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Mini-Circuits TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶體管的介紹、特性、及應用
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TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶體管采用高度可重復的D-pHEMT和E-pHEMT技術(shù)設(shè)計，封裝尺寸為1.4mm x 1.2mm。晶體管具有低噪聲系數(shù)，高增益和高輸出IP3，這使它們成為通信系統(tǒng)中敏感接收器的理想選擇。TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶體管提供非鐵質(zhì)封裝引線框架，用于MRI和其他磁敏感應用。這些晶體管還用于5G MIMO無線電系統(tǒng)、Wi-Fi 6、戰(zhàn)術(shù)無線電和正交頻分復用(OFDM)應用。
特性
tav1 - 331 nm +
有色金屬材料
低噪音指數(shù)
高增益
高輸出IP3
弱電流
需要外部偏置和匹配
替代Broadcom ATF-331M4
tav1 - 541 nm +
有色金屬封裝引線框架
低噪音指數(shù)
高增益
高輸出IP3
單電源電壓
寬的帶寬
應用程序
核磁共振成像
供應管理協(xié)會(ISM)
5G MIMO無線電系統(tǒng)
wi - fi 6
戰(zhàn)術(shù)無線電
OFDM(僅限TAV1-331NM+)
規(guī)范
tav1 - 331 nm +
10MHz至4000MHz頻率范圍
0.5dB至1dB的典型噪聲系數(shù)范圍
24.7dB至12.3dB典型增益
19.7dBm至21.5dBm的典型輸出功率在1dB壓縮
50dB至22dB典型隔離
6.1dB至16.5dB典型輸出回波損耗
總功耗400mW
-40℃~ +85℃工作溫度范圍
-65℃~ +150℃存儲溫度范圍
tav1 - 541 nm +
45MHz ~ 6000MHz頻率范圍
0.5dB至1.7dB典型噪聲系數(shù)
24.1dB至8.9dB典型增益
在1dB壓縮時，20.3dBm至20.8dBm的典型輸出功率
典型隔離度為27.8dB至21.8dB
9.8dB至15.3dB典型輸出回波損耗
總功耗360mW
-40℃~ +85℃工作溫度范圍
-65℃~ +150℃存儲溫度范圍
功能圖
責任編輯：David
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