安森美2N7000 MOS管中文資料

安森美2N7000是一款N溝道增強型場效應晶體管（MOSFET），主要用于開關和放大電路。2N7000屬于低功率MOSFET，廣泛應用于各種電子電路中，尤其適合在電壓控制的開關和模擬信號放大應用中。2N7000的封裝形式主要為TO-92，但在某些情況下也可能采用SOT-23封裝。其主要特點是具有較低的導通電阻（R_DS(on)），開關速度快，驅動電壓低，適用于各種低電壓驅動應用。

除了2N7000外，安森美還生產其他型號的MOSFET，如N溝道增強型MOSFET 2N7002，其主要參數與2N7000相似，但通常采用SOT-23封裝，更適合表面貼裝技術（SMT）的應用。

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，N溝道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述： Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

2N7000中文參數

2N7000概述

2N7000是N溝道增強型場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS技術生產。這種非常高密度的工藝旨在最大限度地減少導通電阻，同時提供堅固、可靠和快速的開關性能。它可用于需要高達400mA DC的大多數應用，并可提供高達2A的脈沖電流。它還適用于低電壓、低電流應用，例如小型伺服電機控制、功率MOSFET柵極驅動器和其他開關應用。

壓控小信號開關

堅固可靠

工作原理

2N7000 MOSFET的工作原理基于場效應晶體管的基本操作原理。MOSFET通過柵極電壓控制源極和漏極之間的電流。對于N溝道增強型MOSFET，當柵極-源極電壓（V_GS）大于閾值電壓（V_th）時，溝道被“增強”，即溝道中的電子密度增加，從而允許電流從漏極流向源極。

具體工作原理如下：

1. 截止區(qū)（V_GS < V_th）： 當柵極-源極電壓小于閾值電壓時，MOSFET處于截止狀態(tài)，漏極和源極之間沒有導電溝道，漏極電流接近為零。

2. 線性區(qū)（V_GS > V_th 且 V_DS < (V_GS - V_th)）： 當柵極-源極電壓大于閾值電壓，并且漏源電壓（V_DS）小于柵極-源極電壓與閾值電壓之差時，MOSFET工作在線性區(qū)，漏極電流與V_DS成線性關系。

3. 飽和區(qū)（V_GS > V_th 且 V_DS ≥ (V_GS - V_th)）： 當柵極-源極電壓大于閾值電壓，且漏源電壓大于或等于柵極-源極電壓與閾值電壓之差時，MOSFET工作在飽和區(qū)，此時漏極電流主要由柵極電壓控制，與V_DS變化關系不大。

特點

2N7000 MOSFET具備以下幾個主要特點：

1. 低導通電阻（R_DS(on)）： 2N7000在開啟狀態(tài)下，漏源間的導通電阻較低，通常在幾歐姆范圍內。低導通電阻有助于減少功耗，提高電路效率。

2. 快速開關速度： 2N7000的開關速度快，能夠在短時間內實現從導通到截止或從截止到導通的狀態(tài)轉換，適用于高頻應用。

3. 低柵極驅動電壓： 2N7000的柵極驅動電壓較低，通常在1-2V左右即可開啟，適合低電壓邏輯電路的驅動要求。

4. 耐壓高： 2N7000的最大漏源電壓（V_DS）可達60V，能夠在較高電壓環(huán)境下工作。

5. 封裝小巧： TO-92和SOT-23封裝使得2N7000適合用于空間受限的應用中，便于設計緊湊的電路板布局。

應用

2N7000 MOSFET廣泛應用于各種電子電路中，以下是一些典型應用領域：

1. 開關電路： 利用其快速開關特性，2N7000常用于數字電路中的開關控制，如LED驅動、電機驅動、繼電器控制等。

2. 放大電路： 由于其良好的線性特性，2N7000適用于小信號放大電路，如音頻放大器、射頻放大器等。

3. 電源管理： 2N7000常用于DC-DC轉換器、穩(wěn)壓電源等電源管理電路中，用于開關調節(jié)和電壓轉換。

4. 邏輯電平轉換： 在混合電壓系統中，2N7000可以用來實現不同電壓邏輯電平之間的轉換。

5. 保護電路： 2N7000可以用于過壓保護和過流保護電路中，通過快速切斷電路來保護敏感元件。

參數

以下是2N7000 MOSFET的一些關鍵參數：

• 漏源電壓（V_DS）： 最大60V

• 柵源電壓（V_GS）： ±20V

• 連續(xù)漏極電流（I_D）： 最大200mA（TA = 25°C）

• 脈沖漏極電流（I_DM）： 最大500mA

• 導通電阻（R_DS(on)）： 最大5Ω（V_GS = 10V，I_D = 500mA）

• 閾值電壓（V_th）： 1V至3V

• 漏極-源極電容（C_DG）： 8pF（典型值）

• 源極-柵極電容（C_GS）： 20pF（典型值）

• 切換時間：

• 上升時間（t_r）：20ns（典型值）

• 下降時間（t_f）：20ns（典型值）

• 功耗（P_D）： 最大350mW（TA = 25°C）

結束語

總的來說，安森美2N7000 MOS管以其高效、可靠和多功能的特點，成為了各種電子電路中不可或缺的元件之一。無論是在開關電路、放大電路、電源管理還是保護電路中，2N7000都能發(fā)揮其出色的性能，滿足不同應用的需求。通過了解其工作原理、主要特點和應用領域，可以更好地在實際電路設計中發(fā)揮其優(yōu)勢，實現高效穩(wěn)定的電路功能。