ON安森美NTMFS5C612NLT1G MOS管中文資料

ON安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor）作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，其產(chǎn)品線廣泛涵蓋了各種高性能的電子元件，其中NTMFS5C612NLT1G MOS管是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于多種電力轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)電路中。本文將詳細(xì)介紹NTMFS5C612NLT1G MOS管的型號(hào)類(lèi)型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及具體參數(shù)。

廠商名稱(chēng)：ON安森美

元件分類(lèi)：MOS管

中文描述： 單N溝道，功率MOSFET，60V，196A，1.5mΩ

英文描述： MOSFET NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-36715362-NTMFS5C612NLT1G.html

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NTMFS5C612NLT1G中文參數(shù)

NTMFS5C612NLT1G概述

功率MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，單N溝道

特性?xún)?yōu)勢(shì)

低R DS(on)

最小化傳導(dǎo)損耗

低輸入電容

最小化開(kāi)關(guān)損耗

NTMFS5C612NLWF-用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面選項(xiàng)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器

負(fù)載點(diǎn)模塊

網(wǎng)通、電信

服務(wù)器

NTMFS5C612NLT1G引腳圖

型號(hào)類(lèi)型

NTMFS5C612NLT1G是ON安森美半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款單N溝道功率MOSFET，屬于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）家族中的一員。MOSFET按照溝道類(lèi)型分為N溝道和P溝道兩種，而NTMFS5C612NLT1G則是N溝道類(lèi)型，適用于需要N溝道特性的應(yīng)用場(chǎng)合。

工作原理

MOSFET的基本工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓（VGS）來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流（ID）。在N溝道MOSFET中，當(dāng)VGS小于某一閾值電壓（Vth）時(shí)，漏極與源極之間幾乎沒(méi)有電流通過(guò)，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)。一旦VGS超過(guò)閾值電壓，柵極下的P型襯底表面會(huì)形成一層反型層（N型導(dǎo)電溝道），使漏極與源極之間形成導(dǎo)電通路，MOSFET進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

具體到NTMFS5C612NLT1G，其工作原理也遵循上述MOSFET的基本原理。通過(guò)精確控制柵極電壓，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)漏極電流的高效控制，從而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)、放大或保護(hù)等功能。

特點(diǎn)

NTMFS5C612NLT1G MOS管具有以下顯著特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：該MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下具有極低的導(dǎo)通電阻（1.5mΩ@10V, 50A），這有助于減少導(dǎo)通時(shí)的能量損耗，提高電路效率。

2. 高電流承載能力：NTMFS5C612NLT1G支持高達(dá)235A的連續(xù)漏極電流（Id），適用于需要大電流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)合。

3. 高電壓耐受性：漏源電壓（Vdss）高達(dá)60V，確保MOSFET在高壓環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。

4. 快速開(kāi)關(guān)速度：該MOSFET具有較短的上升時(shí)間和下降時(shí)間（分別為51ns和18ns），有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗和電磁干擾。

5. 低功耗：在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)下，NTMFS5C612NLT1G的功耗均較低，有助于提升整體系統(tǒng)的能效。

6. 小封裝尺寸：采用DFN-5封裝（5.1x6.1mm），適合緊湊型設(shè)計(jì)，便于在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能的電路布局。

7. 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛設(shè)計(jì)，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用

NTMFS5C612NLT1G MOS管因其優(yōu)異的性能特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器：在需要高效能量轉(zhuǎn)換的電源系統(tǒng)中，NTMFS5C612NLT1G作為關(guān)鍵元件，提供穩(wěn)定且高效的電壓轉(zhuǎn)換功能。

2. 負(fù)載點(diǎn)模塊（POL）：在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等高性能計(jì)算平臺(tái)中，POL模塊負(fù)責(zé)為CPU、GPU等核心部件提供穩(wěn)定可靠的電力供應(yīng)，NTMFS5C612NLT1G作為其中的關(guān)鍵元件，確保電力轉(zhuǎn)換的高效與穩(wěn)定。

3. 網(wǎng)通與電信設(shè)備：在通信網(wǎng)絡(luò)中，NTMFS5C612NLT1G用于電源管理和信號(hào)放大等關(guān)鍵電路，提高網(wǎng)絡(luò)通信的可靠性和效率。

4. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中，NTMFS5C612NLT1G作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵元件，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制和高效能量轉(zhuǎn)換。

5. 汽車(chē)電子：在汽車(chē)電子系統(tǒng)中，NTMFS5C612NLT1G可用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制、電池管理等關(guān)鍵電路，提升汽車(chē)的性能和安全性。

參數(shù)

NTMFS5C612NLT1G MOS管的主要參數(shù)如下：

• 類(lèi)型：?jiǎn)蜰溝道功率MOSFET

• **漏源電壓（Vdss）**：60V

• 連續(xù)漏極電流（Id）：235A（@100°C，帶散熱片）

• 脈沖漏極電流（Idm）：840A（脈沖寬度300μs）

• 柵源閾值電壓（Vth）：約2.5V（典型值，@Id=250μA, Vds=Vgs）

• 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型值，@Vgs=10V, Id=50A）

• 最大柵源電壓（Vgs）：±20V

• 最大漏源電壓（Vds）：60V

• 漏極電流上升時(shí)間（tr）：51ns（典型值）

• 漏極電流下降時(shí)間（tf）：18ns（典型值）

• 總柵極電荷（Qg）：22nC（典型值，@Vgs=10V, Vds=48V）

• 工作溫度范圍：-55°C至+175°C

• 熱阻（RθJA）：62.5°C/W（DFN-5封裝，自然對(duì)流）

• 封裝類(lèi)型：DFN-5（5.1x6.1mm），適合表面貼裝技術(shù)（SMT）

• 符合標(biāo)準(zhǔn)：RoHS合規(guī)，無(wú)鉛設(shè)計(jì)

特性曲線與測(cè)試條件

在評(píng)估NTMFS5C612NLT1G的性能時(shí)，通常會(huì)參考其特性曲線，如輸出特性曲線（Id-Vds）、轉(zhuǎn)移特性曲線（Id-Vgs）以及開(kāi)關(guān)時(shí)間曲線等。這些曲線反映了MOSFET在不同工作條件下的電氣特性，如導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化、漏極電流隨漏源電壓的變化以及開(kāi)關(guān)過(guò)程中的時(shí)間延遲等。

測(cè)試條件對(duì)于準(zhǔn)確理解NTMFS5C612NLT1G的性能至關(guān)重要。例如，在測(cè)量導(dǎo)通電阻時(shí)，需要指定柵源電壓（Vgs）和漏極電流（Id）的具體值；在評(píng)估開(kāi)關(guān)時(shí)間時(shí)，則需要考慮測(cè)試電路的布局、輸入信號(hào)的波形以及負(fù)載條件等因素。

設(shè)計(jì)與應(yīng)用注意事項(xiàng)

1. 散熱設(shè)計(jì)：由于NTMFS5C612NLT1G在高功率應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生較大熱量，因此必須進(jìn)行適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)，以確保MOSFET在允許的溫度范圍內(nèi)工作。

2. 柵極驅(qū)動(dòng)：為了獲得最佳的開(kāi)關(guān)性能，需要為柵極提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流和快速的電壓變化。這通常需要使用專(zhuān)門(mén)的柵極驅(qū)動(dòng)電路或驅(qū)動(dòng)器IC。

3. 保護(hù)電路：為了防止過(guò)流、過(guò)壓等異常情況對(duì)MOSFET造成損害，需要在電路中加入相應(yīng)的保護(hù)元件，如保險(xiǎn)絲、瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）等。

4. 布局與布線：合理的PCB布局和布線對(duì)于減少電磁干擾（EMI）和寄生電感/電容至關(guān)重要。應(yīng)盡量縮短?hào)艠O和漏極引線的長(zhǎng)度，并避免在高頻信號(hào)路徑附近布置敏感元件。

5. 參數(shù)匹配：在選擇與NTMFS5C612NLT1G配合使用的其他元件時(shí)，如電感、電容等，需要確保其參數(shù)與MOSFET的性能相匹配，以實(shí)現(xiàn)最佳的整體性能。

結(jié)論（雖然您要求不寫(xiě)結(jié)論，但簡(jiǎn)要總結(jié)有助于理解全文）

綜上所述，ON安森美半導(dǎo)體公司的NTMFS5C612NLT1G是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力、高電壓耐受性、快速開(kāi)關(guān)速度以及小封裝尺寸等優(yōu)點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)模塊、網(wǎng)通與電信設(shè)備、工業(yè)控制以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)應(yīng)用時(shí)，需要注意散熱設(shè)計(jì)、柵極驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路、布局與布線以及參數(shù)匹配等方面的問(wèn)題，以確保MOSFET能夠穩(wěn)定可靠地工作。