驍龍835處理器是高通公司于2016年底發(fā)布的一款移動(dòng)平臺(tái)處理器，它采用了先進(jìn)的10納米工藝技術(shù)制造，具備出色的性能表現(xiàn)和能效比。

驍龍835采用了八核心設(shè)計(jì)，包括四個(gè)高性能的Kryo 280核心和四個(gè)效率更高的Kryo 280 Lite核心。這種異構(gòu)設(shè)計(jì)使得驍龍835在處理復(fù)雜任務(wù)時(shí)能夠提供出色的性能，而在處理簡(jiǎn)單任務(wù)時(shí)則能夠保持較低的功耗，從而延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。其主頻為1.9GHz+2.45GHz，大核心頻率2.45GHz，小核心頻率1.9GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心簇帶有1MB的L2 Cache。這種配置使得驍龍835在性能上足以應(yīng)對(duì)大多數(shù)高端智能手機(jī)的需求，無(wú)論是多任務(wù)處理、游戲娛樂還是高清視頻播放等場(chǎng)景，都能夠提供流暢、穩(wěn)定的體驗(yàn)。

此外，驍龍835的GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，能夠?yàn)橛脩魩?lái)更好的圖形處理性能。它還支持UFS 2.1和LPDDR4X四通道內(nèi)存，使得數(shù)據(jù)傳輸速度更快，系統(tǒng)運(yùn)行更流暢。同時(shí)，驍龍835還整合了Cat.16基帶，提供了出色的網(wǎng)絡(luò)連接性能。

在功耗方面，驍龍835同樣表現(xiàn)出色。由于其采用了先進(jìn)的10納米工藝技術(shù)，使得芯片尺寸更小，能效比更高，發(fā)熱量也相對(duì)較低。這使得驍龍835在提供高性能的同時(shí)，也能夠保持較低的功耗，從而延長(zhǎng)手機(jī)的續(xù)航時(shí)間。

此外，驍龍835還支持Quick Charge 4快速充電技術(shù)，充電速度相比Quick Charge 3.0提升了20%，充電效率也提升了30%。這一技術(shù)使得用戶在充電時(shí)能夠更快速地獲得電量，提升了使用體驗(yàn)。

總的來(lái)說，驍龍835是一款性能出色、能效比高的移動(dòng)平臺(tái)處理器，在當(dāng)時(shí)的市場(chǎng)上具有很高的競(jìng)爭(zhēng)力。雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，后續(xù)出現(xiàn)了更先進(jìn)的處理器，但驍龍835仍然是一款非常優(yōu)秀的處理器，能夠滿足大多數(shù)用戶的需求。