ON安森美 2N7002LT1G MOS管中文資料

型號類型后綴解析

ON安森美（ON Semiconductor）的2N7002LT1G是一個N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），其主要特點在于高效能、低功耗和較低的導通電阻。其型號后綴中的"L"表示符合環(huán)保要求（無鉛），"T1"表示封裝類型和包裝方式（SOT-23封裝，帶有帶式包裝），"G"表示符合無鹵要求。以下是對型號后綴的具體解釋：

• 2N7002：N溝道MOSFET型號

• L：無鉛環(huán)保標準（Lead-Free）

• T1：SOT-23封裝和帶式包裝

• G：無鹵素標準（Green）

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： ON安森美,2N7002LT1G,晶體管,MOSFET,N溝道,115 mA,60 V,7.5 ohm,10 V,2.5 V

英文描述： N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5Ω,SOT-23(TO-236)3 LEAD,3000-REEL

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-24419171-2N7002LT1G.html

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2N7002LT1G中文參數(shù)

2N7002LT1G概述

2N7002LT1G是一款60V N溝道小信號MOSFET,功耗為300mW,連續(xù)漏極電流為115mA.

產(chǎn)品特性：

無鹵素/無BFR

±20VDC柵-源電壓

60VDC漏極至柵極電壓

417°C/W熱阻,結至環(huán)境

2N7002LT1G引腳圖

工作原理

2N7002LT1G MOSFET是一種N溝道增強型場效應晶體管。其工作原理基于通過電場控制導電溝道的開關特性。主要工作過程如下：

1. 柵極控制：MOSFET的柵極（Gate）通過絕緣層與源極（Source）和漏極（Drain）隔離。當柵極電壓（V_GS）超過一定閾值（V_th），電場在半導體材料內形成導電溝道。

2. 溝道導通：當V_GS超過閾值電壓時，源極和漏極之間形成導電溝道，允許電流從漏極流向源極。

3. 電流控制：通過調節(jié)柵極電壓，可以控制導電溝道的寬度，從而調節(jié)漏極電流（I_D）。

特點

2N7002LT1G MOSFET具有以下顯著特點：

1. 低導通電阻：R_DS(on)值低，典型值為1.2Ω，這意味著在導通狀態(tài)下?lián)p耗較小。

2. 高速開關：開關速度快，適用于高速信號處理和開關電路。

3. 低門極電流：由于MOSFET是電壓控制器件，門極電流極低，減少了驅動電路的功耗。

4. 小型封裝：SOT-23封裝體積小，適合高密度電路板設計。

5. 環(huán)保標準：符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

應用

2N7002LT1G MOSFET被廣泛應用于以下領域：

1. 開關電源：用于高效能DC-DC轉換器，提供高效電能轉換。

2. 信號放大：在音頻和射頻電路中作為放大器使用。

3. 電機驅動：用于小型電機的驅動電路，提供高效能和快速響應。

4. 邏輯電平轉換：在不同邏輯電平間進行轉換，適應不同系統(tǒng)的互聯(lián)。

5. 保護電路：用于過壓保護、電流限制和ESD保護電路。

參數(shù)

2N7002LT1G的關鍵參數(shù)如下：

• 漏源擊穿電壓（V_DS）：60V

• 柵極閾值電壓（V_GS(th)）：1-2.5V

• 最大漏極電流（I_D）：200mA

• 漏極電阻（R_DS(on)）：最大值2.5Ω（V_GS=10V時），典型值1.2Ω（V_GS=4.5V時）

• 最大功耗（P_D）：300mW

• 輸入電容（C_ISS）：典型值20pF

• 輸出電容（C_OSS）：典型值10pF

• 反向傳輸電容（C_RSS）：典型值5pF

• 熱阻（RθJA）：最大值556°C/W

特點和優(yōu)點詳解

1. 低導通電阻（R_DS(on)）： 低R_DS(on)值意味著導通時的電阻較小，能量損耗降低，效率提高。在V_GS=10V條件下，2N7002LT1G的R_DS(on)最大值為2.5Ω，而在V_GS=4.5V時，典型值為1.2Ω。這種低導通電阻使其非常適合用于開關電源和功率轉換電路。

2. 高速開關特性： 由于其低輸入電容和低導通電阻，2N7002LT1G能實現(xiàn)高速開關。這使其在高頻開關應用中表現(xiàn)出色，例如DC-DC轉換器和高頻信號處理電路。

3. 低門極驅動電流： 作為電壓控制器件，2N7002LT1G的門極電流非常低，這減少了驅動電路的復雜性和功耗。它的典型輸入電容為20pF，使得驅動電流需求極低。

4. 小型封裝（SOT-23）： SOT-23封裝不僅體積小，適合高密度電路板設計，而且熱阻（RθJA）較大，能有效散熱，保證器件的穩(wěn)定工作。

5. 環(huán)保合規(guī)： 符合RoHS和無鹵素標準，符合現(xiàn)代環(huán)保要求。這使得2N7002LT1G在環(huán)保法規(guī)嚴格的應用中仍能使用。

典型應用電路

1. 開關電源應用： 在DC-DC轉換器中，2N7002LT1G常用于主開關器件，通過高頻開關實現(xiàn)電壓轉換。其低R_DS(on)和高速開關特性保證了轉換效率和響應速度。

2. 信號放大器： 在音頻和射頻電路中，2N7002LT1G作為放大器元件使用，利用其線性區(qū)域特性放大輸入信號。其低電容和高速響應特性使其在高頻信號放大中表現(xiàn)良好。

3. 電機驅動： 適用于小功率電機的驅動電路中，2N7002LT1G提供高效能和快速響應。其低導通電阻和高電流處理能力保證了電機的高效驅動和控制。

4. 邏輯電平轉換： 在系統(tǒng)互聯(lián)中，不同邏輯電平之間的轉換是常見需求。2N7002LT1G通過柵極電壓的調節(jié)，實現(xiàn)從低電平到高電平的轉換，適應不同邏輯電平的通信。

5. 保護電路： 在電源管理和保護電路中，2N7002LT1G用于過壓保護、電流限制和ESD保護。其高速開關特性和低導通電阻，使其在保護電路中能快速響應和有效保護。

結論

通過對2N7002LT1G的詳細介紹，可以看出其作為N溝道增強型MOSFET，具有高效能、低功耗和多種應用場景的特點。其在現(xiàn)代電子電路中的應用廣泛，適合從開關電源到信號放大、從電機驅動到邏輯電平轉換等多種場合。其低導通電阻、高速開關特性、小型封裝和環(huán)保標準，使其成為電子設計工程師的優(yōu)選器件之一。