ON安森美DTC144EET1G NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT)中文資料


安森美DTC144EET1G NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT)
安森美(ON Semiconductor)生產(chǎn)的DTC144EET1G是一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(Digital Bias Resistor Transistor,簡稱BRT)。這類晶體管在其內(nèi)部集成了兩個電阻,一個是基極電阻,一個是基極-發(fā)射極電阻。這種結(jié)構(gòu)的設(shè)計簡化了外部電路,減少了元件數(shù)量和設(shè)計復(fù)雜性。
DTC系列是安森美的一個重要產(chǎn)品線,其中包括多個不同型號的BRT,除了DTC144EET1G之外,還有DTC114E、DTC124E等。不同型號之間的主要區(qū)別在于其內(nèi)部電阻值的不同,用戶可以根據(jù)具體的電路需求選擇適合的型號。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:晶體管
中文描述: 晶體管,雙極預(yù)偏置/數(shù)字,BRT,單路NPN,50 V,100 mA,47 kohm,47 kohm
英文描述: NPN Bipolar Digital Transistor(BRT),SC-75(SOT-416)3 LEAD,3000-REEL
數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k02-24039002-DTC144EET1G.html
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DTC144EET1G概述
DTC144EET1G是一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT),旨在替代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。BRT包含一個帶有單片偏置網(wǎng)絡(luò)的晶體管,該網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻組成,一個串聯(lián)基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻。BRT通過將單個組件集成到單個設(shè)備中來消除單個組件。
簡化電路設(shè)計
減少電路板空間
減少組件數(shù)量
無鹵素
AEC-Q101合格和PPAP能力
應(yīng)用
工業(yè),電源管理,車用
DTC144EET1G中文參數(shù)
數(shù)字晶體管極性:單路NPN
集電極發(fā)射電壓,Vceo:50V
集電極連續(xù)電流:100毫安
基極輸入電阻R1:47kohm
電阻,基極-發(fā)射極,R2:47kohm
電阻比R1/R2:-
射頻晶體管封裝:SC-75
晶體管安裝:表面安裝
引腳數(shù):3引腳
產(chǎn)品范圍:DTC144E
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):AEC-Q101
DTC144EET1G引腳圖
工作原理
DTC144EET1G的工作原理基于NPN雙極型晶體管的基本工作特性。NPN晶體管由三個區(qū)域構(gòu)成:發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)。在DTC144EET1G中,基極電阻(R1)和基極-發(fā)射極電阻(R2)的集成使得輸入信號可以直接施加到基極,而不需要額外的外部偏置電阻。具體工作原理如下:
導(dǎo)通狀態(tài):當(dāng)基極-發(fā)射極電壓(V_BE)超過晶體管的導(dǎo)通電壓(一般約為0.7V),晶體管進入導(dǎo)通狀態(tài),集電極電流(I_C)開始流動。這時,發(fā)射極和集電極之間形成低阻抗路徑,允許電流通過。
截止?fàn)顟B(tài):當(dāng)基極-發(fā)射極電壓低于導(dǎo)通電壓,晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),集電極電流幾乎為零,發(fā)射極和集電極之間為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
放大狀態(tài):在放大狀態(tài)下,基極電流(I_B)的微小變化會引起集電極電流(I_C)的大幅變化,實現(xiàn)電流放大。集成的基極電阻(R1)限制了基極電流,從而保護晶體管,避免過大的電流損壞器件。
特點
DTC144EET1G具有以下特點:
內(nèi)置偏置電阻:內(nèi)置的基極電阻(R1)和基極-發(fā)射極電阻(R2)簡化了電路設(shè)計,減少了外部元件數(shù)量。
小型封裝:采用小型SOT-23封裝,適合高密度電路板設(shè)計。
低功耗:由于內(nèi)置電阻的存在,晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下的功耗極低,非常適合低功耗應(yīng)用。
高可靠性:集成電阻減少了外部連接點,從而提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。
通用性強:適用于各種數(shù)字電路和開關(guān)電路,具有廣泛的應(yīng)用前景。
應(yīng)用
DTC144EET1G廣泛應(yīng)用于各種電子電路中,尤其是在需要數(shù)字信號處理和開關(guān)功能的場合。具體應(yīng)用包括:
信號開關(guān):在數(shù)字電路中用作信號開關(guān),控制信號的通斷。
電平轉(zhuǎn)換:用于不同電壓電平之間的信號轉(zhuǎn)換,適用于混合電壓系統(tǒng)。
緩沖器:用作緩沖器,以隔離前后級電路,防止信號干擾。
LED驅(qū)動:用于驅(qū)動LED燈,控制其開關(guān)和亮度。
保護電路:在電源和負載之間提供過流保護,防止電路損壞。
參數(shù)
DTC144EET1G的主要技術(shù)參數(shù)如下:
集電極-基極電壓(V_CBO):50V
集電極-發(fā)射極電壓(V_CEO):50V
發(fā)射極-基極電壓(V_EBO):5V
集電極電流(I_C):100mA
集電極功耗(P_C):200mW
基極電阻(R1):47kΩ
基極-發(fā)射極電阻(R2):47kΩ
集電極飽和電壓(V_CE(sat)):0.1V(典型值)
過渡頻率(f_T):250MHz
工作溫度范圍:-55℃至150℃
結(jié)論
綜上所述,DTC144EET1G作為一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管,具有內(nèi)置偏置電阻、小型封裝、低功耗和高可靠性等特點,廣泛應(yīng)用于信號開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換、緩沖器、LED驅(qū)動和保護電路等場合。其集成電阻的設(shè)計不僅簡化了電路設(shè)計,還提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。作為一種高效、可靠的電子元件,DTC144EET1G在現(xiàn)代電子設(shè)計中發(fā)揮著重要作用。
責(zé)任編輯:David
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