tài)所需的時(shí)間。對(duì)于高頻應(yīng)用來(lái)說(shuō),反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)非常重要的參數(shù),因?yàn)樗苯佑绊懙蕉O管的開(kāi)關(guān)速度和效率。1N5819以其極短的反向恢復(fù)時(shí)間(通常在10ns左右)而聞名,使其成為高頻電路中的理想選擇。

  • 熱特性:包括熱阻(如結(jié)到環(huán)境的熱阻RθJA和結(jié)到外殼的熱阻RθJC)以及最大工作溫度等。這些參數(shù)決定了二極管在給定工作條件下的散熱能力和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。對(duì)于1N5819,了解其熱特性有助于在設(shè)計(jì)中采取適當(dāng)?shù)纳岽胧?,確保二極管在預(yù)期的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。

  • 封裝形式:1N5819通常采用小型化的封裝形式,如DO-35、SMB或SOD等,以適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化、輕量化的需求。封裝形式不僅影響二極管的物理尺寸和安裝方式,還可能對(duì)其電氣性能和散熱性能產(chǎn)生一定影響。

六、設(shè)計(jì)考慮與應(yīng)用注意事項(xiàng)

在設(shè)計(jì)和應(yīng)用1N5819肖特基二極管時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):

  1. 電壓與電流限制:確保二極管在其額定電壓和電流范圍內(nèi)工作,以避免過(guò)熱、損壞或性能下降。

  2. 散熱設(shè)計(jì):在高功率應(yīng)用中,應(yīng)考慮二極管的散熱需求,采取適當(dāng)?shù)纳岽胧缭黾由崞?、?yōu)化電路板布局等。

  3. 反向電壓保護(hù):雖然肖特基二極管具有較高的反向阻斷能力,但在實(shí)際應(yīng)用中仍需注意防止過(guò)高的反向電壓沖擊,以防止二極管損壞。

  4. 頻率特性匹配:在高頻應(yīng)用中,應(yīng)確保二極管的頻率特性與電路要求相匹配,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。

  5. 選型與替代:在選擇1N5819時(shí),應(yīng)綜合考慮其性能參數(shù)、價(jià)格、供貨情況等因素。同時(shí),也應(yīng)了解其他類似型號(hào)的肖特基二極管,以便在需要時(shí)進(jìn)行替代或優(yōu)化設(shè)計(jì)。

  6. 環(huán)境適應(yīng)性:考慮二極管的工作環(huán)境,如溫度、濕度、振動(dòng)等因素,以確保其在各種條件下都能穩(wěn)定可靠地工作。

綜上所述,1N5819肖特基二極管憑借其高速切換、低正向電壓降、高電流能力和低功耗等特點(diǎn),在高頻電路、開(kāi)關(guān)電源、變頻器等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。在設(shè)計(jì)和應(yīng)用過(guò)程中,需要充分了解其性能參數(shù)和應(yīng)用注意事項(xiàng),以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

責(zé)任編輯:David

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