1v開啟的低壓mos管型號


1v開啟的低壓mos管型號
要找到開啟電壓為1V左右的低壓MOS管,可以參考以下幾種型號:
SiSS52DN: 這個MOSFET的最大開啟電壓為1V,是一種N溝道MOSFET,能夠處理高達25A的漏電流,并且具有較低的導(dǎo)通電阻,非常適合低電壓應(yīng)用。
IRLML6344: 這是一個N溝道MOSFET,其門限電壓通常在1V左右。它能處理最大4.9A的漏電流,以其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度著稱,適用于各種低電壓應(yīng)用。
Si2302: 另一個N溝道MOSFET,門限電壓通常在1V左右。它能處理高達2.3A的漏電流,常用于電池供電設(shè)備,因其對門極驅(qū)動電壓要求較低。
在具體應(yīng)用中,建議查看這些MOSFET的詳細數(shù)據(jù)手冊,以確保它們滿足設(shè)計所需的所有參數(shù),如最大漏電流、導(dǎo)通電阻和門極電荷等 (Electrical and Computer Engineering) (Wikipedia) (Components101)。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。