安森美MMBT5551LT1G NPN硅高壓晶體管中文資料

1. 型號類型

安森美半導體（ON Semiconductor）生產的MMBT5551LT1G是一款NPN硅高壓晶體管。NPN晶體管是一種使用n型半導體材料作為發(fā)射極和集電極，p型半導體材料作為基極的三極管。MMBT5551LT1G屬于小信號晶體管，適用于高電壓應用場合。該器件封裝為SOT-23，這是一個小型封裝形式，適合表面貼裝技術（SMT）的應用。

中文描述： 單晶體管，雙極，通用，NPN，160 V，225 mW，600 mA，80 hFE

英文描述： Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-24021174-MMBT5551LT1G.html

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MMBT5551LT1G中文參數(shù)

MMBT5551LT1G概述

MMBT5551LT1G是一款NPN硅高壓晶體管，設計用于獨特的場地與控制變化要求。該晶體管符合PPAP，并符合AEC-Q101要求。

無鹵素

帶S或NSV前綴的制造商部件號具有汽車資格。

應用

車用，工業(yè)

2. 工作原理

NPN晶體管的工作原理基于半導體的p-n結特性。MMBT5551LT1G作為NPN晶體管，由三個區(qū)域組成：發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C）。其工作原理可簡要描述如下：

1. 發(fā)射極-基極結（E-B結）：在發(fā)射極和基極之間存在一個p-n結。通過在該結上施加正向偏壓（發(fā)射極為負，基極為正），電子從n型發(fā)射極注入到p型基極。

2. 基極-集電極結（B-C結）：在基極和集電極之間存在一個反向偏置的p-n結（基極為負，集電極為正）。由于反向偏置，電子從基極迅速通過B-C結進入集電極。

3. 電流放大作用：大多數(shù)電子從發(fā)射極注入基極后，不會在基極區(qū)復合，而是直接通過基極-集電極結進入集電極。這形成了集電極電流（Ic）?；鶚O電流（Ib）只是發(fā)射極電流（Ie）的一小部分，而集電極電流主要由發(fā)射極電流貢獻。因此，NPN晶體管可以實現(xiàn)電流放大作用。

3. 特點

MMBT5551LT1G具備以下特點：

1. 高電壓承受能力：該晶體管的集電極-發(fā)射極擊穿電壓（Vceo）高達160V，適合高電壓應用場合。

2. 小型封裝：SOT-23封裝使得該器件適合空間受限的應用，并支持表面貼裝技術，提高了組裝效率。

3. 低飽和電壓：具有較低的飽和電壓特性，確保在開關狀態(tài)下的損耗較小，提高能效。

4. 快速開關速度：由于其小信號特性，MMBT5551LT1G具有快速的開關速度，適用于高頻應用。

4. 應用

MMBT5551LT1G主要應用于以下領域：

1. 開關電源：用于電源開關電路，提供高效率的電能轉換。

2. 電機驅動電路：在高壓電機控制電路中，用作驅動器件。

3. 信號放大：在高壓信號放大電路中，用作放大器件，適用于音頻和射頻信號放大。

4. 保護電路：在過壓保護電路中，用作保護元件，以防止電路中的過電壓損害其他元器件。

5. 參數(shù)

MMBT5551LT1G的主要參數(shù)如下：

1. 電氣參數(shù)：

• 集電極-發(fā)射極擊穿電壓（Vceo）：160V

• 集電極-基極擊穿電壓（Vcbo）：180V

• 發(fā)射極-基極擊穿電壓（Vebo）：6V

• 集電極電流（Ic）：600mA

• 基極電流（Ib）：50mA

2. 熱學參數(shù)：

• 功耗（Pd）：350mW

• 熱阻（RθJA）：357°C/W（在SOT-23封裝中）

3. 電流增益（hFE）：

• 在Ic = 10mA, Vce = 5V條件下：50到250

4. 飽和電壓：

• 集電極-發(fā)射極飽和電壓（Vce(sat)）：典型值0.25V（Ic = 10mA, Ib = 1mA）

5. 開關特性：

• 上升時間（tr）：典型值35ns

• 下降時間（tf）：典型值35ns

MMBT5551LT1G作為一種高壓NPN硅晶體管，以其高電壓承受能力、小型封裝、低飽和電壓和快速開關速度等特點，在開關電源、電機驅動、信號放大和保護電路等多種應用中發(fā)揮著重要作用。其主要參數(shù)顯示了該器件在高效能和高可靠性應用中的適用性，廣泛應用于需要高電壓和高頻操作的電子設備中。