ONsemi 1N4149 開關(guān)二極管中文資料

1N4149 是 ON Semiconductor（ONsemi）生產(chǎn)的一款高效開關(guān)二極管，屬于小信號硅二極管家族。除了 1N4149 之外，該系列還包括以下常見型號：

• 1N4148：這是最常見的型號，性能與 1N4149 類似，但在一些特定參數(shù)上可能有細(xì)微差別。

• 1N4150：與 1N4149 類似，但在反向恢復(fù)時(shí)間上有所改進(jìn)，適用于更高頻率的應(yīng)用。

• 1N4448：具有更高的反向電壓和更快的開關(guān)速度，適用于更苛刻的條件。

每個(gè)型號在具體參數(shù)上會有一些差異，但它們都具有相似的特性和應(yīng)用領(lǐng)域，適用于高速開關(guān)、脈沖整形和混合信號處理等場合。

廠商名稱：ONsemi

元件分類：開關(guān)二極管

中文描述： 小信號二極管，單，100 V，500 mA，1 V，4 ns，4 A

英文描述： Small Signal Diode

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-36824652-1N4149.html

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1N4149概述

1N4149是一款2引腳高電導(dǎo)快速小信號二極管，可提供最佳質(zhì)量組合。它針對節(jié)能設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，并提供高反向電壓(200V)。該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。

500mW功耗

175°C工作結(jié)溫

1N4149中文參數(shù)

制造商:onsemi

產(chǎn)品種類:二極管-通用，功率，開關(guān)

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝/箱體:DO-35

峰值反向電壓:100 V

最大浪涌電流:4 A

If-正向電流:500 mA

配置:Single

恢復(fù)時(shí)間:4 ns

Vf-正向電壓:1 V

Ir-反向電流:0.025 uA

最小工作溫度:-65 C

最大工作溫度:+175 C

系列:1N4149

封裝:Bulk

商標(biāo):onsemi/Fairchild

高度:1.91 mm

長度:4.56 mm

1N4149引腳圖

工作原理

1N4149 開關(guān)二極管的工作原理與普通二極管類似，主要利用其在正向偏置時(shí)導(dǎo)通、反向偏置時(shí)截止的特性進(jìn)行開關(guān)控制。其工作過程如下：

1. 正向偏置：當(dāng)二極管的正極（陽極）電壓高于負(fù)極（陰極）電壓時(shí)，PN 結(jié)內(nèi)的勢壘電壓被克服，電子從 N 型區(qū)流向 P 型區(qū)，形成電流。此時(shí)，二極管導(dǎo)通，電阻很小，電流通過。

2. 反向偏置：當(dāng)二極管的正極電壓低于負(fù)極電壓時(shí)，PN 結(jié)的勢壘電壓增加，電子難以越過結(jié)區(qū)，二極管截止，幾乎沒有電流通過。

3. 反向恢復(fù)時(shí)間：當(dāng)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，存在一個(gè)過渡時(shí)間，這段時(shí)間內(nèi)少數(shù)載流子會從結(jié)區(qū)流過，稱為反向恢復(fù)時(shí)間。1N4149 的反向恢復(fù)時(shí)間很短，使其能夠快速響應(yīng)高頻信號。

特點(diǎn)

1N4149 具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：

1. 高速度：由于其短反向恢復(fù)時(shí)間（通常在4ns左右），1N4149 非常適合高速開關(guān)應(yīng)用。高頻響應(yīng)使其能夠在數(shù)百兆赫茲（MHz）的頻率范圍內(nèi)工作。

2. 低功耗：其正向電壓降通常在0.7V左右，正向電流在數(shù)毫安（mA）到數(shù)十毫安之間，能夠高效工作而不產(chǎn)生過多熱量。

3. 高可靠性：1N4149 采用硅材料，具有較高的穩(wěn)定性和可靠性，能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)工作，耐用性強(qiáng)。

4. 小型封裝：通常采用玻璃封裝或塑料封裝，體積小，適合于各種高密度電子電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

由于其優(yōu)異的性能，1N4149 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 開關(guān)電路：作為高效開關(guān)二極管，1N4149 常用于高速開關(guān)電路中，如脈沖和時(shí)鐘電路。

2. 脈沖整形：能夠快速響應(yīng)輸入信號，1N4149 用于脈沖整形電路中，確保輸出信號的波形精確。

3. 混合信號處理：在模擬和數(shù)字信號混合電路中，1N4149 用于信號選擇和隔離。

4. 保護(hù)電路：作為保護(hù)元件，1N4149 可用于防止過壓和反向電壓對敏感電路的損害。

5. 振蕩電路：在高頻振蕩電路中，1N4149 的高速響應(yīng)特性使其能夠穩(wěn)定工作。

參數(shù)

了解 1N4149 的關(guān)鍵參數(shù)對于其應(yīng)用和選型至關(guān)重要。以下是該二極管的一些主要參數(shù)：

1. 最大正向電流 (IF)：300mA。這個(gè)參數(shù)表示二極管在正向偏置下的最大允許電流。

2. 反向電壓 (VR)：100V。這個(gè)參數(shù)表示二極管在反向偏置下能夠承受的最大電壓。

3. 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：4ns。表示二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到截止?fàn)顟B(tài)的過渡時(shí)間。

4. 正向電壓降 (VF)：0.7V@10mA。表示二極管在正向電流為10mA時(shí)的電壓降。

5. 功耗 (PD)：500mW。表示二極管能夠承受的最大功耗。

6. 結(jié)溫 (Tj)：-65°C至+200°C。表示二極管能夠正常工作的溫度范圍。

詳細(xì)參數(shù)表

電氣特性圖

1N4149 的電氣特性圖包括其電流-電壓特性曲線（I-V 曲線）和反向恢復(fù)時(shí)間特性。以下是一些典型的特性圖描述：

1. I-V 特性曲線：在正向偏置時(shí)，隨著電壓增加，電流迅速增加；在反向偏置時(shí)，電流極小，表現(xiàn)為截止?fàn)顟B(tài)。

2. 反向恢復(fù)時(shí)間圖：顯示二極管從導(dǎo)通到截止的過渡過程，反映其高速開關(guān)能力。

熱特性

1N4149 的熱特性主要涉及其工作溫度范圍和功耗能力。在高溫環(huán)境下，二極管的性能可能會有所下降，因此需要注意其散熱設(shè)計(jì)。

封裝形式

1N4149 通常采用玻璃封裝或塑料封裝。玻璃封裝具有更好的密封性和耐環(huán)境性，而塑料封裝則更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。常見的封裝形式包括：

• DO-35：一種典型的軸向引線封裝形式，適用于通過孔安裝。

• SMD 封裝：表面貼裝封裝形式，如 SOD-123 和 SOD-323，更適合于高密度電路設(shè)計(jì)。

可靠性與壽命

1N4149 作為高可靠性的電子元件，具有較長的使用壽命。其可靠性主要取決于工作環(huán)境和使用條件。為了延長使用壽命，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：

1. 避免過載：確保工作電流和電壓在額定范圍內(nèi)，避免過載使用。

2. 良好的散熱設(shè)計(jì)：確保二極管周圍有良好的散熱條件，防止過熱。

3. 環(huán)境保護(hù)：在高濕度或腐蝕性環(huán)境中使用時(shí)，應(yīng)采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。

應(yīng)用案例

以下是 1N4149 在實(shí)際應(yīng)用中的一些具體案例：

1. 開關(guān)電源：在開關(guān)電源中，1N4149 用于高速整流和信號調(diào)節(jié)，保證電源的穩(wěn)定輸出。

2. 信號放大器：在高頻信號放大器中，1N4149 用于信號整形和隔離，提高放大器的性能。

3. 通訊設(shè)備：在無線通訊設(shè)備中，1N4149 用于信號調(diào)制和解調(diào)，確保信號的準(zhǔn)確傳輸。

4. 數(shù)字電路：在數(shù)字電路中，1N4149 用于邏輯電平轉(zhuǎn)換和信號隔離，防止干擾和錯(cuò)誤傳輸。

綜上所述，ONsemi 1N4149 開關(guān)二極管作為一種高效、可靠的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種高頻、高速電路中。其優(yōu)異的性能和多樣的應(yīng)用場景，使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要組件。