PN結是采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面形成的空間電荷區(qū)。PN結具有單向導電性，即正向導通、反向截止的特性。當正向電壓達到一定值時，電流隨電壓成指數變化，具有非線性特性。PN結由P型半導體和N型半導體相結合而成，其中P型半導體富含正電荷，N型半導體富含負電荷。當這兩種材料接觸時，電子會從N型區(qū)域向P型區(qū)域流動，而空穴（缺少電子的位置）則會從P型區(qū)域向N型區(qū)域流動。

PN結的特性主要體現在兩個方面：整流作用和電壓響應。當外加電壓施加在PN結上時，如果正電壓施加在P型區(qū)域，而負電壓施加在N型區(qū)域，電子和空穴的流動將被限制，形成“正向偏置”，電流得以通過。反之，當施加相反的電壓時，電子和空穴的流動會被阻礙，形成“反向偏置”，電流無法通過。此外，PN結還具有光電效應，即當光照射到PN結上時，光子的能量將激發(fā)電子和空穴的產生。

PN結作為半導體器件的基礎結構，應用廣泛且多樣化，是構成各種半導體器件的基本組成單元之一。如需更多關于PN結的信息，建議查閱物理學或半導體技術相關領域的專業(yè)書籍。