MOS晶體管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件，廣泛應(yīng)用于集成電路和數(shù)字電路中。

它主要由金屬柵極、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體襯底組成。當(dāng)在柵極上施加一個(gè)電壓時(shí)，柵極和半導(dǎo)體之間會(huì)形成一個(gè)電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)會(huì)影響半導(dǎo)體中的載流子濃度分布，從而改變?cè)礃O和漏極之間的電流。柵極電壓的變化可以在源極和漏極之間產(chǎn)生電場(chǎng)效應(yīng)，進(jìn)而控制電流的變化，實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的放大和調(diào)節(jié)。

MOS晶體管具有體積小、功耗低、開關(guān)速度快、可靠性高等特點(diǎn)，主要用于控制電流，并在電路中充當(dāng)開關(guān)或放大器的角色。按照溝道中載流子類型，MOS晶體管可分為N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管。

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