ON安森美NTR4502PT1G MOS管中文資料

一、型號與類型

ON安森美（onsemi）是一家全球領(lǐng)先的半導體供應商，其NTR4502PT1G是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），具體類型為P溝道功率MOSFET。這款MOSFET以其卓越的電氣性能和廣泛的應用領(lǐng)域，在電子元件市場中占據(jù)重要地位。NTR4502PT1G采用SOT-23封裝，是一種表面貼裝型元件，具有小體積、高集成度和易于安裝的特點。

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：MOS管

　　中文描述： 功率場效應管，MOSFET，P溝道，30 V，1.95 A，0.2 ohm，SOT-23，表面安裝

　　英文描述： Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R

　　數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-36759868-NTR4502PT1G.html

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　　NTR4502PT1G概述

　　NTR4502PT1G是一個P溝道功率MOSFET，提供-30V的漏源電壓和-1.95A的連續(xù)漏電流。它適用于DC到DC的轉(zhuǎn)換，便攜式計算機和計算設備的負載/電源開關(guān)，主板，筆記本電腦，便攜式攝像機，數(shù)碼相機和電池充電電路。

　　領(lǐng)先的平面技術(shù)，可實現(xiàn)低柵極電荷/快速切換

　　低RDS（ON）可降低傳導損耗

　　表面貼裝，占地面積?。? x 3mm）

　　-55至150°C的工作結(jié)溫范圍

　　應用

　　電源管理，便攜式器材，計算機和計算機周邊，消費電子產(chǎn)品，工業(yè)

　　NTR4502PT1G中文參數(shù)

　　NTR4502PT1G引腳圖

二、工作原理

NTR4502PT1G的工作原理基于其P溝道漏源構(gòu)造。當適當?shù)碾妷菏┘拥綎艠O（Gate）時，會在柵極和源極（Source）之間形成一個電場。這個電場會吸引P溝道中的空穴（正電荷載流子），從而增加P溝道的導電性。隨著導電性的提升，電流開始從漏極（Drain）流向源極，實現(xiàn)MOSFET的導通狀態(tài)。當柵極電壓降低到一定程度時，電場減弱，P溝道的導電性降低，MOSFET進入截止狀態(tài)，電流被阻斷。

三、特點

1. 高性能：NTR4502PT1G以其出色的電氣性能著稱，包括高漏源電壓、大電流承載能力和低導通電阻，適用于對性能要求較高的電路。

2. 低導通電阻：在特定條件下（如10V柵極電壓，4.4A漏極電流），其導通電阻僅為46mΩ，有助于降低功率損耗，提高電路效率。

3. 寬工作溫度范圍：該MOSFET可在-55°C至+150°C的寬溫度范圍內(nèi)正常工作，適應各種惡劣環(huán)境。

4. 小體積：采用SOT-23封裝，體積小、重量輕，便于在小型化、集成化的電子設備中使用。

5. 快速切換：得益于其低柵極電荷，NTR4502PT1G能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)切換，適用于高頻電路和需要快速響應的應用場景。

6. 穩(wěn)定性高：通過先進的設計和制造工藝，該MOSFET表現(xiàn)出極高的穩(wěn)定性和可靠性，適合長期穩(wěn)定運行。

四、應用

1. 電源管理：在電源管理系統(tǒng)中，NTR4502PT1G廣泛應用于開關(guān)電源中的電流控制。通過調(diào)節(jié)柵極電壓，可以精確控制MOSFET的導電電阻，從而實現(xiàn)對電流的精準控制。這對于便攜設備、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域至關(guān)重要，確保了電力傳輸?shù)母咝院头€(wěn)定性。

2. 信號放大：在信號放大電路中，NTR4502PT1G通過靈活調(diào)整柵極電壓，可以放大和優(yōu)化信號。這一特性在音頻放大器、通訊設備等領(lǐng)域得到廣泛應用，為各類電子設備提供了可靠的信號分析解決方案。

3. DC-DC轉(zhuǎn)換：在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，NTR4502PT1G作為關(guān)鍵元件，參與電壓的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。其高性能和穩(wěn)定性確保了轉(zhuǎn)換效率和質(zhì)量，廣泛應用于便攜式計算機、計算設備、主板、筆記本電腦等場合。

4. 負載/電源開關(guān)：在便攜式設備和計算設備的負載/電源開關(guān)中，NTR4502PT1G作為控制元件，負責電路的通斷控制。其快速切換和低導通電阻特性，確保了開關(guān)的迅速響應和低功耗。

5. 電池充電電路：在電池充電電路中，NTR4502PT1G用于控制充電電流和電壓，保護電池免受過充或過放損害。其高精度和穩(wěn)定性對于延長電池壽命和提高充電效率至關(guān)重要。

五、參數(shù)

NTR4502PT1G的主要電氣參數(shù)如下：

• 漏源電壓（Vdss）：30V

• 連續(xù)漏極電流（Id）：1.95A（部分資料顯示為5.6A，具體值可能因產(chǎn)品批次或測試條件而異）

• 導通電阻（RDS(on)@Vgs,Id）：200mΩ@10V, 1.95A（另有資料顯示為46mΩ@10V, 4.4A）

• 閾值電壓（Vgs(th)@Id）：3V@250μA

• 柵極電荷（Qg@Vgs）：10nC@10V

• 輸入電容（Ciss@Vds）：200pF@15V

• 功率（Pd）：400mW（另有資料顯示為2.5W@25°C）

• 最大工作溫度（Tj）：+150°C

• 最低工作溫度（Tj）：-55°C

• 存儲溫度范圍：-65°C至+150°C

• 封裝類型：SOT-23（一種小型的表面貼裝封裝，具有三個引腳：源極、漏極和柵極）

六、詳細性能分析

1. 漏源電壓（Vdss）：
NTR4502PT1G的漏源電壓高達30V，這意味著它可以在較高電壓的電路中工作，而不用擔心器件損壞。這一特性使得它非常適合于需要處理較高電壓的電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應用。

2. 電流承載能力：
雖然不同的資料給出的連續(xù)漏極電流有所不同（1.95A至5.6A），但都表明這款MOSFET具有較強的電流承載能力。這保證了在負載變化較大的情況下，MOSFET仍能穩(wěn)定工作，不會因過熱而損壞。

3. 導通電阻（RDS(on)）：
低導通電阻是NTR4502PT1G的一個顯著特點。低導通電阻意味著在MOSFET導通時，通過它的電壓降較小，從而減少了功率損耗，提高了電路效率。這對于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應用尤為重要。

4. 閾值電壓（Vgs(th)）：
閾值電壓是MOSFET開始導通所需的柵極電壓。NTR4502PT1G的閾值電壓較低，這意味著它可以在較低的柵極電壓下開始工作，從而減少了控制電路的功耗，提高了系統(tǒng)的整體效率。

5. 柵極電荷（Qg）：
柵極電荷是衡量MOSFET開關(guān)速度的一個重要參數(shù)。NTR4502PT1G的柵極電荷較小，意味著它可以快速地在導通和截止狀態(tài)之間切換，適用于高頻電路和需要快速響應的應用場景。

6. 輸入電容（Ciss）：
輸入電容影響MOSFET的開關(guān)速度和穩(wěn)定性。NTR4502PT1G的輸入電容適中，既保證了較快的開關(guān)速度，又兼顧了穩(wěn)定性，使得它在各種應用中都能表現(xiàn)出色。

7. 封裝與散熱：
SOT-23封裝不僅減小了元件的體積，還提供了良好的散熱性能。盡管NTR4502PT1G的功率耗散相對較低（如2.5W@25°C），但在高功率應用中，仍需注意散熱設計，以確保MOSFET在長時間內(nèi)穩(wěn)定工作。

七、設計考慮與注意事項

• 散熱設計：在高功率應用中，應考慮適當?shù)纳岽胧?，如增加散熱片或使用熱管等，以降低MOSFET的工作溫度。

• 柵極驅(qū)動：選擇合適的柵極驅(qū)動電路，以確保MOSFET能夠快速、穩(wěn)定地開關(guān)。柵極驅(qū)動電路的設計應考慮到柵極電阻、驅(qū)動電壓和電流等因素。

• 過流保護：在電路中設置過流保護機制，以防止因負載過大或短路而導致的MOSFET損壞。

• 靜電防護：MOSFET對靜電敏感，因此在處理、安裝和測試過程中應采取靜電防護措施，如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電工作臺等。

綜上所述，ON安森美的NTR4502PT1G是一款性能卓越、應用廣泛的P溝道功率MOSFET。其低導通電阻、高電流承載能力、快速開關(guān)速度和寬工作溫度范圍等特點，使其成為電源管理、信號放大、DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的理想選擇。在設計電路時，應充分考慮其性能特點和設計要求，以充分發(fā)揮其優(yōu)勢并確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。