Microchip 24LC64T-I/SN EEPROM存儲(chǔ)器中文資料


Microchip 24LC64T-I/SN EEPROM存儲(chǔ)器中文資料
一、型號(hào)與類型
Microchip 24LC64T-I/SN是一款高性能的EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片,屬于Microchip Technology Inc.的產(chǎn)品系列。EEPROM,全稱為Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。該芯片以其高可靠性、長(zhǎng)壽命和低功耗等特點(diǎn),在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
廠商名稱:Microchip
元件分類:EEPROM存儲(chǔ)器
中文描述: EEPROM芯片,64Bit,I2C接口,SOIC封裝,8引腳+85°C,900ns4.9mm,8Bit-40°C,8k
英文描述: EEPROM Serial-2Wire 64K-bit 8K x 8 3.3V/5V 8-Pin SOIC N T/R
數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k01-36762763-24LC64T-I/SN.html
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24LC64T-I/SN概述
24LC64是64Kb I2C?兼容串行EEPROM。該設(shè)備被組織為具有2線串行接口的8K x 8位存儲(chǔ)器的單個(gè)塊。低壓設(shè)計(jì)允許低至2.5V的工作電壓,待機(jī)和工作電流分別僅為1?A和1 mA。它已開發(fā)用于高級(jí)低功耗應(yīng)用,例如個(gè)人通信或數(shù)據(jù)采集。24LC64還具有最多32個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的頁(yè)面寫入功能。功能性地址線在同一總線上最多允許八個(gè)設(shè)備,最多可提供512 Kbits的地址空間。24LC64提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳PDIP,表面貼裝SOIC,TSSOP,DFN,TDFN和MSOP封裝。24LC64也采用5引腳SOT-23封裝。
單電源,工作電壓低至2.5V
低功耗CMOS技術(shù)
2線串行接口,兼容I2C?
可級(jí)聯(lián)多達(dá)8個(gè)設(shè)備
施密特觸發(fā)器輸入,用于抑制噪聲
輸出斜率控制可消除地面反彈
100 kHz和400 kHz時(shí)鐘兼容性
頁(yè)面寫入時(shí)間5 ms,典型值
自定時(shí)擦除/寫入周期
32字節(jié)頁(yè)面寫緩沖區(qū)
硬件寫保護(hù)
ESD保護(hù)大于4,000V
超過(guò)100萬(wàn)次擦除/寫入周期
數(shù)據(jù)保留大于200年
提供工廠編程
24LC64T-I/SN中文參數(shù)
存儲(chǔ)器大小 | 64Bit | 長(zhǎng)度 | 4.9mm |
接口類型 | I2C | 寬度 | 3.9mm |
封裝類型 | SOIC | 高度 | 1.5mm |
安裝類型 | 表面貼裝 | 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.5mm |
引腳數(shù)目 | 8 | 最高工作溫度 | +85 °C |
組織 | 8K x 8 位 | 數(shù)據(jù)保留 | >200年 |
最小工作電源電壓 | 2.5 V | 最長(zhǎng)隨機(jī)存取時(shí)間 | 900ns |
最大工作電源電壓 | 5.5 V | 字組數(shù)目 | 8k |
編程電壓 | 2.5 → 5.5V | 最低工作溫度 | -40 °C |
每字組的位元數(shù)目 | 8Bit |
24LC64T-I/SN引腳圖
二、工作原理
24LC64T-I/SN EEPROM芯片通過(guò)I2C(Inter-Integrated Circuit)總線接口進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。I2C總線是一種由Philips公司開發(fā)的串行通信總線,用于連接低速外圍設(shè)備至處理器或微控制器。該總線由數(shù)據(jù)線SDA(Serial Data Line)和時(shí)鐘線SCL(Serial Clock Line)組成,支持多主機(jī)和多從機(jī)模式,通過(guò)設(shè)備地址進(jìn)行區(qū)分。
在EEPROM中,數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取是通過(guò)電荷存儲(chǔ)在浮柵晶體管中的方式實(shí)現(xiàn)的。寫入數(shù)據(jù)時(shí),通過(guò)特定的電壓脈沖改變浮柵上的電荷量,從而改變晶體管的閾值電壓,達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的。擦除操作則是通過(guò)反向的電壓脈沖將浮柵上的電荷釋放掉,使晶體管恢復(fù)到初始狀態(tài)。由于EEPROM的存儲(chǔ)單元是電可擦除的,因此它可以在需要時(shí)多次編程和擦除,而不會(huì)像傳統(tǒng)的ROM那樣只能寫入一次。
三、特點(diǎn)
高可靠性:EEPROM存儲(chǔ)器具有極高的數(shù)據(jù)保持能力,數(shù)據(jù)可以保存多年而不會(huì)丟失,非常適合需要長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)的場(chǎng)合。
低功耗:24LC64T-I/SN采用低功耗CMOS技術(shù)設(shè)計(jì),工作電壓低至2.5V,適用于各種低功耗應(yīng)用。
高速訪問:該芯片支持高達(dá)400kHz的時(shí)鐘頻率,提供快速的數(shù)據(jù)訪問速度,滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?/span>
大存儲(chǔ)容量:存儲(chǔ)容量為64Kb(8K x 8位),可以存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù),適用于需要較大存儲(chǔ)空間的應(yīng)用。
靈活的封裝形式:提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳PDIP、表面貼裝SOIC、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP等多種封裝形式,方便用戶根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的封裝。
豐富的功能:支持頁(yè)面寫入功能,最多可寫入32個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù),減少寫入次數(shù),提高寫入效率。同時(shí),還具有硬件寫保護(hù)功能,防止數(shù)據(jù)被意外擦除或改寫。
廣泛的兼容性:兼容標(biāo)準(zhǔn)的I2C總線協(xié)議,可以方便地與各種微控制器和處理器連接,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫操作。
四、應(yīng)用
由于24LC64T-I/SN EEPROM存儲(chǔ)器具有上述特點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于各種需要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)合。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域:
個(gè)人通信設(shè)備:如手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中,用于存儲(chǔ)用戶設(shè)置、聯(lián)系人信息、短信等數(shù)據(jù)。
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,用于存儲(chǔ)采集到的數(shù)據(jù),如溫度、濕度、壓力等傳感器數(shù)據(jù)。
工業(yè)控制系統(tǒng):在工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于存儲(chǔ)控制參數(shù)、設(shè)備狀態(tài)信息等,實(shí)現(xiàn)設(shè)備的遠(yuǎn)程監(jiān)控和控制。
醫(yī)療設(shè)備:在醫(yī)療設(shè)備中,用于存儲(chǔ)患者的病歷信息、檢查結(jié)果等數(shù)據(jù),為醫(yī)生提供可靠的診斷依據(jù)。
汽車電子:在汽車電子系統(tǒng)中,用于存儲(chǔ)車輛配置信息、行駛數(shù)據(jù)等,提高汽車的安全性和智能化水平。
五、參數(shù)
以下是24LC64T-I/SN EEPROM存儲(chǔ)器的主要參數(shù):
存儲(chǔ)器大小:64Kb(8K x 8位)
接口類型:I2C
封裝類型:SOIC(表面貼裝)
引腳數(shù)目:8
最高工作溫度:+85°C
最低工作溫度:-40°C
工作電壓范圍:2.5V ~ 5.5V
時(shí)鐘頻率:最高400kHz
寫周期時(shí)間(字/頁(yè)):5ms
隨機(jī)存取時(shí)間:900ns
數(shù)據(jù)保留時(shí)間:>200年
封裝尺寸:4.9mm x 3.9mm x 1.5mm(SOIC)
引腳配置:包括電源引腳(VCC、GND)、I2C總線引腳(SDA、SCL)、設(shè)備地址引腳(A2、A1、A0)、寫保護(hù)引腳(WP)等。
六、詳細(xì)參數(shù)解析
接口與通信協(xié)議:
I2C總線:24LC64T-I/SN通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的I2C總線接口進(jìn)行通信,這意味著它可以輕松地與市場(chǎng)上大多數(shù)微控制器和處理器集成。I2C總線支持主從設(shè)備之間的雙向通信,通過(guò)設(shè)備地址進(jìn)行區(qū)分,使得多個(gè)設(shè)備可以在同一總線上共存。
設(shè)備地址:該EEPROM具有三個(gè)硬件地址引腳(A2、A1、A0),允許用戶通過(guò)外部連接或斷開這些引腳來(lái)設(shè)置7位設(shè)備地址中的最低三位,從而支持最多8個(gè)設(shè)備在同一I2C總線上而不發(fā)生地址沖突。
電源與電氣特性:
工作電壓范圍:從2.5V到5.5V的寬電壓范圍意味著該EEPROM可以適應(yīng)多種電源環(huán)境,無(wú)論是低功耗的便攜式設(shè)備還是需要較高電壓的工業(yè)應(yīng)用。
低功耗:在待機(jī)模式下,該芯片消耗的電流極低,有助于延長(zhǎng)電池壽命,特別是在便攜式設(shè)備中尤為重要。
寫入與擦除特性:
頁(yè)面寫入:支持最多32字節(jié)的頁(yè)面寫入,這減少了寫入操作的次數(shù),提高了整體寫入效率。在需要連續(xù)寫入大量數(shù)據(jù)時(shí),這一特性尤為有用。
寫周期:每次寫入操作后,需要一定的恢復(fù)時(shí)間(通常為5毫秒),以確保數(shù)據(jù)正確寫入EEPROM。這是EEPROM寫入操作的一個(gè)固有特性,需要在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)予以考慮。
數(shù)據(jù)保護(hù)與安全性:
寫保護(hù)引腳(WP):該引腳允許用戶通過(guò)外部電路控制EEPROM的寫保護(hù)功能。當(dāng)WP引腳被激活時(shí),EEPROM進(jìn)入寫保護(hù)狀態(tài),此時(shí)無(wú)法對(duì)EEPROM進(jìn)行寫入或擦除操作,從而保護(hù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不被意外修改。
數(shù)據(jù)保留時(shí)間:超過(guò)200年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間確保了數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期可靠性,即使在電源關(guān)閉的情況下也能保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。
封裝與尺寸:
多種封裝形式:提供包括SOIC、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP在內(nèi)的多種封裝形式,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的空間限制和連接需求。
緊湊的尺寸:以SOIC封裝為例,其尺寸為4.9mm x 3.9mm x 1.5mm,非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
七、使用注意事項(xiàng)
初始化與配置:在使用前,需要根據(jù)實(shí)際需求配置EEPROM的硬件地址引腳(A2、A1、A0),并檢查寫保護(hù)引腳(WP)的狀態(tài),以確保EEPROM能夠正常工作。
時(shí)序與協(xié)議:開發(fā)者需要熟悉I2C總線的時(shí)序和協(xié)議規(guī)范,以確保與EEPROM的通信穩(wěn)定可靠。特別是在進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸時(shí),需要注意時(shí)鐘頻率的選擇和時(shí)序的精確控制。
寫入與讀取操作:在進(jìn)行寫入操作時(shí),需要注意寫周期的限制,避免在短時(shí)間內(nèi)連續(xù)進(jìn)行大量的寫入操作。同時(shí),在讀取數(shù)據(jù)時(shí),應(yīng)確保EEPROM已經(jīng)穩(wěn)定地進(jìn)入了讀取狀態(tài)。
電源管理:在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮到EEPROM的電源管理策略,以確保在電源波動(dòng)或斷電情況下能夠保護(hù)EEPROM中的數(shù)據(jù)不受損壞。
溫度環(huán)境:EEPROM的工作溫度范圍較寬,但在實(shí)際應(yīng)用中仍需注意環(huán)境溫度對(duì)EEPROM性能的影響。特別是在極端溫度條件下,可能需要采取額外的散熱或保溫措施。
八、總結(jié)與展望
Microchip 24LC64T-I/SN EEPROM存儲(chǔ)器以其高可靠性、低功耗、大存儲(chǔ)容量和靈活的接口特性,在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對(duì)存儲(chǔ)器的需求也在不斷增加。未來(lái),隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的進(jìn)一步降低,EEPROM存儲(chǔ)器有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。同時(shí),隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、低功耗和安全性要求的不斷提高,EEPROM存儲(chǔ)器也將在技術(shù)上進(jìn)行不斷創(chuàng)新和優(yōu)化,以滿足市場(chǎng)的多樣化需求。
責(zé)任編輯:David
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