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mos管做開(kāi)關(guān)時(shí)的接法
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mos管做開(kāi)關(guān)時(shí)的接法
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在開(kāi)關(guān)電路中的接法需要取決于所需的電路功能和性能?；旧希琈OSFET可以設(shè)置低側(cè)開(kāi)關(guān)或高側(cè)開(kāi)關(guān)。
低側(cè)開(kāi)關(guān)：MOSFET這種在負(fù)載和地之間插入。連接方式通常用于負(fù)載在地上的情況，如LED燈帶等。連接方法如下：
源極連接到地
負(fù)載到連接漏極
控制信號(hào)通過(guò)反饋控制MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)聯(lián)
高側(cè)開(kāi)關(guān)：MOSFET在負(fù)載和電源之間輸入。連接方式通常用于負(fù)載在電源上面的情況，如馬達(dá)控制等。連接方法如下：
源極連接到電源
負(fù)載到連接漏極
控制信號(hào)通過(guò)反饋控制MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)聯(lián)
在實(shí)際應(yīng)用中，還需要考慮MOSFET的額定電壓、電流和功率等參數(shù)，以保證其能夠穩(wěn)定可靠地工作。此外，還需要適當(dāng)?shù)碾娐繁Ｗo(hù)措施，以防止對(duì)MOSFET過(guò)電壓和過(guò)電流等情況造成損壞。
責(zé)任編輯：David
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