1、分立(晶體管)施密特觸發(fā)器電路圖

　　另一條電路(來自霍洛維茨和希爾)如下所示。電路幾乎相同，只是Q2的基極不接地。發(fā)射極電壓 Ve 在這里很重要。如果輸入處于低電壓，則當(dāng) Q1 的基極升至高于 Ve 0.7V 時(shí)，Q1 關(guān)閉且輸出變低。由于來自 Q1 的額外電流，Ve 在接近該點(diǎn)時(shí)上升。當(dāng)Q2飽和時(shí)Ve降低，因此必須進(jìn)一步降低輸入電壓以關(guān)斷Q1并重新建立原始狀態(tài)。構(gòu)建電路并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，測(cè)量 VE 作為 Vin 的函數(shù)，從低到高，然后再次回到低，記錄轉(zhuǎn)換電壓。

　　使用示波器的 XY 顯示可以更輕松地完成此操作。要掃描輸入電壓并將其顯示在 CH 1 上，請(qǐng)使用函數(shù)發(fā)生器，同時(shí)電路的輸出由 CH 顯示。通過這種方式很容易確定觸發(fā)電壓。您可以看到下面的圖表。箭頭表示變化的方向。 “遲滯”一詞源自希臘語(yǔ)，意為“子宮”，封閉區(qū)域是選擇該術(shù)語(yǔ)的原因。該電路可以被稱為具有記憶，因?yàn)殡娐返臓顟B(tài)取決于過去的歷史。

　　2、使用經(jīng)典單穩(wěn)態(tài)電路的閃光觸發(fā)器電路圖

　　這是一個(gè)閃光觸發(fā)(光驅(qū)動(dòng))電路，可產(chǎn)生具有恒定預(yù)定寬度的脈沖。該電路可用于控制任何需要與光觸發(fā)/閃光燈同步的設(shè)備。脈沖可以用來驅(qū)動(dòng)繼電器(經(jīng)過適當(dāng)?shù)墓β示彌_后，驅(qū)動(dòng)其他電路邏輯，或者電子開關(guān)。我們稱之為脈沖展寬器，因?yàn)槎痰拈W光會(huì)被轉(zhuǎn)換成較長(zhǎng)的固定寬度。閃光的持續(xù)時(shí)間可以不一致但電路會(huì)產(chǎn)生一致的脈寬，這是由10uF電容和4.7k電阻決定的(可以更換電容以獲得不同的脈寬設(shè)置)。

　　3、施密特觸發(fā)器電路圖

　　這是施密特觸發(fā)器電路。該電路產(chǎn)生簡(jiǎn)單的比較器動(dòng)作。它是“發(fā)射極耦合”。該電路具有明顯的磁滯環(huán)和快速轉(zhuǎn)換動(dòng)作，因?yàn)樵撾娐肥褂?2N3565 雙極型高 hFE 晶體管。 2N3069 JFET 在測(cè)量輸入上產(chǎn)生非常小的負(fù)載。

　　4、正電源可控硅和雙向可控硅觸發(fā)器電路圖

　　當(dāng)觸發(fā)器件所需的柵極電流高于控制電路輸出電流能力時(shí)，必須放大控制電路輸出電流。例如，如今許多 MCU 的輸出引腳的電流能力約為 30 mA。借助 IGT，他們可以安全地切換高達(dá) 15 至 20 mA 的雙向可控硅。

　　如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必須由此類 MCU 控制，則以下是兩種解決方案。首先，并聯(lián)使用多個(gè) MCU 輸出引腳(最好是在每個(gè)輸出引腳和 Triac 柵極之間使用單獨(dú)的柵極電阻，以確保每個(gè)引腳之間良好的電流重新分配)。其次，使用如下示意圖所示的雙極晶體管。

　　對(duì)于雙極解決方案，唯一的方法是使用 PNP 晶體管來保持柵極電流。為了將其驅(qū)動(dòng)參考設(shè)置為穩(wěn)定的偏置，必須使用 PNP 晶體管，在本例中即為電源 (Vdd)。

　　這是正電源拓?fù)涞牧硪粋€(gè)缺點(diǎn)。必須使用PNP晶體管代替NPN晶體管來放大控制電路輸出電流。與 NPN 晶體管相比，PNP 晶體管的電流增益較低，但價(jià)格較高。