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安森美BSS123 MOS管中文資料

來(lái)源:
2024-06-06
類(lèi)別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 3
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美(Fairchild Semiconductor)是一家知名的半導(dǎo)體制造商,其BSS123型號(hào)的MOS管在電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將對(duì)安森美BSS123 MOS管的型號(hào)類(lèi)型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和參數(shù)等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。

BSS123圖片

中文描述: 功率場(chǎng)效應(yīng)管,MOSFET,N溝道,100 V,170 mA,1.2 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS123中文參數(shù)

通道類(lèi)型N晶體管配置
最大連續(xù)漏極電流170 mA最大柵源電壓-20 V、+20 V
最大漏源電壓100 V每片芯片元件數(shù)目1
封裝類(lèi)型SOT-23晶體管材料Si
安裝類(lèi)型表面貼裝最低工作溫度-55 °C
引腳數(shù)目3高度0.94mm
最大漏源電阻值6 Ω寬度1.3mm
通道模式增強(qiáng)最高工作溫度+150 °C
最大柵閾值電壓2.8V長(zhǎng)度2.9mm
最大功率耗散225 mW


BSS123概述

BSS123為N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,SOT-23封裝.這一產(chǎn)品設(shè)計(jì)以最小化通導(dǎo)電阻,同時(shí)提供堅(jiān)固耐用,可靠并高速的開(kāi)關(guān)性能,因此BSS123適合低電壓,低電流應(yīng)用,如小型伺服電機(jī)控制,功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和其它開(kāi)關(guān)應(yīng)用.

漏極至源極電壓:100V

柵-源電壓:±20V

低通導(dǎo)電阻:1.2ohm,Vgs 10V

連續(xù)漏電流:170mA

最大功率耗散:360mW

工作結(jié)溫范圍:-55°C至150°C

應(yīng)用

電源管理,工業(yè),便攜式器材,消費(fèi)電子產(chǎn)品

一、型號(hào)類(lèi)型:

 安森美BSS123 MOS管是一種N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管,屬于低電阻、低壓降的場(chǎng)效應(yīng)管系列。該系列產(chǎn)品包括BSS123、BSS123L等型號(hào),具有不同的封裝和特性。

二、工作原理:

 BSS123 MOS管采用MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)結(jié)構(gòu),其主要構(gòu)成包括柵極、漏極和源極。當(dāng)施加正向偏壓于柵極時(shí),柵極和漏極之間形成電場(chǎng),使得漏極-源極通道導(dǎo)電。當(dāng)施加反向偏壓時(shí),柵極和漏極之間的電場(chǎng)被抑制,漏極-源極通道截?cái)?,電流無(wú)法通過(guò)。

三、特點(diǎn):

  1. 低電阻:BSS123 MOS管具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠提供較小的導(dǎo)通壓降,有效降低功耗。

  2. 高速開(kāi)關(guān)特性:由于MOS管的柵極電容較小,響應(yīng)速度快,適用于高頻率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

  3. 低壓控制:BSS123 MOS管在低電壓下即可實(shí)現(xiàn)可靠的開(kāi)關(guān)控制,適用于低電壓系統(tǒng)。

  4. 封裝多樣:產(chǎn)品提供多種封裝形式,包括SOT-23、SOT-323等,方便不同應(yīng)用場(chǎng)景的設(shè)計(jì)和安裝。

四、應(yīng)用:

  1. 電源管理:BSS123 MOS管可用于電源管理電路中的開(kāi)關(guān)控制,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、充放電管理等。

  2. 信號(hào)開(kāi)關(guān):在模擬和數(shù)字信號(hào)開(kāi)關(guān)電路中,BSS123 MOS管可實(shí)現(xiàn)快速的信號(hào)開(kāi)關(guān)和放大。

  3. LED驅(qū)動(dòng):作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵部件,BSS123 MOS管能夠有效控制LED的亮度和開(kāi)關(guān)。

  4. 低功耗應(yīng)用:由于其低導(dǎo)通電阻和低功耗特性,適用于需要長(zhǎng)時(shí)間待機(jī)和低功耗運(yùn)行的電路。

五、參數(shù):

  1. 最大漏極-源極電壓(Vdsmax):通常為30V。

  2. 最大柵極-源極電壓(Vgsmax):通常為±20V。

  3. 最大漏極電流(Idmax):通常為200mA。

  4. 導(dǎo)通電阻(Rds(on)):通常在幾歐姆至幾十歐姆之間,取決于工作條件和封裝形式。

  5. 開(kāi)關(guān)時(shí)間(tON、tOFF):通常在納秒級(jí)別,與工作頻率和負(fù)載特性相關(guān)。

結(jié)論: 通過(guò)本文的介紹,我們了解了安森美BSS123 MOS管的型號(hào)類(lèi)型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和參數(shù)等方面的詳細(xì)信息。這些信息有助于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)選擇合適的器件,并充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。

責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: 安森美 BSS123 MOS管

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