氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料，具有顯著特點和優(yōu)勢，在電力電子、射頻電子、光電子以及新能源汽車、充電設備、光伏發(fā)電等多個領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力和廣闊的市場前景。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)報告顯示，全球GaN功率器件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。我們已經(jīng)能在市面上看到各種氮化鎵快充頭。
根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)報告顯示，以2022年的營收排名，PI以20%的市占率排名第一，其次為Navitas（17%）、英諾賽科（16%）、EPC（15%）、GaN Systems（12%）、Transphorm（9%）等。英飛凌收購GaN Systems后，兩者市場份額可提升至15%，可與EPC并列第四。
氮化鎵技術已逐步向光伏、汽車、數(shù)據(jù)中心等應用場景延伸。上期我們盤點了第三代半導體碳化硅：《
58家碳化硅主要玩家及產(chǎn)品
》，本期我們盤點氮化鎵的主要玩家及產(chǎn)品。
MACOM的MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，以高性能硅基氮化鎵實現(xiàn)225 - 2600 MHz極寬頻帶、10W連續(xù)波輸出功率、高達40%的典型功率附加效率 (PAE)、22dB典型功率增益，以及高達36V的工作電壓（典型值28V）。采用帶有集成鍍金銅散熱器的14x18 mm緊湊型氣穴層壓封裝，可以避免PA架構不匹配的情況，因此無需額外的組件和PCB空間。此外，其頂端和底端安裝可配置性有助于提升PA模塊的安裝靈活性和散熱敏捷性。該寬帶PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安裝可配置性，為無線電設備提供前所未有的設計靈活性，以實現(xiàn)嚴格尺寸、重量和功率 (SWaP) 規(guī)格之間的平衡。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術通信和電子對抗 (ECM) 領域。2023年MACOM收購了Wolfspeed的射頻業(yè)務（包括GaN業(yè)務），還收購了OMMIC。
Transphorm的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS，均采用硅基氮化鎵襯底技術，該技術將高壓氮化鎵場磁場效應管與低壓硅MOSFET集成在一起。兩款產(chǎn)品是采用4引腳TO-247封裝（TO-247-4L）的新型SuperGaN?器件，分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，分別配備一個開爾文源極端子，可為高功率服務器、可再生能源以及工業(yè)電力轉換領域提供更全面的開關功能。2024年Transphorm已被瑞薩電子收購。
GaN Systems提供當今市場上最全面的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品線，包括 650V 和 100V，工作電流范圍為 4A 至 150A的產(chǎn)品。為了滿足廣泛的功率水平、熱要求和 BoM 目標，GaN Systems 提供采用常見 PDFN 封裝和嵌入式封裝的晶體管，并提供頂部冷卻或者底部冷卻等不同形態(tài)的產(chǎn)品。為了滿足汽車市場的需求，GaN Systems 的產(chǎn)品組合包括符合AEC-Q 和 AutoQual+ 標準的產(chǎn)品。2023年GaN Systems已被英飛凌收購。
羅姆的650V GaN HEMT產(chǎn)品型號GNP1150TCA-Z，內置了ESD保護元件，使其靜電耐受能力比普通GaN HEMT提高了約75%，而這有助于提高應用產(chǎn)品的可靠性，從而被臺達應用到其Innergie品牌的45W輸出快速充電器C4 Duo中，提高了產(chǎn)品性能和可靠性的同時也實現(xiàn)了小型化。該產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
羅姆面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源，推出的集成650V GaN HEMT和柵極驅動器等于一體的Power Stage芯片BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB，通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%。
德州儀器的LMG3622是一款650V 120mΩ GaN功率FET，適用于開關模式電源應用。LMG3622通過在8mmx5.3mm QFN 封裝中集成功率 FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
德州儀器100V GaN功率轉換器LMG2100R044和LMG3100R017，得益于GaN技術的較高開關頻率，設計人員可以將中壓應用的電源解決方案尺寸縮小40%以上，并實現(xiàn)卓越的功率密度(高于1.5kW/in3)。與硅基解決方案相比，該全新功率轉換器件產(chǎn)品系列還將開關功耗降低了50%，并且在給定較低輸出電容和較低柵極驅動損耗的情況下實現(xiàn)98%或更高的輸出功率。例如，在光伏逆變器系統(tǒng)中，較高的密度和效率使得同一塊太陽能電池板能夠存儲和生成更多電能，同時可縮小整個微型逆變器系統(tǒng)的尺寸。
6、PI
PI面向汽車、家電及工業(yè)類應用推出的900V PowiGaN芯片——InnoSwitch-3系列的900V反激式開關芯片，InnoSwitch-3系列是一個高度集成的反激方案。該芯片在單一封裝當中同時集成了初級和次級電路，使用快速的數(shù)字隔離反饋方式–FluxLink?，空載功耗低于10mW，基于PowiGaN的芯片在整個負載范圍內的效率高達95%，在封閉式適配器應用當中無需散熱片即可實現(xiàn)高達100W的輸出功率。
宜普（EPC）的EPC2361，是一顆具有低1m?導通電阻的GaN（氮化鎵）FET。EPC2361采用緊湊的QFN封裝（3mm x 5mm），不僅節(jié)省了空間，還提高了系統(tǒng)的功率密度。其導通電阻低至1m?，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度翻倍，使得電源轉換效率大幅提升，降低了能耗和散熱問題。此外，EPC2361的RDS（on）最大值與面積乘積僅為15mΩ*mm2，相比傳統(tǒng)硅MOSFET，體積縮小超過五倍，實現(xiàn)了更高的集成度和更優(yōu)秀的性能，為DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能MPPT等應用提供了更高效、更可靠的電源解決方案。
EPC的EPC9159是一款48V/12V LLC轉換器，專為高密度48V服務器電源和DC-DC轉換器而設計。EPC9159封裝較小，僅為17.5 mm x 22.8 mm，而其功率為1kW，功率密度為5130 W/cm3。在初級電路和次級電路中采用開關頻率高的GaN功率開關，便可實現(xiàn)這一點。EPC9159設計中使用的電源拓撲基于LLC拓撲。應用的LLC由初級全橋、固定比率平面變壓器、次級中心同步整流器組成。初級全橋使用4個EPC2619，即額定電壓為80V的3.3mΩGaN晶體管，次級使用6個EPC2067，即額定電壓為40V的1.3mΩGaN晶體管。電流為25A時，EPC9159的功率級效率達到98%，電流為83A，電壓為12V時，其滿載效率達到96.2%。該設計非常適合人工智能和高級游戲等高密度計算應用。
EPC Space的EPC7009L16SH，一款抗輻射GaN柵極驅動器IC?；贓PC專有的eGaN IC技術構建，使設計工程師能夠釋放eGaN FET技術的真正潛力，eGaN晶體管正在成為太空領域需要更高開關頻率、功率和輻射硬度的應用的首選晶體管。EPC7009L16SH應用包括高速DC-DC轉換、電機驅動器、電源開關/執(zhí)行器和衛(wèi)星電氣系統(tǒng)。
意法半導體的EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1是兩款集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，這兩款新器件內置兩個連接成半橋的GaN HEMT晶體管，這種配置適合開發(fā)采用有源箝位反激式轉換器、有源箝位正激式轉換器或諧振式轉換器拓撲的開關式電源、適配器和充電器。EVLMG1LPBRDR1的導通電阻RDS(on)為150m?，額定電流為10A，適合最高功率500W的應用。空載功耗只有20mW，支持高轉換效率，使設計者能夠滿足行業(yè)嚴格的待機功耗和平均能效目標。EVLMG4LPWRBR1定位最高功率200W的應用，導通電阻RDS(on)為225m?，額定電流為6.5A。
意法半導體的VIPerGaN100和VIPerGaN65均采用5mm x 6mm QFN封裝，用于高達100W和65W功率的單開關準諧振（QR）反激式轉換器。每個器件都集成了一個脈寬調制（PWM）控制器和一個650V增強型GaN功率晶體管，并允許使用標準光耦合器進行副邊調節(jié)。該器件采用 5mm x 6mm QFN 封裝，小尺寸和高級集成可確保卓越的功率密度并節(jié)省物料清單 （BoM） 成本。寬帶隙晶體管技術提高了能效并簡化了熱管理。這種緊湊且高度集成的設計面向USB-PD充電器、家用電器、智能樓宇控制器、照明、空調、智能計量和其他工業(yè)應用的開關模式電源（SMPS）。
量芯微的1200V GaNFET GPIHV30DFN和GPIHV30SB5L，GPIHV30DFN采用的是8*8 DFN的內置引腳封裝，GPIHV30DDP5L采用的是TO263-5封裝。由于GPIHV30DFN采用的是DFN的封裝方式，為保證功率器件在高壓狀態(tài)下開關的可靠性，GaNPower將S-D爬電距離設置為2.8mm，保留了充足的安全距離。同時，GPIHV30DDP5L封裝采用了GaNPower獨特的專利設計，為器件加入了凱文接線和小型輸入電容，用以降低浪涌電壓。該系列芯片的額定擊穿為1200V，GaNPower為保證芯片工作的穩(wěn)定性，在芯片設計時提高了150V的電壓裕量，避免在工作過程中出現(xiàn)瞬態(tài)尖峰擊穿元件。同時，該系列芯片的導通電阻Rds為60Ω，并通過低導通電阻的方式降低系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)的轉換效率。該系列氮化鎵功率器件的開關速度比碳化硅功率器件快10倍，非常適用于構建電動汽車車載充電器和電機驅動的功率轉換器，從而提高電動汽車續(xù)航里程，減少碳排放。
VisIC的V22TG D3GAN，其采用了先進的鷗翼引線式頂部冷卻隔離封裝，導通電阻為22mΩ，可支持各種系統(tǒng)配置，包括器件并聯(lián)、全橋拓撲、半橋拓撲、功率因數(shù)校正（PFC）電路。V22TG D3GAN專為包括OBC、燃料電池、混合動力電動汽車在內的AEC-Q101標準汽車應用而設計，其電壓能力為650V，尺寸小巧，僅為19.7x13.6mm（包括引線）。它還適用于服務器電源、數(shù)據(jù)中心、太陽能逆變器和各類工業(yè)應用。
納微半導體（Navitas）的GaN功率IC將GaN功率FET、柵極驅動和保護功能集成在一起，以高速控制和保護GaN功率開關。納微半導體的NV6169是一款采用 GaNSense技術的650/800V大功率GaNFast芯片，可滿足400~1000W 4K/8K電視和顯示器、下一代游戲電競系統(tǒng)、500W太陽能微型逆變器、1.2kW數(shù)據(jù)中心SMPS和4kW電機驅動等高功率應用場景。2022年納微半導體收購了GeneSiC。
Cambridge GaN Devices （CGD）的CGD65A055S2是一款GaN晶體管。CGD的ICeGaN 650V H2系列是一種增強型（eMode）硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率晶體管，為了讓器件在效率上能夠得到進一步提升，器件內采用了包括創(chuàng)新性全集成 NL3電路，集成米勒鉗位的先進箝位結構等創(chuàng)新設計。相較于業(yè)界最佳的Si MOSFET，其QG降低了10倍，QOSS降低了5倍，在350W SMPS（開關電源）應用中，效率高達95%。H2系列降低功耗的手段還包括內部集成電流檢測功能，無需單獨電流檢測電阻器。另外，由于器件可直接焊接到接地平面的大面積覆銅區(qū)域，可以幫助優(yōu)化散熱和EMI，有助于實現(xiàn)更高的系統(tǒng)功率密度，適用于消費電子、工業(yè)電子、汽車電子，還是超大功率應用、可再生能源等領域。
安世的GAN041-650WSB是一款GaN FET，采用TO-247封裝，對于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩(wěn)定性和效率。級聯(lián)配置無需復雜的驅動電路，加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。該器件具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。另一款GAN039-650NBB采用CCPAK封裝，將導通電阻值進一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準，可滿足汽車應用的要求，同樣非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。
英諾賽科的150V GaN器件INN150FQ070A具備超低導通電阻，采用FCQFN封裝小體積封裝，在導通損耗和驅動損耗方面具備顯著優(yōu)勢，另一款650V GaN器件INN650TA030AH，采用 TOLL 封裝，又能實現(xiàn)良好的散熱效果。相比傳統(tǒng)Si方案，2kW 微逆體積減小約20%，功率器件損耗減小35%，顯著提升了系統(tǒng)性能和功率密度。適用于英諾賽科針對微型逆變器領域開發(fā)的2kW參考設計方案，功率密度達40W/in^3，幫助微型逆變器不斷突破設計和性能極限。
英諾賽科的60V增強型氮化鎵功率芯片INN060FQ043A，采用 FCQFN 3mm*4mm 封裝，導通電阻 4.3mΩ，在與40V InnoGaN芯片INN040FQ043A封裝尺寸及導通電阻保持一致的基礎上，將耐壓等級提升到60V，確保更大功率輸出，同時實現(xiàn)小體積，低損耗，高頻高效等優(yōu)勢。該款產(chǎn)品同樣滿足工業(yè)級可靠性要求，主要應用于高頻DC-DC轉換器、筆記本電腦充電器、移動電源等應用場景。
潤新微的RX65T300PS2H和RX65T300HS2A是兩款氮化鎵開關管，并使用同步整流，提高轉換效率。RX65T300PS2H是一顆Cascode級聯(lián)結構的氮化鎵開關管，器件耐壓為650V，導阻240mΩ，采用TO220封裝。RX65T300HS2A是一顆Cascode級聯(lián)結構的氮化鎵開關管，器件耐壓為650V，導阻240mΩ，采用DFN8*8封裝。RX65T300PS2H和RX65T300HS2A均支持20V柵極電壓，可兼容傳統(tǒng)控制器，簡化驅動電路，同時柵極耐壓有足夠的裕量應對開關過程中的電壓過沖等不利因素，避免造成器件的潛在損傷和失效。潤新微氮化鎵開關管具有DFN5*6，DFN8*8與TO220多種封裝形式，產(chǎn)品技術成熟，柵極驅動電壓安全區(qū)間大，應用簡單，并已通過JEDEC可靠性測試，產(chǎn)品滿足消費電子，工業(yè)電子和汽車電子應用需求。下圖是潤芯微采用RX65T300PS2H和RX65T300HS2A推出的一款雙管反激（QR Turbo）拓撲的氮化鎵開關電源DEMO方案。
潤新微是采用IDM模式，已與國內多家半導體功率器件及下游電源廠商展開深入合作，開發(fā)基于氮化鎵器件的新一代各類電源產(chǎn)品，包括新能源汽車車載充電機、數(shù)據(jù)中心服務器電源和高端電機驅動等。潤新微提供650V/900V多規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應用覆蓋幾十瓦到幾千瓦范圍。潤新微電子氮化鎵功率器件的特點是兼容標準MOS驅動，應用設計簡單，只需配合柵極電阻調節(jié)開關速度，引腳套磁珠抑制EMI干擾；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。
氮矽科技的DXC3065S2F最高支持500瓦LLC、AHB大功率快充應用，具有高效率、高功率密度和高可靠性的特點，可廣泛應用于電動汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心、太陽能逆變器等領域。
氮矽科技的DXC0765S2C是一款集成650V增強型氮化鎵晶體管及驅動器的合封氮化鎵芯片，耐壓650V，導阻400mΩ，最大漏源極電流7A，單極正電壓門極驅動電壓0V~6V，支持3.3V和5V控制信號，開關速度超10MHz，具有零反向恢復損耗。采用反激式的電路拓撲可支持20W < Po < 65W輸出功率的產(chǎn)品應用。
氮矽科技的DXC3510S2CA是一款驅動集成氮化鎵芯片，它具有許多出色的特性。這款芯片內部集成了一顆增強型低壓硅基氮化鎵和單通道高速驅動器，是一顆可承受100V耐壓，12mΩ 導阻，最大漏源極電流35A的增強型氮化鎵晶體管，具有零反向恢復損耗。采用DFN5×6封裝，占板面積小，無反向恢復電荷，并且導通電阻極低。為高功率密度應用提供超小型化的解決方案。
東科的DK8710Q是一款AHB半橋氮化鎵芯片，內置兩個開關管，在合封氮化鎵芯片高集成度高可靠性的基礎上，將能量充分利用，降低損耗，進一步提升充電器整體的轉換效率，降低溫升和散熱需求，讓充電器變得更加便攜。該芯片待機功耗低于50mW，能夠滿足嚴苛的能效要求，芯片支持寬范圍電壓輸出，極大簡化了大功率PD充電器設計。同時搭配PFC電路，輸出功率可以達到150W，能夠滿足現(xiàn)階段PD3.1快充，140W輸出功率的需求，是一款高集成，高可靠的解決方案。
納芯微的GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管，NSD2621的上管驅動采用隔離技術進行設計，共模瞬變抗擾度高達150V/ns，并且可以耐受700V的負壓，有效提升了系統(tǒng)的可靠性。
納芯微的集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，內部集成了半橋驅動器NSD2621和兩顆耐壓650V、導阻電阻150mΩ的GaN開關管，工作電流可達20A。NSG65N15K內部還集成了自舉二極管，并且內置可調死區(qū)時間、欠壓保護、過溫保護功能，可以用于圖騰柱PFC、ACF和LLC等半橋或全橋拓撲。NSG65N15K是9*9mm的QFN封裝，相比傳統(tǒng)分立方案的兩顆5*6mm DFN封裝的GaN開關管加上一顆4*4mm QFN封裝的高壓半橋驅動，加上外圍元件，總布板面積可以減小40%以上，從而有效提高電源的功率密度。同時，NSG65N15K的走線更方便PCB布局，有利于實現(xiàn)簡潔快速的方案設計。NSD2621和NSG65N15K均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。
鎵未來的G1N65R240PB是一款氮化鎵PFC開關管，一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態(tài)耐壓800V，標稱導阻240mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統(tǒng)硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計。G1N65R240PB相較于市面上其他產(chǎn)品，其柵極更堅固，反向壓降更低，可靠性更強，整體性能處于行業(yè)領先水準。G1N65R240PB采用PQFN8*8封裝，散熱焊盤為源極，減小高頻走線面積，提升EMI性能。這款氮化鎵器件適合PFC校正電路、逆變電路、半橋或全橋電路、采用QR或ACF反激拓撲架構的充電器等多種場景應用。
能訊半導體的DOD1H2425-600EF，是一款基于GaN的射頻微波能2.4-2.5GHz 600W產(chǎn)品，采用陶瓷1230封裝，尺寸32*9.4*4.52mm，滿足微波能應用對于器件高效、高可靠性需求。針對微波能應用場景下連續(xù)波不間斷加載的特點，能訊半導體進行了熱阻特殊設計，實現(xiàn)適用于連續(xù)波應用的低器件熱阻特性，DOD1H2425-600EF熱阻參考值：單side熱阻（FEA）為0.7°C/W。DOD1H2425-600EF在200°C結溫下，其MTTF達到10^7小時，10倍于正常標準下的10^6小時，極大的提升了系統(tǒng)長期運行可靠性。
能華的CoreGaN氮化鎵器件CE65H600TOEI，耐壓650V，瞬態(tài)耐壓800V，導阻為600mΩ，較低的門極電荷，較低的動態(tài)導通電阻，開關速度快，損耗低，可以大大提高系統(tǒng)能效；另外其驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統(tǒng)可靠性，可提供比傳統(tǒng)硅（Si）器件更高的效率，具有顯著的優(yōu)勢。這顆器件采用TO-252 封裝，成本低，熱容大而且熱阻小，這種封裝可以拓展器件的功率應用范圍，有很強的散熱能力和耐熱沖擊能力，使系統(tǒng)具有更高的熱可靠性。
能華的CE65E300DNYI，是一顆DFN5*6封裝的增強型氮化鎵器件，耐壓650V，瞬態(tài)耐壓750V，導阻為300mΩ。相比傳統(tǒng)Si MOSFET器件，這顆GaN器件能大大提升系統(tǒng)效率、功率密度，減小系統(tǒng)尺寸及重量，并降低系統(tǒng)成本。相比市場上其他E mode GaN產(chǎn)品，其Vth要高60%，保證了在各種應用場景的驅動可靠性，無需負壓關斷，PCB Layout也變得更容易。
聚能創(chuàng)芯的CGL65R190B是一款耐壓650V，導阻170mΩ的增強型氮化鎵開關管，支持高頻開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。CGL65R190B采用PQFN8*8封裝，可應用在65-120W功率段反激主功率開關管，100W功率段 PFC主功率開關管，200W功率段LLC主功率開關管。
聚能創(chuàng)芯的CGK65R400B是一款耐壓650V，導阻300mΩ的增強型氮化鎵開關管，支持高頻開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。CGK65R400B采用PQFN5*6封裝，適用于高壓AC/DC轉換，可應用在30W功率段反激主功率開關管，120W LLC主功率開關管。
鎵宏半導體的GSR065D046是一款650V、35mΩ氮化鎵 (GaN) FET采用GSR Semiconductors Gen IV平臺的常關器件。它通過結合先進的高壓 GaNHEMT 與低壓硅 MOSFET來提供卓越的可靠性和性能。Gen IV 平臺使用先進的外延和專利的設計技術來簡化可制造性，同時通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復電荷來提高器件效率。
鎵宏半導體的GSR900D035系列900V、50mΩ 氮化鎵 (GaN) FET為常關型器件。它通過結合先進的高壓GaNHEMT與低壓硅MOSFET來提供卓越的可靠性和性能。通過更低的柵極電荷、更低的交叉損耗和更小的反向恢復電荷提供比硅更高的效率。
典芯科技的CC65H600TOAIF采用TO-220F封裝，性價比高，散熱性能好，應用在36W適配器上甚至能取消散熱材料。CC65H270TOEI采用TO-252封裝，性價比極高，GSD腳位，EMC性能優(yōu)秀，減少散熱及人工成本，應用在60W適配器上，在12V/5A滿載/264V/90°&180°測試條件下，在打差模4KV的時候，其VDS已達到824V, 此時系統(tǒng)仍在正常工作, 驗證了其優(yōu)異的抗浪涌雷擊性能。
26、致能
致能的兩款1200V D-Mode高可靠性氮化鎵器件，ZN120C1R070W采用TO-247封裝，導通電阻為70mΩ；ZN120C1R300P采用TO-220封裝，導通電阻為300mΩ。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達到2400V，這兩個型號產(chǎn)品均結合了致能最新的高壓氮化鎵HEMT和低壓硅 MOSFET技術，具有卓越的可靠性和性能，可廣泛用于工業(yè)、新能源、以及汽車等領域。
Wise-integration的WI62120，是一款120mOhm 650V增強模式GaN-on-silicon的半橋電源電路，采用6x8 PQFN封裝，它利用GaN的固有特性為30W至3kW的高效率和高密度功率轉換應用（包括AC/DC、DC/DC和DC/AC）提供更好的電流能力、電壓擊穿和開關頻率?？蔀殡娏﹄娮釉O計人員提供更高水平的功率密度、性能和成本效益。目標市場領域包括消費類（例如用于移動和桌面設備的超快速充電器）、電動汽車和工業(yè)AC/DC電源，以及使用無橋圖騰柱功率因數(shù)轉換(PFC)有源鉗位反激式(ACF)、雙電感單電容(LLC)諧振轉換器，以及同步降壓或升壓半橋拓撲結構的設計。
Qorvo的QPB3810是一款基于氮化鎵（GaN）的功率放大器模塊（PAM），集成適用于5G大規(guī)模MIMO（mMIMO）應用的偏置控制；作為一款高度集成的前端低噪聲放大器（LNA）模塊，針對 5G TDD 系統(tǒng)。這些器件擴展了 Qorvo 面向 mMIMO 應用的廣泛產(chǎn)品組合，是全新 RF 前端參考設計中的關鍵構件，可加速 mMIMO 系統(tǒng)的采用。
博瑞集信的BRGF016030PHG是一款采用GaN HEMT工藝設計實現(xiàn)的內匹配功率放大器，該產(chǎn)品漏端采用28V供電。本產(chǎn)品針對衛(wèi)星通信應用設計，工作頻段為1.6GHz~1.65GHz，具有極高的功率附加效率，且得益于產(chǎn)品內部匹配設計，用戶僅通過少量外部器件即可應用于系統(tǒng)設計。產(chǎn)品采用金屬陶瓷管殼封裝，具有良好的可靠性。
普能微的氮化鎵（GaN）射頻功率放大器系列，包括GNQ6010、GNQ6030、GNC6010、GNC6030、GNC6050、GNC60100六款產(chǎn)品。該GaN系列產(chǎn)品設計全部采用普能獨特電路設計方案，為客戶設計低成本塑封和高可靠性陶瓷封裝滿足不同市場需求，同時支持寬帶應用覆蓋DC-6GHz主流應用，可應用于4G和5G移動通信基站、專網(wǎng)通信、多天線相控陣、射頻電源、射頻能量等產(chǎn)品中。
恩智浦的32T32R有源天線系統(tǒng) (AAS) 的分立式射頻前端解決方案，該方案利用其新型專有氮化鎵 (GaN) 技術開發(fā)而成。該新方案和現(xiàn)有64T64R分立式GaN功率放大器解決方案一起形成一個射頻前端解決方案系列，覆蓋了2.3至4.0GHz的所有蜂窩網(wǎng)絡射頻頻段。與64T64R射頻前端解決方案相比，恩智浦32T32R射頻前端解決方案采用相同的封裝實現(xiàn)了兩倍輸出功率，因此整個5G連接解決方案更小巧輕便。其引腳兼容性允許網(wǎng)絡運營商在頻段和功率等級方面迅速擴展。
住友的兩款GaN射頻功率管：SGN3135-500H-R和 SGC0910-300A-R，分別支持3.1-3.5 GHz（S-band）和9.0-10 GHz（X-band）兩個頻段，主要應用于雷達系統(tǒng)，輸出功率分別為500W和300W，兩個器件的供電電壓均為50V。
33、三菱電機
三菱電機的MGFS48G38MB是一款GaN功率放大器模塊，該模塊可在3.4GHz至3.8GHz的寬頻段范圍內提供8W（39 dBm）的平均輸出功率。值得關注的是，該產(chǎn)品具有43%以上的高功率附加效率，可適用于64T64R mMIMO天線*3。其中，高效率和低失真源于三菱電機的新型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT），寬帶特性利用了獨特的電路設計和高密度封裝技術。該模塊用于5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站，有助于降低5G mMIMO基站的功耗。
亞德諾的HMC7885和HMC7748，兩款高性能氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)模塊，它們針對2 GHz至6 GHz頻率范圍的應用，包括測試和測量、通信、替代行波管(TWT)、航空監(jiān)控、雷達等應用領域。這些完全集成的全固態(tài)器件擴展了ADI現(xiàn)有的GaN功率放大器系列，使用方便，可以加快原型開發(fā)和系統(tǒng)設計。
埃賦隆半導體的兩款寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這些器件提供了低偏置下的寬帶高線性度特性，從而提高了寬帶線性度水平（在從飽和功率5dB回退時三階互調低于-32dBc；在2:1帶寬上回退8dB時則低于-42dBc）。寬帶線性對于當今國防電子設備中所部署的頻率捷變無線電至關重要，在對抗性的通信信道中，寬帶線性的晶體管可以處理多模式通信波形（從FM信號到高階QAM信號）。這些要求苛刻的應用需要晶體管本身具有更好的寬帶線性度。埃賦隆半導體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管可滿足這些擴展的寬帶線性度要求。
泰高技術的TTHB100NM 是一款集成2顆增強型氮化鎵650V 100mΩ 氮化鎵開關管及對應的驅動器的半橋功率芯片，用于高側、低側和電平轉換。它內置了UVLO（欠壓鎖定）、過溫和帶故障輸出信號的過電流保護，芯片內集成了用于高側的啟動電源。它采用低電感 8mm×10mm QFN 封裝，低電感封裝的集成驅動器允許在高壓和高頻中安全運行。開關頻率高達2MHz，傳輸延遲低至 50ns，支持 50V/ns dV/dT 抗擾度, 外圍元器件精簡，具有非常緊湊和簡便的布局，可實現(xiàn)靈活快捷的設計。它具有12V~20V的寬電源工作范圍，可應用在DC–DC轉換、逆變器、手機/筆記本充電器、LED/電機驅動、圖騰柱無橋PFC 應用、高頻LLC轉換器、服務器/AC-DC電源、有源鉗位反激等場景中。
37、力智
力智的氮化鎵半橋芯片uP9801Q，器件內置兩個耐壓100V，5.6mΩ的氮化鎵開關管，內置氮化鎵驅動器，具有兩個獨立的PWM信號輸入端子，可獨立控制，無需外置元件。相當于電腦主板上使用的DrMOS，uP9801Q具有極高的集成度，高效的轉換效率以及優(yōu)秀的散熱能力。uP9801Q內部采用低電感連接方式，減小了傳統(tǒng)打線工藝帶來的寄生電感和電阻，高頻性能更好的同時，實現(xiàn)了0.625mm的超薄厚度。高度集成化的芯片設計優(yōu)化了寄生參數(shù)對性能的影響。芯片內部集成自舉二極管，自舉電容和VCC濾波電容。降低PCB面積占用，并降低器件數(shù)量。
38、遠創(chuàng)達
遠創(chuàng)達的NME6003H和NU4012H，是兩款28V通用型GaN射頻功率器件，規(guī)格分別是150-3000MHz 15W和900-3000MHz 60W，GaN HEMT (氮化鎵高電子遷移率晶體管) 因其具備的高功率密度、低寄生參數(shù)和高截至頻率 (Ft) 等固有特性，可廣泛應用于寬帶及超寬帶通信、移動通信、測試及測量放大器、商業(yè)脈沖放大器、線性放大器、工業(yè)/科技/醫(yī)療等領域。
氮化鎵功率器件的應用場景正從低功率消費電子紅海向中大功率儲能、家電、電動工具等消費電子拓展，并逐漸延伸至 ICT（通訊基站、服務器/區(qū)塊鏈）、工控、新能源、光伏、電力等工業(yè)領域，其經(jīng)濟效益和市場潛力巨大。氮化鎵產(chǎn)品的應用和發(fā)展對提升能源使用效率、實現(xiàn)碳中和碳達峰具有極高社會價值。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2022年消費類電子GaN市場規(guī)模1.461億美元，預計2028年達到13.07億美元。
隨著業(yè)界對氮化鎵熟悉度和應用經(jīng)驗增加，其使用量將急劇上升，帶動市場價格下降，進而推動其更大規(guī)模使用，形成良性循環(huán)。因此，盡早掌握和使用氮化鎵功率半導體對工程師提升產(chǎn)品競爭力、知名度及自身能力意義重大。本文對工程師熟悉和選型功率半導體有一定參考借鑒價值。
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