Infineon IRLZ44NPBF MOS管中文資料

IRLZ44NPBF屬于Infineon公司的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。N溝道MOSFET因其導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。IRLZ44NPBF是IRLZ44系列的一部分，這個(gè)系列還有其他類似型號，如IRLZ34N、IRLZ24N等，它們的參數(shù)和特性略有不同，但基本都保持了較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力。

廠商名稱：Infineon

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應(yīng)管, MOSFET, N通道, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, 通孔

英文描述： N-channel MOSFET，IRLZ44N 47A 55V

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-36709540-IRLZ44NPBF.html

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IRLZ44NPBF概述

IRLZ44NPBF是一款55V單N通道HEXFET?功率MOSFET，具有極低的單位硅面積導(dǎo)通電阻和使用先進(jìn)平面技術(shù)的快速開關(guān)性能。

175°C工作溫度

動態(tài)dV/dt額定值

完全雪崩額定

邏輯電平柵極驅(qū)動

應(yīng)用

電源管理

IRLZ44NPBF中文參數(shù)

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝/箱體:TO-220-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:55 V

Id-連續(xù)漏極電流:47 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:35 mOhms

Vgs-柵極-源極電壓:-16 V，+16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V

Qg-柵極電荷:48 nC

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+175 C

Pd-功率耗散:83 W

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

商標(biāo):Infineon/IR

配置:Single

高度:15.65 mm

長度:10 mm

IRLZ44NPBF引腳圖

工作原理

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流。對于IRLZ44NPBF這種N溝道MOSFET，當(dāng)柵極-源極電壓（V_GS）高于閾值電壓（V_th）時(shí)，MOSFET進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，漏極和源極之間形成電流通道，電流從漏極流向源極。當(dāng)V_GS低于V_th時(shí)，電流通道關(guān)閉，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。

具體而言，IRLZ44NPBF的柵極絕緣層是二氧化硅材料，具有高輸入阻抗。當(dāng)施加正的柵極電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體中的自由電子在柵極電場作用下移動，形成一個(gè)反型層，從而在源極和漏極之間形成導(dǎo)電通道。這個(gè)通道的電阻與V_GS相關(guān)，V_GS越高，導(dǎo)通電阻越低。

特點(diǎn)

IRLZ44NPBF具有以下主要特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻：典型值為22毫歐，確保在大電流下具有低功耗。

2. 高電流處理能力：最大連續(xù)漏極電流為47A，脈沖電流可達(dá)160A，適用于高功率應(yīng)用。

3. 快速開關(guān)速度：開關(guān)時(shí)間在納秒級，有助于提高電路的工作頻率和效率。

4. 低柵極驅(qū)動電壓：可以在較低的V_GS（通常為10V）下高效工作，兼容標(biāo)準(zhǔn)的邏輯電平控制。

5. 增強(qiáng)型設(shè)計(jì)：確保在常規(guī)工作條件下不導(dǎo)通，提高了電路的安全性和穩(wěn)定性。

應(yīng)用

IRLZ44NPBF的應(yīng)用范圍非常廣泛，主要包括以下幾個(gè)方面：

1. 電源管理：在DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源中用作開關(guān)元件，提高轉(zhuǎn)換效率。

2. 電機(jī)控制：在電動車、無人機(jī)等設(shè)備中，用于控制電機(jī)的驅(qū)動。

3. 音頻放大器：在大功率音頻放大器中用作輸出級器件，提供穩(wěn)定的電流輸出。

4. 電池管理：在電池充電器和管理系統(tǒng)中，確保安全高效的電池充放電。

5. 工業(yè)控制：在自動化設(shè)備和機(jī)器人中，提供高效的電源開關(guān)和控制功能。

參數(shù)

IRLZ44NPBF的關(guān)鍵參數(shù)如下：

1. 最大漏極-源極電壓（V_DS）：55V

2. 最大柵極-源極電壓（V_GS）：±20V

3. 連續(xù)漏極電流（I_D）：47A（在25°C環(huán)境溫度下）

4. 脈沖漏極電流（I_DM）：160A

5. 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：典型值為22毫歐（在V_GS=10V時(shí)）

6. 總柵極電荷（Q_G）：67nC（在V_GS=10V，V_DS=44V時(shí)）

7. 柵極閾值電壓（V_GS(th)）：1V至2V

8. 輸入電容（C_iss）：約1700pF（在V_DS=25V，V_GS=0V時(shí)）

9. 反向傳輸電容（C_rss）：約160pF（在V_DS=25V，V_GS=0V時(shí)）

10. 輸出電容（C_oss）：約460pF（在V_DS=25V，V_GS=0V時(shí)）

這些參數(shù)反映了IRLZ44NPBF的性能和應(yīng)用特性，確保其在各種工作條件下都能保持高效穩(wěn)定的工作狀態(tài)。

總結(jié)

IRLZ44NPBF是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)控制、音頻放大器、電池管理和工業(yè)控制等領(lǐng)域。通過了解其工作原理、特點(diǎn)和關(guān)鍵參數(shù)，可以更好地在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮其優(yōu)勢，提高電路的整體性能。