1. 型號簡介

2N7000-G 是一款常用的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管），它具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。該型號由多個(gè)廠家生產(chǎn)，如 Fairchild、ON Semiconductor 等。作為一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的基本器件，2N7000-G 在開關(guān)電源、信號放大、數(shù)字電路等方面有著廣泛的應(yīng)用。

廠商名稱：Microchip

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應(yīng)管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述： N-Channel 60 V 200mA(Tj)1W(Tc)Through Hole TO-92-3.

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-36639692-2N7000-G.html

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2N7000-G概述

60V，5歐姆，N通道，增強(qiáng)模式，垂直DMOS FET

無二次擊穿

低功率驅(qū)動(dòng)要求

易于并聯(lián)

低CISS和快速開關(guān)速度

優(yōu)異的熱穩(wěn)定性

一體化源-漏二極管

高輸入阻抗和高增益

2N7000-G中文參數(shù)

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝/箱體:TO-92-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:200 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms

Vgs-柵極-源極電壓:-20 V，+20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Qg-柵極電荷:-

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+150 C

Pd-功率耗散:400 mW

配置:Single

正向跨導(dǎo)-最小值:100 mmho

2N7000-G引腳圖

2. 工作原理

MOSFET 的工作原理基于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)。MOSFET 主要由源極、漏極、柵極和襯底組成。對于 N 溝道 MOSFET，當(dāng)在柵極施加一個(gè)正向電壓時(shí)，形成的電場會使 P 型基底中的電子在柵極和基底之間形成一個(gè)導(dǎo)電溝道。電流在源極和漏極之間流動(dòng)，通過調(diào)整柵極電壓，可以控制導(dǎo)電溝道的寬度，從而調(diào)節(jié)電流的大小。

2N7000-G 的導(dǎo)通狀態(tài)取決于柵極電壓，當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓（約2-3V）時(shí)，MOSFET 導(dǎo)通，漏源間電阻急劇下降，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)作用。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，MOSFET 處于關(guān)斷狀態(tài)，漏源間電阻很高，幾乎沒有電流通過。

3. 特點(diǎn)

2N7000-G 具有以下幾個(gè)主要特點(diǎn)：

• 低導(dǎo)通電阻：2N7000-G 的導(dǎo)通電阻通常在幾歐姆以下，這使得其在導(dǎo)通狀態(tài)下功耗較低。

• 高開關(guān)速度：由于其較低的柵極電容和較小的電荷量，2N7000-G 具有較快的開關(guān)速度，適合高速開關(guān)電路。

• 低柵極驅(qū)動(dòng)電流：柵極電容較小，使得驅(qū)動(dòng)電流較低，可以用低功耗的邏輯電路直接驅(qū)動(dòng)。

• 寬電壓范圍：該器件可在較寬的電壓范圍內(nèi)工作，適用于多種應(yīng)用場合。

• 成本低廉：作為一種標(biāo)準(zhǔn)器件，2N7000-G 的生產(chǎn)成本較低，市場供應(yīng)充足。

4. 應(yīng)用

2N7000-G 的應(yīng)用非常廣泛，主要包括以下幾個(gè)方面：

• 開關(guān)電路：利用其快速開關(guān)特性，2N7000-G 常用于各種開關(guān)電路，如脈寬調(diào)制（PWM）電路、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。

• 信號放大：在小信號放大器電路中，2N7000-G 可用于放大微弱信號，特別是在射頻和高頻信號處理電路中。

• 保護(hù)電路：由于其低導(dǎo)通電阻和高電流容量，2N7000-G 可用于保護(hù)電路，如過流保護(hù)、電壓鉗位等。

• 邏輯電平轉(zhuǎn)換：2N7000-G 可用于不同邏輯電平之間的轉(zhuǎn)換，如 3.3V 和 5V 邏輯電平之間的接口。

• 負(fù)載驅(qū)動(dòng)：可用于驅(qū)動(dòng)各種負(fù)載，如 LED、繼電器等。

5. 參數(shù)

2N7000-G 的主要參數(shù)如下：

• 最大漏源電壓（V_DS）：60V

• 最大柵源電壓（V_GS）：±20V

• 最大漏極電流（I_D）：200mA

• 最大耗散功率（P_D）：350mW

• 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：1.2Ω（V_GS = 10V 時(shí)）

• 閾值電壓（V_GS(th)）：2-3V

• 柵極電荷（Q_g）：2.5nC

• 跨導(dǎo)（g_fs）：0.32S

• 工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C

6. 型號類型

除了 2N7000-G 之外，還有一些常見的同類 MOSFET 型號，如：

• BS170：這是另一種常用的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，參數(shù)與 2N7000 類似，但導(dǎo)通電阻略低。

• IRLZ44N：這是一種低電壓大電流的 N 溝道 MOSFET，導(dǎo)通電阻更低，適用于高電流應(yīng)用。

• IRF540N：這是一種高壓大電流 MOSFET，適用于電源管理和大功率驅(qū)動(dòng)。

• 2N2222：雖然是 NPN 型三極管，但在一些應(yīng)用中可以替代 2N7000，如低功率開關(guān)電路。

7. 總結(jié)

2N7000-G 是一種高性價(jià)比、廣泛應(yīng)用的 N 溝道 MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低柵極驅(qū)動(dòng)電流等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。在了解其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用及參數(shù)之后，可以更好地在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中選擇和使用該器件。