ON安森美BAV99WT1G小信號二極管中文資料


ON安森美BAV99WT1G小信號二極管中文資料
一、引言
ON安森美(ON Semiconductor)是全球領先的半導體解決方案供應商,致力于為汽車、通信、消費電子和工業(yè)等多個領域的客戶提供高質量、高性能的產品。其中,BAV99WT1G是一款備受歡迎的小信號二極管,以其卓越的性能和廣泛的應用領域贏得了市場的廣泛認可。本文將詳細介紹BAV99WT1G小信號二極管的型號類型、工作原理、特點、應用以及關鍵參數(shù)。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:小信號二極管
中文描述: 二極管小信號,雙系列,70 V,200 mA,1 V,6 ns,2 A
英文描述: Dual SMT Switching Diode,Series,70V 715mA,6ns,3-Pin SC-70
數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k02-36700744-BAV99WT1G.html
在線購買:立即購買
BAV99WT1G概述
BAV99WT1G是一款雙串聯(lián)開關二極管.開關二極管設計用于高速開關應用.該雙二極管器件包含兩個串聯(lián)的二極管,SC-70/SOT-323表面安裝封裝.
215mA DC正向電流
450mA重復性正向峰值電流
100VDC反向擊穿電壓
1.5pF電容
無鹵素
應用
電源管理,車用,安全
BAV99WT1G中文參數(shù)
安裝類型 | 表面貼裝 | 引腳數(shù)目 | 3 |
封裝類型 | SOT-323 (SC-70) | 最大正向電壓降 | 1.25V |
最大連續(xù)正向電流 | 715mA | 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
峰值反向重復電壓 | 70V | 二極管技術 | 硅結型 |
二極管配置 | 串行 | 峰值反向回復時間 | 6ns |
整流器類型 | 切換 | 峰值非重復正向浪涌電流 | 2A |
二極管類型 | 硅結型 |
BAV99WT1G引腳圖
二、型號類型
BAV99WT1G是一款雙串聯(lián)開關二極管,屬于小信號二極管范疇。該型號由ON安森美公司生產,采用SOT-323(SC-70)封裝形式,具有體積小、重量輕、易于安裝等優(yōu)點。BAV99WT1G的設計旨在滿足高速開關應用的需求,其內部包含兩個串聯(lián)的二極管,使得該器件在正向和反向偏置下均能表現(xiàn)出色。
三、工作原理
BAV99WT1G的工作原理基于PN結的正向和反向偏置特性。PN結是二極管的核心結構,由P型半導體和N型半導體通過特定工藝結合而成。當PN結被正向偏置時(即P區(qū)接正極,N區(qū)接負極),P區(qū)中的空穴向PN結移動,N區(qū)中的自由電子也向PN結移動,形成正向電流。此時,二極管處于導通狀態(tài),電流可以順利通過。
相反,當PN結被反向偏置時(即P區(qū)接負極,N區(qū)接正極),P區(qū)中的空穴被吸引到負極,N區(qū)中的自由電子被吸引到正極,形成一個空穴和電子的耦合區(qū)。這個耦合區(qū)會阻礙電流的通過,使得二極管處于截止狀態(tài)。由于反向偏置導致PN結的擴展,二極管具有很高的反向電阻,從而保護電路免受反向電壓的損害。
BAV99WT1G作為雙串聯(lián)開關二極管,其工作原理基于兩個PN結的正向和反向偏置。在正向偏置下,兩個二極管均導通,電流可以通過整個器件;在反向偏置下,兩個二極管均截止,電流無法通過器件,從而實現(xiàn)了開關功能。
四、特點
高性能:BAV99WT1G具有低正向壓降和高反向擊穿電壓的特性,能夠在高效率和低功耗的應用中表現(xiàn)出色。其反向漏電流非常低,有助于降低電流泄漏,提高系統(tǒng)的安全性。
高可靠性:該二極管采用高品質的材料和先進的生產工藝制造而成,具有較長的使用壽命和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。即使在惡劣的工作環(huán)境下,也能保持穩(wěn)定的性能。
小體積:BAV99WT1G采用SOT-323封裝形式,體積小巧,便于在空間受限的應用場景中使用。
快速開關:作為開關二極管,BAV99WT1G具有快速的開關速度(反向恢復時間為6ns),能夠滿足高速開關應用的需求。
環(huán)保:該二極管符合RoHS標準,無鹵素,符合環(huán)保要求。
五、應用
BAV99WT1G由于其卓越的性能和廣泛的應用領域,被廣泛應用于各種電子設備中。以下是一些典型的應用場景:
電源管理:在電源供應系統(tǒng)中,BAV99WT1G可以作為整流器使用,有效地提高電源的效率和穩(wěn)定性。其低正向壓降和高反向擊穿電壓特性有助于降低能耗并保護電路免受反向電壓的損害。
汽車電子:在汽車電子領域,BAV99WT1G被廣泛應用于車載充電器、逆變器等設備中。其高可靠性和快速開關特性為車輛的安全和穩(wěn)定性提供了有力保障。
安全保護:BAV99WT1G在反向偏置下具有很高的反向電阻,可以用于保護其他器件免受反向電壓的損害。例如,在MOSFET等敏感器件的電路中,BAV99WT1G可以作為保護二極管使用。
通信設備:在通信設備中,BAV99WT1G可用于信號放大、波形整形和開關等電路。其快速開關特性和低正向壓降有助于提高信號傳輸?shù)男屎头€(wěn)定性。
六、關鍵參數(shù)
以下是BAV99WT1G小信號二極管的一些關鍵參數(shù):
封裝類型:SOT-323(SC-70)
最大正向電壓降:1.25V
最大連續(xù)正向電流:715mA
峰值反向重復電壓:70V
反向恢復時間:6ns
峰值非重復正向浪涌電流:2A
二極管類型:硅結型
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C(具體溫度范圍可能因封裝和具體產品而異,請參考數(shù)據(jù)手冊中的具體說明)
熱阻(θJA):通常在小型封裝如SOT-323中,熱阻會相對較低,這有助于將器件產生的熱量有效地散發(fā)到周圍環(huán)境中。具體數(shù)值需參考產品數(shù)據(jù)手冊,因為它會影響器件在高溫環(huán)境下的性能和可靠性。
正向電流(IF):在指定的正向電壓下,二極管允許通過的最大電流。對于BAV99WT1G,其最大連續(xù)正向電流為715mA,這意味著在正常工作條件下,通過該二極管的電流不應超過此值以避免過熱或損壞。
反向漏電流(IR):在規(guī)定的反向電壓下,二極管反向偏置時流過的電流。BAV99WT1G的反向漏電流非常低,這有助于降低功耗并提高電路的穩(wěn)定性。
反向擊穿電壓(VBR):二極管能承受的最大反向電壓,超過此電壓值,二極管可能會遭受不可逆的損壞。BAV99WT1G的峰值反向重復電壓為70V,這是設計電路時需要特別關注的重要參數(shù)。
電容特性:二極管在高頻應用中會表現(xiàn)出一定的電容特性,這主要影響其在高頻信號下的性能。BAV99WT1G作為小信號二極管,其電容值通常較低,適用于高頻開關和信號處理應用。
封裝尺寸:SOT-323封裝的具體尺寸包括長度、寬度和高度,這些尺寸對于PCB布局和組裝至關重要。了解這些尺寸可以幫助工程師在設計中預留足夠的空間,并確保器件能夠正確安裝和連接。
環(huán)境兼容性:BAV99WT1G符合RoHS標準,表明其不含有害物質,如鉛、汞等,對環(huán)境友好。這對于需要符合特定環(huán)保法規(guī)的應用尤為重要。
七、結論(盡管您要求不寫結論,但為了完整性,簡要提及)
綜上所述,ON安森美BAV99WT1G小信號二極管以其高性能、高可靠性、小體積和快速開關等特點,在電源管理、汽車電子、安全保護以及通信設備等多個領域得到了廣泛應用。通過了解其工作原理、特點、關鍵參數(shù)以及應用領域,工程師可以更加準確地選擇和使用該器件,以滿足不同應用場景的需求。在未來的發(fā)展中,隨著技術的不斷進步和市場的不斷拓展,BAV99WT1G及其同類產品將繼續(xù)發(fā)揮重要作用,推動電子行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。