Infineon IRLML2402TRPBF MOS管中文資料

一、型號(hào)類(lèi)型

IRLML2402TRPBF 是 Infineon 公司生產(chǎn)的一種 N 溝道功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。MOSFET 是一種常用于電子設(shè)備的半導(dǎo)體器件，因其高效能、高輸入阻抗和低功耗特性，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。

廠商名稱(chēng)：Infineon

元件分類(lèi)：MOS管

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET，N通道，20 V，1.2 A，0.25 ohm，SOT-23，表面安裝

英文描述： N-Channel MOSFET，1.2 A，20 V HEXFET，3-Pin SOT-23 Infineon

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-24423558-IRLML2402TRPBF.html

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IRLML2402TRPBF概述

IRLML2402PBF是一款N溝道HEXFET?功率MOSFET，開(kāi)關(guān)損耗更低，可靠性更高。Infineon利用先進(jìn)的加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單位硅面積的極低導(dǎo)通電阻。這一優(yōu)點(diǎn)與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開(kāi)關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)者提供了用于各種應(yīng)用的極其高效和可靠的器件。

業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列

MSL1，消費(fèi)產(chǎn)品認(rèn)證

低輪廓(<1.1mm)

快速開(kāi)關(guān)速度

超低導(dǎo)通電阻

IRLML2402TRPBF中文參數(shù)

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SOT-23-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:250 mOhms

Vgs-柵極-源極電壓:-12 V，+12 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Qg-柵極電荷:2.6 nC

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+150 C

Pd-功率耗散:540 mW

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:4.8 ns

正向跨導(dǎo)-最小值:1.3 S

IRLML2402TRPBF引腳圖

二、工作原理

MOSFET 的基本工作原理是通過(guò)柵極（Gate）電壓來(lái)控制源極（Source）和漏極（Drain）之間的電流流動(dòng)。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓（V_th）時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體材料中形成一個(gè)導(dǎo)電通道，從而允許電流從漏極流向源極。

IRLML2402TRPBF 作為一個(gè)增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET，當(dāng)柵極電壓為正時(shí)，電子被吸引到柵極氧化層下方的溝道區(qū)域，形成一個(gè) n 型導(dǎo)電通道，允許電流從漏極流向源極。此時(shí)，MOSFET 處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，導(dǎo)電通道消失，MOSFET 處于截止?fàn)顟B(tài)，漏源間沒(méi)有電流流過(guò)。

三、特點(diǎn)

IRLML2402TRPBF 具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：其典型值為0.08Ω，意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，漏源之間的電阻非常低，從而減少了功率損耗和發(fā)熱。

2. 高速開(kāi)關(guān)性能：由于其低柵極電荷（Qg）和低延遲時(shí)間，IRLML2402TRPBF 可以在高頻率下快速切換，適用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

3. 低柵極驅(qū)動(dòng)電壓：其柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍較寬，通常為2.5V至12V，方便與低電壓邏輯電路兼容。

4. 增強(qiáng)型設(shè)計(jì)：該 MOSFET 設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型，意味著在柵極電壓為0V時(shí)，器件處于關(guān)閉狀態(tài)，具有更好的控制能力。

四、應(yīng)用

IRLML2402TRPBF 由于其高效能和低功耗特性，被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：用于提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少電能損耗。

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制電路中作為開(kāi)關(guān)元件，控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。

3. 電源管理：用于各種便攜式電子設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)的電源管理電路，優(yōu)化電源分配和節(jié)能。

4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)：在各種電子設(shè)備中用作負(fù)載開(kāi)關(guān)，控制電路的通斷。

5. 邏輯電平轉(zhuǎn)換：在不同電壓邏輯電路之間進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，確保電路正常工作。

五、參數(shù)

以下是 IRLML2402TRPBF 的主要技術(shù)參數(shù)：

這些參數(shù)反映了 IRLML2402TRPBF 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，可以幫助工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)做出正確的選擇和判斷。

六、詳細(xì)分析

1. 低導(dǎo)通電阻：低導(dǎo)通電阻是 MOSFET 的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。IRLML2402TRPBF 的 R_DS(on) 值為 0.08Ω，意味著在器件導(dǎo)通時(shí)，電流通過(guò)的阻力非常小，從而減少了電能損耗和發(fā)熱。這對(duì)于要求高效能的應(yīng)用如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理電路尤其重要。

2. 高速開(kāi)關(guān)性能：該 MOSFET 具備較低的柵極電荷（Qg），在典型條件下為 6.6nC，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。這使得 IRLML2402TRPBF 能夠在高頻率的電路中工作，例如開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，提高整體系統(tǒng)的效率。

3. 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍：IRLML2402TRPBF 支持 2.5V 至 12V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍，使其可以與多種邏輯電平兼容，特別是在低電壓邏輯電路中應(yīng)用時(shí)，非常便利。

七、應(yīng)用實(shí)例

1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用：在降壓轉(zhuǎn)換器中，IRLML2402TRPBF 可以作為高效開(kāi)關(guān)元件，通過(guò)高速切換來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓，從而提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：在電機(jī)控制電路中，IRLML2402TRPBF 通過(guò)其快速開(kāi)關(guān)能力，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)啟停和速度的精準(zhǔn)控制，提升整體電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能。

3. 便攜設(shè)備中的電源管理：在智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中，IRLML2402TRPBF 作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或電源管理器件，能夠優(yōu)化電源分配，延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命。

4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換器：在不同電壓邏輯電路之間進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換時(shí)，IRLML2402TRPBF 通過(guò)其低柵極驅(qū)動(dòng)電壓特性，實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的電平轉(zhuǎn)換，確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。

IRLML2402TRPBF 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET，因其低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)性能和寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍，被廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理和邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。其優(yōu)異的性能和可靠性，使其在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中占據(jù)了重要地位。