常用mos管型號(hào)參數(shù)表

以下是一些常用的 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）型號(hào)及其一般參數(shù)的示例：

1. IRF540：

• 最大承受電壓（Vds）：100V

• 最大導(dǎo)通電流（Id）：33A

• 柵極-源極閾值電壓（Vgs(th)）：2V至4V

• 開(kāi)啟電阻（Rds(on)）：0.077Ω

2. IRF3205：

• 最大承受電壓（Vds）：55V

• 最大導(dǎo)通電流（Id）：110A

• 柵極-源極閾值電壓（Vgs(th)）：2V至4V

• 開(kāi)啟電阻（Rds(on)）：0.008Ω

3. IRL540：

• 最大承受電壓（Vds）：100V

• 最大導(dǎo)通電流（Id）：33A

• 柵極-源極閾值電壓（Vgs(th)）：1V至2V

• 開(kāi)啟電阻（Rds(on)）：0.044Ω

4. IRLZ44N：

• 最大承受電壓（Vds）：55V

• 最大導(dǎo)通電流（Id）：47A

• 柵極-源極閾值電壓（Vgs(th)）：1V至2V

• 開(kāi)啟電阻（Rds(on)）：0.022Ω

5. BS170：

• 最大承受電壓（Vds）：60V

• 最大導(dǎo)通電流（Id）：0.5A

• 柵極-源極閾值電壓（Vgs(th)）：0.8V至3V

• 開(kāi)啟電阻（Rds(on)）：5Ω

6. 2N7000：

• 最大承受電壓（Vds）：60V

• 最大導(dǎo)通電流（Id）：0.2A

• 柵極-源極閾值電壓（Vgs(th)）：0.8V至3V

• 開(kāi)啟電阻（Rds(on)）：5Ω

以上數(shù)據(jù)只是一些示例，并不代表所有 MOSFET 的參數(shù)。在選擇 MOSFET 時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求，如電壓、電流、開(kāi)關(guān)速度、功耗和封裝等因素進(jìn)行選擇。另外，務(wù)必查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)以獲取確切的參數(shù)。