ON安森美1N5822RLG肖特基二極管中文資料

一、概述

1N5822RLG是由安森美（ON Semiconductor）公司生產(chǎn)的一款肖特基二極管。肖特基二極管因其快速恢復時間和低正向壓降在許多應(yīng)用中得到廣泛使用。1N5822RLG具有高效率和低功耗的優(yōu)點，適用于各種電源和功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：肖特基二極管

中文描述： 肖特基整流器，40V，3A，單，DO-201AD，2引腳，525 mV

英文描述： SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20，30，40 VOLTS

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-24423129-1N5822RLG.html

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1N5822RLG概述

1N5822RLG是一款采用環(huán)氧樹脂模制外殼的軸向引線肖特基勢壘整流器。該系列在大面積金屬硅功率二極管中采用肖特基勢壘原理。最先進的幾何結(jié)構(gòu)具有鉻阻擋金屬、具有氧化物鈍化和金屬重疊接觸的外延結(jié)構(gòu)。它非常適合用作低壓、高頻逆變器、續(xù)流二極管和極性保護二極管中的整流器。

極性帶表示的陰極

極低的VF

低功耗/高效率

低存儲電荷，多數(shù)載流子傳導

所有外表面耐腐蝕

應(yīng)用

電源管理，工業(yè)

1N5822RLG中文參數(shù)

制造商:onsemi

產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器

產(chǎn)品:Schottky Diodes

安裝風格:Through Hole

封裝/箱體:DO-201AD-2

配置:Single

技術(shù):Si

If-正向電流:3 A

Vrrm-重復反向電壓:40 V

Vf-正向電壓:950 mV

Ifsm-正向浪涌電流:80 A

Ir-反向電流:2 mA

最小工作溫度:-65 C

最大工作溫度:+125 C

1N5822RLG引腳圖

二、型號類型及其后綴含義

1N5822RLG型號的命名規(guī)則中，各部分具有特定含義：

• 1N5822：表示其為肖特基二極管，1N表示其為一個標準的二極管系列，5822則是具體型號。

• RLG：后綴部分“R”表示該器件具有反向電流保護特性，“L”表示其符合環(huán)保標準（如無鉛），“G”表示其封裝形式為通孔封裝。

三、工作原理

肖特基二極管的工作原理基于肖特基勢壘的形成。肖特基二極管是由金屬和半導體接觸形成的，它與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管不同，沒有PN結(jié)，而是通過金屬和N型半導體之間的接觸來形成一個低電勢壘。其主要原理如下：

1. 金屬-半導體接觸：當金屬和N型半導體接觸時，電子從半導體向金屬擴散，形成一個耗盡區(qū)。

2. 勢壘形成：由于電子的擴散，金屬一側(cè)形成了正電荷，半導體一側(cè)形成了負電荷，從而形成一個肖特基勢壘。

3. 導通狀態(tài)：當外加正向電壓時，電子可以很容易地越過肖特基勢壘，使二極管導通。

4. 反向阻斷：當外加反向電壓時，肖特基勢壘阻止了電子的流動，從而使二極管處于阻斷狀態(tài)。

四、特點

1N5822RLG肖特基二極管具有以下幾個顯著特點：

1. 低正向壓降：典型值為0.525V，使其在導通狀態(tài)下具有較低的功耗。

2. 快速恢復時間：由于沒有少子載流子的存儲效應(yīng)，肖特基二極管的恢復時間非常短，適合高頻應(yīng)用。

3. 高效率：由于低正向壓降和快速恢復時間，1N5822RLG在整流和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中效率較高。

4. 高溫穩(wěn)定性：能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，最大結(jié)溫可達150°C。

5. 高電流容量：平均正向電流可達3A，適用于大電流應(yīng)用。

五、應(yīng)用

1N5822RLG肖特基二極管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 開關(guān)電源（SMPS）：在開關(guān)電源中，1N5822RLG用于輸出整流，能有效減少功率損耗，提高效率。

2. 功率轉(zhuǎn)換器：在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，肖特基二極管用于高效能量傳輸。

3. 反向電壓保護：用于保護電路不受反向電壓的損害，確保電路穩(wěn)定運行。

4. 電池充電器：在電池充電器中，肖特基二極管用于整流和電流調(diào)節(jié)。

5. 太陽能電池板：在太陽能電池板系統(tǒng)中，用于防止電池板反向放電，提高系統(tǒng)效率。

六、參數(shù)

1N5822RLG的主要電氣參數(shù)如下：

1. 最大重復峰值反向電壓（VRRM）：40V

2. 最大平均正向電流（IF(AV)）：3A

3. 最大正向電流（IFSM）：80A（非重復，8.3ms單一半波正弦波）

4. 最大正向壓降（VF）：0.525V（IF = 3A時）

5. 反向漏電流（IR）：1mA（VR = 40V時）

6. 工作結(jié)溫范圍（TJ）：-55°C 至 +150°C

7. 儲存溫度范圍（Tstg）：-55°C 至 +150°C

七、封裝形式

1N5822RLG提供以下幾種封裝形式：

1. DO-201AD：通孔封裝，適用于大電流應(yīng)用。

2. 表面貼裝封裝：適用于表面貼裝技術(shù)（SMT）應(yīng)用，有效節(jié)省電路板空間。

八、優(yōu)勢分析

1. 效率高：由于低正向壓降，1N5822RLG在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能顯著提高電路效率。

2. 高可靠性：適用于高溫高壓環(huán)境，穩(wěn)定性和可靠性高。

3. 多種封裝選擇：適應(yīng)不同應(yīng)用場景需求，提供靈活的設(shè)計方案。

通過以上詳細的介紹，可以看出1N5822RLG肖特基二極管在電源管理、整流和功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，其卓越的電氣性能和可靠性使其成為許多電子設(shè)計中的首選器件。